模擬技術(shù)
模擬芯片，市況幾何？
模擬芯片與數(shù)字芯片不同，其發(fā)展并不主要依賴于工藝制程迭代，通常產(chǎn)品生命周期較長、價(jià)格波動(dòng)也較小。這種特性決定了模擬芯片的波動(dòng)表現(xiàn)會(huì)略好于數(shù)字芯片，甚至有業(yè)界觀點(diǎn)認(rèn)為，在下行周期中，模擬芯片可能會(huì)是其中相對較早復(fù)蘇的產(chǎn)品類型。
2023-08-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器led驅(qū)動(dòng)器模擬芯片數(shù)字芯片 1185
面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。
2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC氧化鎵GaN技術(shù) 1298
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 標(biāo)簽：電阻器led燈激光器光電半導(dǎo)體氮化鎵 2251
碳化硅器件加速狂飆！新能源車全球普及加速
新能源車全球普及加速，功率密度標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)提升為SiC產(chǎn)業(yè)落地提供契機(jī)。
2023-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車變換器逆變器SiC碳化硅 583
碳化硅賽道持續(xù)升溫，哪些資本參與了基本半導(dǎo)體的D輪融資？
據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道，基本半導(dǎo)體于近日完成了D輪融資，據(jù)悉珂璽資本參與了本輪投資，其他具體投資方和金額尚待披露。
2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 680
為什么要用碳化硅？碳化硅晶體長不“高”到底難在哪兒？
硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料，目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過，由于轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限，當(dāng)電壓大于900V時(shí)，要實(shí)現(xiàn)更大的功率，硅基功率MOSFET和IGBT就暴露了出了短板。
2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體芯片 2679
受益于物聯(lián)網(wǎng)的FD-SOI卷土重來
如今談起晶圓工藝，大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET，抑或是尚出于完善階段的GAA，臺(tái)積電、三星、英特爾……無數(shù)廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙，不過卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 標(biāo)簽：MOSFETFETFinFET偏置電壓CMOS技術(shù) 1399
逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長率為27%。
2023-07-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器GaN碳化硅 904
半導(dǎo)體制造商專注擴(kuò)大功率半導(dǎo)體和成熟的工藝產(chǎn)能
晶圓代工龍頭中芯國際在未來5至7年內(nèi)將有約34萬片晶圓產(chǎn)能的12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，其中包括深圳、北京、上海等地項(xiàng)目。
2023-07-14 標(biāo)簽：中芯國際晶圓代工功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造碳化硅 534
鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？
中國對鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。
2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵砷化鎵5G 3089
可重構(gòu)晶體管取得新進(jìn)展！制造后也可改變屬性！
幾十年來，傳統(tǒng)晶體管一直在不斷地小型化，這是由摩爾定律的總體趨勢所決定的。
華為、浪潮力推GaN，萬億級市場打開
氮化鎵在服務(wù)器電源領(lǐng)域愈發(fā)扮演著重要角色，今天，“行家說”將為大家?guī)?條該領(lǐng)域的內(nèi)容服務(wù)，并為大家分析GaN備受數(shù)據(jù)中心青睞的原因。
2023-07-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵電源GaNGaN技術(shù) 2166
全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模 芯達(dá)茂IGBT年出貨量已超千萬顆
與硅IGBT器件相比，碳化硅器件具有耐高壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低損耗等眾多優(yōu)點(diǎn)，使得其在電動(dòng)汽車、光伏和其他新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上極有優(yōu)勢。
英飛凌科技推首款I(lǐng)SOFACE雙通道數(shù)字隔離器 可與其它產(chǎn)品...
新推出的ISOFACE雙通道數(shù)字隔離器進(jìn)一步壯大了英飛凌的隔離產(chǎn)品組合，可廣泛適用于服務(wù)器、通信和工業(yè)SMPS、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)及太陽能逆變器等各種應(yīng)用。
2023-07-06 標(biāo)簽：英飛凌電機(jī)控制數(shù)據(jù)傳輸數(shù)字隔離器ISOFACETM 785
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