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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術 > 業(yè)界新聞

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢

GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。

2023-09-13 標簽:功率器件氮化鎵GaN碳化硅 2584

8英寸碳化硅襯底已實現(xiàn)小批量銷售

前來看,在未來一段時間內(nèi),6英寸導電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術的進步、基于成本和下游應用領域等因素考慮,8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢。最終的周期將取決于技術的進度、下游市場的發(fā)展情況等多方面因素。

2023-09-12 標簽:英飛凌晶圓碳化硅寬禁帶半導體 659

深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究

近年來,氧化鎵(Ga2O3)半導體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶,高于第三代半導體碳化硅(SiC)的3.2 eV和氮化鎵(GaN)的3.39 eV。

2023-09-11 標簽:新能源汽車光電探測器碳化硅氧化鎵GaN技術 1569

模擬電源IC的專業(yè)廠家特瑞仕將攜手多家知名企業(yè)亮相2023 ...

模擬電源IC的專業(yè)廠家特瑞仕將攜手多家知名企業(yè)亮相2023 electronica India...

2023-09-08 標簽:轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器TOREX特瑞仕DCDC 770

安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q...

安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。

2023-09-06 標簽:MOSFETled照明電源管理電壓調(diào)節(jié)器dcdc轉(zhuǎn)換器 1528

意法半導體將為汽車T1廠博格華納供應碳化硅器件

 近日,意法半導體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達成了一項重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件,以升級博格華納的車規(guī)功率模塊。

2023-09-06 標簽:電動汽車MOSFET逆變器意法半導體碳化硅 644

功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩(wěn)步擴大。

2023-09-04 標簽:ledSiC氮化鎵功率半導體氧化鎵 1372

格恩半導體發(fā)布十多款氮化鎵半導體激光器

氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點,波長范圍覆蓋可見光和紫外波段,應用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領域,近年來總體市場需求呈現(xiàn)較高的復合增長趨勢。由于氮化鎵激光技術壁壘較高,長期被國外少數(shù)企業(yè)壟斷,我國企業(yè)需求全部依賴進口。

2023-08-31 標簽:氮化鎵半導體激光器半導體激光芯片 1207

瘋狂的碳化硅半導體究竟有什么魔力?

隨著全球特別是中國新能源汽車市場滲透率的快速提升,強勁的上車需求疊加巨大的產(chǎn)能缺口,碳化硅這條“賽道”愈發(fā)呈現(xiàn)出欣欣向榮之勢。

2023-08-30 標簽:新能源汽車MOSFET伺服電機光伏逆變器碳化硅 1208

高效超導二極管可能永遠改變芯片設計?

二極管 50% 的效率將有利于芯片設計。

2023-08-21 標簽:二極管電阻器芯片設計硅晶圓半導體二極管 838

100%授權(quán)分立晶體管的必要性

分立晶體管是電子設計中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應用,從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。

2023-08-16 標簽:MOSFETIGBT晶體管GaN碳化硅 605

車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢

當前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢,碳化硅材料七成以上來自美國公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)方面占據(jù)領先優(yōu)勢。

2023-08-15 標簽:IGBT分立器件功率模塊碳化硅 823

首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線

2023年8月1日,九峰山實驗室6寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。

2023-08-11 標簽:MOSFET晶圓SiC碳化硅 800

埃賽力達科技推出新型TPG3AD1S09 905 nm脈沖激...

這款第三代高性能三腔225 μm SMD脈沖激光二極管具有120 W的高輸出功率,適用于遠距離測距,并為中短程系統(tǒng)提供優(yōu)異的功效。這些改進后的設計可提供出色的穩(wěn)定性、光束質(zhì)量和可靠性,可滿足要求最嚴苛的智能家居、智慧城市和智能工廠應用。

2023-08-10 標簽:傳感器二極管激光二極管 821

功率器件的材料演進之路 氧化鎵商業(yè)化愈發(fā)臨近

如今,我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中,功率轉(zhuǎn)換起著至關重要的作用。

2023-08-09 標簽:探測器功率半導體碳化硅GaN技術量子傳感器 946

三菱電機入局氧化鎵,加速氧化鎵功率器件走向商用

三菱電機公司近日宣布,它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司,氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導體,以支持全球脫碳。

2023-08-08 標簽:MOS管肖特基二極管碳化硅PFC電源氧化鎵 1078

SiC MOSFET器件技術現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。

2023-08-08 標簽:二極管MOSFET光電半導體電機控制器SiC MOSFET 1795

致瞻科技牽手韓企,聚焦SiC功率模塊!

8月3日,致瞻科技與韓國知名企業(yè)INTECH FA舉行了戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署儀式,雙方就加深合作達成一致,共同致力于將碳化硅功率模塊,新能源車電驅(qū)和新型高功率密度電源模塊等行業(yè)領先的產(chǎn)品推向韓國、日本、東南亞、以及北美市場。

2023-08-08 標簽:新能源汽車機器人電源模塊SiC電驅(qū)系統(tǒng) 970

光伏繼續(xù)高歌猛進 碳化硅開啟廣泛合作 光伏為何擁抱SiC?

今年上半年,光伏需求繼續(xù)飆升,中國新增光伏裝機增長153%,逆變器廠商也賺得“盆滿缽滿”,陽光電源、德業(yè)股份等7家企業(yè)營收同比增長超140%。

2023-08-08 標簽:SiC光伏逆變器功率半導體光伏發(fā)電系統(tǒng)MPPT技術 1928

全球SiC晶圓競爭,進入白熱化

隨著英飛凌和 Wolfspeed 爭奪全球最大碳化硅晶圓廠的稱號,全球芯片制造商正在快速采取行動,確保碳化硅功率器件的供應。O

2023-08-07 標簽:英飛凌晶圓SiC功率半導體碳化硅 862

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