模擬技術(shù)
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
半導(dǎo)體材料都有哪些？半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟，其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵晶圓制造 37778
世強(qiáng)和音特電子簽署協(xié)議 為用戶提供TVS瞬態(tài)抑制二極管
音特電子于2007年以零缺陷通過了ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，擁有一流的生產(chǎn)和檢測(cè)設(shè)備，產(chǎn)品材料均已通過RoHS檢測(cè)；系列產(chǎn)品完成UL、VDE、CSA等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)論證，產(chǎn)品各項(xiàng)性能指標(biāo)均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。
2023-06-30 標(biāo)簽：TVS霍爾傳感器瞬態(tài)抑制二極管 638
科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)
科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī)。2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用
IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展，提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
整體IGBT國(guó)產(chǎn)化率已提升至約30%-35%
值得注意的是，國(guó)內(nèi)在IGBT制造工藝水平，模塊封裝的散熱效率上與國(guó)外英飛凌等廠商存在一定差距。
2023-06-20 標(biāo)簽：IGBT 942
英飛凌會(huì)去美國(guó)建SiC廠嗎？
近日，德國(guó)碳化硅大廠——英飛凌透露，他們正在考慮去美國(guó)建工廠。而此前，另一家德國(guó)碳化硅企業(yè)——博世也宣布去美國(guó)生產(chǎn)碳化硅。
一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET
由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽極替代肖特基接觸，形成無結(jié)二極管。因此，在反向續(xù)流時(shí)，無結(jié)的FD實(shí)現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on）。
平面變壓器有利于DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
長(zhǎng)期以來，變壓器一直是DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的痛點(diǎn)和難點(diǎn)。因?yàn)樗鼈凅w積大、價(jià)格貴且難以制造。
2023-06-15 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器PCB板PWM控制耦合電容 3188
1700V!這一國(guó)產(chǎn)SiC MOS率先上車
前幾天，三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄（.點(diǎn)這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰，今天答案正式揭曉！
APEX微技術(shù)PA194功率運(yùn)算放大器產(chǎn)品介紹
PA194較PA94功率運(yùn)算放大器的實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的性能，能夠在2100 V/μs時(shí)提供更高的速度，在10 kHz時(shí)提供~4 nV/√Hz的極低噪聲（典型）。它非常適合高速模擬精度對(duì)系統(tǒng)操作至關(guān)重要的應(yīng)用。
2023-06-12 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器APEX 1562
?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道
三安光電近日宣布，將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 463
一因素或使SiC壽命縮短90%！如何破局？
3月1日，特斯拉特別在”投資者日“活動(dòng)上強(qiáng)調(diào)了SiC封裝技術(shù)，大家是否想過為什么？
近11億元！氮化鎵又添新工廠
6月2日，韓國(guó)新簽了一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目，總投資額接近11億元人民幣。
2023-06-07 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaNSAM功率半導(dǎo)體 995
零碳時(shí)代，碳化硅器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
5月25日，由行家說舉辦的汽車與光儲(chǔ)充SiC應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)在上海成功舉辦，英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)經(jīng)理張明丹應(yīng)邀參加了大會(huì)主題演講。
2023-06-06 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 565
SiC與GaN，誰擁有更廣闊的星辰大海？
當(dāng)下，低碳化和數(shù)字化齊頭并進(jìn)的發(fā)展，帶來了萬物互聯(lián)、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個(gè)突飛猛進(jìn)的過程中，第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。
2023-06-04 標(biāo)簽：SiCGaN碳化硅GaN技術(shù) 543
芯導(dǎo)科技推出的一系列TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
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