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IGBT/功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件，功率器件，功率半導(dǎo)體器件，功率開(kāi)關(guān)器件，igbt功率模塊，igbt功率管，大功率igbt驅(qū)動(dòng)，大功率igbt等IGBT/功率器件設(shè)計(jì)所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)方案及介紹。
NTC熱敏電阻詳細(xì)應(yīng)用解析
溫度相同區(qū)間不同的B值，說(shuō)明材料可能不一樣，因?yàn)镹TC熱敏電阻是負(fù)溫度系數(shù)溫度升高阻值成規(guī)律下降，B值代表曲線的彎曲程度或者說(shuō)溫度的敏感指數(shù)，單位溫度變化的這時(shí)阻力值設(shè)施程度就...
揭秘電動(dòng)汽車(chē)IGBT芯片鍵合線
在電控模塊中，IGBT模塊是逆變器的最核心部件，總結(jié)其工作原理：通過(guò)非通即斷的半導(dǎo)體特性，不考慮過(guò)渡過(guò)程和寄生效應(yīng)，我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。...
2024-04-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)減速器 1159
深度解析DCDC電路中的前饋電容應(yīng)用
A(s)為電源系統(tǒng)的開(kāi)環(huán)增益，為方便討論我們假定A(s)里已經(jīng)包含了輸出電容、負(fù)載等其他因素的影響。...
2024-04-19 標(biāo)簽：電容DC-DC電源系統(tǒng)buck電路電源芯片 3264
全球首款氮化鎵量子光源芯片誕生
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。...
IGBT器件失效模式的影響分析
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。...
SiC器件工作原理與優(yōu)勢(shì)
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時(shí)比傳統(tǒng)硅基器件體積更小，...
2024-04-18 標(biāo)簽：電機(jī)控制器功率器件SiC輸電系統(tǒng)太陽(yáng)能逆變器 1381
納芯微發(fā)布首款車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過(guò)程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。...
2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅納芯微熱管理系統(tǒng) 777
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車(chē)的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。...
2024-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體cpugpu半導(dǎo)體材料氮化鎵 4039
三極管小電流如何駕馭大電流
三極管有兩種基本類(lèi)型，即NPN型和PNP型。在這兩種類(lèi)型中，NPN型的三極管更為常用，所以我們將主要討論NPN型的三極管。...
SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。...
2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管SiC 3864
電阻不同顏色的色環(huán)代表什么意思
電阻器顏色代碼是一種標(biāo)準(zhǔn)化系統(tǒng)，用于表示電阻器的電阻值、容差，有時(shí)甚至表示電阻器的溫度系數(shù)。它們由涂在電阻器主體上的彩色帶組成，每個(gè)彩色帶代表電阻器值中的特定數(shù)字或乘數(shù)。...
MOS管柵極前加100Ω電阻的作用是什么
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感，例如圖中的L，它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路：對(duì)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振，進(jìn)而引起功率管輸出電壓的波動(dòng)。...
2024-04-16 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻MOSFETMOS管 976
碳化硅器件的類(lèi)型及應(yīng)用
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時(shí)保持穩(wěn)定性和效率。...
2024-04-16 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 1092
深度解析TVS關(guān)鍵參數(shù)及選型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱(chēng)雪崩擊穿二極管。它是采用半導(dǎo)體工藝制成的單個(gè) PN 結(jié)或多個(gè) PN 結(jié)集成的器件。...
IGBT無(wú)損緩沖吸收電路設(shè)計(jì)原理
電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和du/dt增大，從而使電磁干擾增大，影響變換器和周?chē)娮釉O(shè)備的工作。...
2024-04-12 標(biāo)簽：二極管IGBT電磁干擾開(kāi)關(guān)器件IGBT二極管吸收電路開(kāi)關(guān)器件電磁干擾 4213
探討氮化鎵在汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用
氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)，在汽車(chē)和移動(dòng)手機(jī)市場(chǎng)中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。...
2024-04-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光雷達(dá)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng) 1255
小米SU7碳化硅應(yīng)用情況如何？
小米SU7單電機(jī)版，400V電壓平臺(tái)的電驅(qū)供應(yīng)商為聯(lián)合汽車(chē)電子，其中搭載了來(lái)自博世的碳化硅芯片，根據(jù)調(diào)研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產(chǎn)品。...
2024-04-11 標(biāo)簽：永磁電機(jī)碳化硅SiC MOSFET小米SU7 1827
全國(guó)最大8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地山東？
作為技術(shù)應(yīng)用最成熟的襯底材料，碳化硅襯底在市場(chǎng)上“一片難求”。碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的滲透率正在快速擴(kuò)大，能顯著提升續(xù)航能力與充電效率，并降低整車(chē)成本。...
2024-04-11 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)功率器件碳化硅 743
光電三極管的特性及結(jié)構(gòu)示意圖
光電三極管是一種半導(dǎo)體器件，能夠感應(yīng)光水平并根據(jù)其接收的光水平來(lái)改變?cè)诎l(fā)射極和集電極之間流動(dòng)的電流。顧名思義，光電三極管是一種晶體管，可以感應(yīng)光并改變晶體管端子之間的電流...
2024-04-10 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管半導(dǎo)體器件光電三極管 2797
關(guān)于光電三極管的簡(jiǎn)單介紹
光電三極管有塑封、金屬封裝、陶瓷、樹(shù)脂等多種封裝結(jié)構(gòu)，引腳分為兩腳型和三腳型。一般兩個(gè)管腳的光電三極管，管腳分別為集電極和發(fā)射極，光窗口則為基極。...
碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。...
2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC碳化硅牽引逆變器 1951
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