半導(dǎo)體再現(xiàn)重磅交易 微芯擬101.5億美元收購美高森美
微芯科技周四宣布，將斥資大約83.5億美元收購美高森美，將向美高森美支付每股68.78美元的現(xiàn)金，這筆交易將擴(kuò)大微芯在計(jì)算和通信領(lǐng)域的份額，兩家公司在這一領(lǐng)域全年銷售額中的占有率低于15%。
臺積電全面領(lǐng)先7nm工藝 國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備面臨任何的困境？
在ICP芯片刻蝕中，關(guān)鍵尺寸的大小和芯片溫度有著一一對應(yīng)的關(guān)系。如果我們要求刻蝕均勻性達(dá)到1納米，那么整個芯片的溫度差異就要控制在2度以內(nèi)。中微自主研發(fā)的溫控設(shè)計(jì)，可以讓刻蝕過程的溫控精度保持在0.75度以內(nèi)，優(yōu)于國際水平。
中國芯或?qū)⒛嬉u 2018年設(shè)計(jì)中國5G芯片關(guān)鍵年
微芯公司則制造各類芯片，Gartner的數(shù)據(jù)顯示，微芯單片機(jī)全球8位單片機(jī)付運(yùn)量排名第一，在全球共設(shè)有45家銷售辦事處，工廠3座，擁有4500名員工。這次交易將可增強(qiáng)微芯在計(jì)算機(jī)、通信等領(lǐng)域的實(shí)力。
2018-06-04 標(biāo)簽：中國芯半導(dǎo)體芯片5g 1659
北方華創(chuàng)：助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，擔(dān)負(fù)設(shè)備國產(chǎn)化重任
北方華創(chuàng)：助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，擔(dān)負(fù)設(shè)備國產(chǎn)化重任...
對于缺水問題，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能造成臺灣經(jīng)濟(jì)危機(jī)
臺灣是個缺水的地區(qū)，沒有水將沖擊半導(dǎo)體、面板和印刷電路板等高科技產(chǎn)業(yè)，甚至?xí)斐膳_灣經(jīng)濟(jì)危機(jī)。臺積電砸5000億元新臺幣的5納米廠在臺南動土，你或許不知道，這座世界最頂尖的晶圓廠，一半的用水得依賴臺南市2區(qū)民眾沖完馬桶、洗澡的污水回收再生，才能提供穩(wěn)定供水。
中國半導(dǎo)體技術(shù)已邁向生產(chǎn)投產(chǎn)期
中國首家、全球第二家12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項(xiàng)目——重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司，項(xiàng)目總投資10億美元，具備生產(chǎn)銷售、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試全產(chǎn)業(yè)鏈能力。
半導(dǎo)體銷售金額成長10.8%,，中國今年首次位居第二，臺灣第...
2019年，SEMI預(yù)測中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額成長幅度最大(46.6%)，達(dá)到173億美元。2019年中國、南韓及臺灣預(yù)料將穩(wěn)坐前三大市場，中國排名也將攀爬至第一。南韓將以163億美元成為全球第二大市場，臺灣半導(dǎo)體設(shè)備銷售金額則有接近123億美元的水平。
2018年MLCC市場缺貨漲價(jià)持續(xù)走高 三星是主要推力
村田MLCC部分產(chǎn)品減產(chǎn)50%且漲價(jià),預(yù)計(jì)這將會帶動2018年MLCC市場缺貨漲價(jià)的行情持續(xù)走高，目前在現(xiàn)貨市場，部分型號的MLCC已經(jīng)開始再次漲價(jià)。
IDM廠關(guān)閉自有舊晶圓廠并委外代工已是未來趨勢 臺積電、聯(lián)電...
IDM廠關(guān)閉自有舊晶圓廠并委外代工已是未來趨勢，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)，自金融海嘯發(fā)生后，在2009至2017年的過去9年當(dāng)中，全球共有92座晶圓廠關(guān)閉或改變用途，預(yù)期未來幾年將會有更多晶圓廠關(guān)閉，而包括臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、中芯國際等晶圓代工廠可望直接受惠。
全球模擬IC銷售額為527億美金，將為未來五年主要推動力
模擬芯片作為電子產(chǎn)品的重要組成部分，其需求隨著各類電子產(chǎn)品的快速發(fā) 展而不斷擴(kuò)大。模擬芯片市場不易受單一產(chǎn)業(yè)景氣變動影響，因此價(jià)格波動遠(yuǎn)沒有 存儲芯片和邏輯電路等數(shù)字芯片的變化大，市場波動幅度相對較小。通常被視為電子產(chǎn)業(yè)的晴雨表，基本代表了整個市場的發(fā)展?fàn)顩r。
功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地,加快構(gòu)建昆山自主創(chuàng)新、安全可控
此次三方合作建設(shè)的功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地，坐落于陽澄湖科技園的核心區(qū)域。項(xiàng)目的簽約，旨在聚合各方優(yōu)勢資源，共同成立昆山初芯半導(dǎo)體科技有限公司，投資建設(shè)功率射頻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地、中國科學(xué)院集成電路創(chuàng)新研究院昆山產(chǎn)業(yè)基地，促進(jìn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、價(jià)值鏈、資金鏈融合
高通收購恩智浦半導(dǎo)體,中國是否能向高通開出綠燈
如果收購恩智浦失敗，那么高通將進(jìn)行200億~300億美元的股票回購計(jì)劃，以此提振股價(jià)。7月20日，高通第30次延長對恩智浦的收購要約，將時間推遲至紐約時間7月25日下午5點(diǎn)。貿(mào)易專家說，北京在25日前批準(zhǔn)這一協(xié)議的可能性已經(jīng)十分渺茫。而于今年4月已經(jīng)將最后期限延長的高通公司也已經(jīng)表示，它不打算再次延長最后期限。今年5月中國政府接近批準(zhǔn)這一協(xié)議，但在此之后，白宮宣布計(jì)劃對總額500億美元的進(jìn)口中國商品加征關(guān)稅。
中國半導(dǎo)體需求占全球60%，而供需缺口持續(xù)擴(kuò)大
歷經(jīng)3次轉(zhuǎn)移，半導(dǎo)體行業(yè)重心正遷至中國大陸。上世紀(jì)四五十年代隨著軍用、商用計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)，至70年代硅谷形成，美國成為世界上半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)頭人；80年代日本政府與產(chǎn)業(yè)界經(jīng)過努力開發(fā)基于DRAM的IDM商業(yè)模式，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)的崛起，超越美國在全球市場處于領(lǐng)先；之后韓國抓住PC端消費(fèi)機(jī)遇，加上政府與財(cái)團(tuán)支持，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中搶占了市場先機(jī)，在DRAM市場達(dá)到80%的占有率，一舉將產(chǎn)業(yè)重心遷至韓國
華虹無錫基地項(xiàng)目啟動建設(shè) 將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設(shè)
華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約700畝，總投資100億美元，一期項(xiàng)目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。華虹無錫基地項(xiàng)目將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電路生產(chǎn)線。首期項(xiàng)目實(shí)施后，將適時啟動第二條生產(chǎn)線建設(shè)。
2018-04-12 標(biāo)簽：華虹無錫 1486
半導(dǎo)體巨頭微芯科技斥資約83.5億美元收購美高森美
近日消息，半導(dǎo)體巨頭微芯科技宣布，將斥資大約83.5億美元（約合人民幣530億元）感收購美國最大軍用、航天半導(dǎo)體設(shè)備商業(yè)供應(yīng)商美高森美（Microsemi）。計(jì)入美高森美持有的現(xiàn)金和投資，這筆交易的規(guī)模達(dá)到101.5億美元（約合人民幣645億元）。 微芯稱，公司將向美高森美支付每股68.78美元的現(xiàn)金，較美高森美周四64.30美元的收盤價(jià)溢價(jià)7%。 微芯稱，這筆交易需要獲得美高森美股東的批準(zhǔn)，預(yù)計(jì)將在第二季度完成。在交易宣布時，兩家公司的股票均停盤
我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
后段封裝測試設(shè)備：封測領(lǐng)域是我國相對優(yōu)勢領(lǐng)域，最有可能成為突破環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體封測占我國集成電路銷售規(guī)模35%，以封測環(huán)節(jié)作為切入口，進(jìn)一步拓展集成電路領(lǐng)域，將會是我國未來在半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)發(fā)展重點(diǎn)突破的領(lǐng)域。長川科技作為國內(nèi)唯一上市的封測設(shè)備龍頭，獲國家大基金持股支持，近期研發(fā)的CP12探針臺及其電子模組已具備一定檢測能力。
無缺陷砷化硼：新型半導(dǎo)體材料,更好的熱管理效應(yīng)
胡永杰表示：“這種材料可以大大提高芯片的性能，減少從小型產(chǎn)品到最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)中心等各類電子設(shè)備的能源需求。它優(yōu)良的半導(dǎo)體特性和經(jīng)過證明的導(dǎo)熱能力，決定了這種材料具有很好的應(yīng)用潛力，目前的芯片制造工藝就可以大規(guī)模使用它。它可以取代當(dāng)前最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體材料，并徹底改變電子行業(yè)?！?/p>
半導(dǎo)體業(yè)者面臨“看不見”難題,需看得到更小微粒的“新眼睛”
在半導(dǎo)體濕式制程中，晶圓表面的清洗、蝕刻與研磨皆需仰賴特定化學(xué)溶液進(jìn)行，而溶液中納米粒子的尺寸與分布會影響晶圓電路圖案（pattern）的制程結(jié)果，因此必須持續(xù)監(jiān)控溶液中粒子大小及數(shù)量，只要發(fā)現(xiàn)溶液粒子不符規(guī)格，就要馬上暫停及更換，以維持產(chǎn)品良率。
氮化物寬禁帶半導(dǎo)體展現(xiàn)巨大應(yīng)用前景
氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制AlGaN溝道HEMT器件性能提升和應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸難題。為此，團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種具有三層緩沖層的材料結(jié)構(gòu)，使得AlGaN溝道HEMT器件獲得了當(dāng)前國際最好水平的飽和電流、開關(guān)比（ION/IOFF）、最大跨導(dǎo)和電子遷移率等
半導(dǎo)體發(fā)展至關(guān)重要,用處極為廣泛
在2018年上半年工業(yè)通信業(yè)發(fā)展情況新聞發(fā)布會上，工信部信息通信發(fā)展司司長聞庫表示，從全球看，半導(dǎo)體的發(fā)展是至關(guān)重要的，各行各業(yè)都在使用。世界各國都對半導(dǎo)體發(fā)展非常重視，像韓國、日本、美國、歐洲等等，也包括中國。特別是即將到來的5G，帶寬非常寬，需要更好的半導(dǎo)體的器件來完成，希望跟全世界各國的半導(dǎo)體行業(yè)的企業(yè)能夠共同努力，大家攜手并肩把這件事情做好。
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