模擬技術(shù)
安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（S...
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 標(biāo)簽：安森美DC-DC轉(zhuǎn)換器碳化硅 902
重磅！國(guó)產(chǎn)SiC襯底激光剝離實(shí)現(xiàn)新突破
最近，泰科天潤(rùn)董事長(zhǎng)陳彤表示，國(guó)內(nèi)SiC單項(xiàng)目突破100萬(wàn)片的關(guān)鍵在于成本，即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。
意法半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間提高消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用的能效
2023年5月20日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關(guān)管準(zhǔn)諧振 (QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。
2023-05-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源控制器功率轉(zhuǎn)換器脈寬調(diào)制 847
未來的晶體管會(huì)是什么樣？
在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上，英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展，最有趣的是英特爾將在未來采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 標(biāo)簽：晶體管FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管PMOS管 1001
如何突破功率半導(dǎo)體器件性能天花板?
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；800V時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間。
2023-05-18 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 736
什么是氮化鎵半導(dǎo)體？GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)？
GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率，在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號(hào)，使其成為 5G 基站和其他通信基礎(chǔ)設(shè)施的理想選擇。
2023-05-15 標(biāo)簽：氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 1005
e絡(luò)盟開售Analog Devices多通道系統(tǒng)時(shí)鐘器件
AD-SYNCHRONA14-EBZ專為經(jīng)過培訓(xùn)的專業(yè)人員在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中使用，而不能作為最終產(chǎn)品進(jìn)行商用。它既可以作為一個(gè)完整的參考設(shè)計(jì)，也可根據(jù)需要自定義設(shè)計(jì)，用于各種最終客戶應(yīng)用中。用戶還可以免費(fèi)獲取完整的設(shè)計(jì)詳細(xì)信息。
賽米控丹佛斯推出基于羅姆的1200V IGBT的功率模塊
隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度，相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模急劇擴(kuò)大，幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
基于大面積薄膜晶體管開關(guān)陣列的有源數(shù)字微流控平臺(tái)
近些年來，基于單細(xì)胞的基因組、轉(zhuǎn)錄組和蛋白質(zhì)組學(xué)的研究已經(jīng)被證明有利于促進(jìn)單細(xì)胞多組學(xué)研究的發(fā)展，同時(shí)也帶動(dòng)了更多前沿的單細(xì)胞多組學(xué)研究方法的出現(xiàn)。
納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì)，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡盛大召開，會(huì)上將展開超400篇國(guó)際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流，并安排了技術(shù)及應(yīng)用為重點(diǎn)的綜合會(huì)議。
2023-05-08 標(biāo)簽：SiCGaN納微半導(dǎo)體 628
通富微電子連續(xù)第三年榮獲德州儀器卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)
近日，通富微電子股份有限公司憑借優(yōu)質(zhì)的成本控制，先進(jìn)的技術(shù)管理能力，以及快速響應(yīng)和優(yōu)質(zhì)交付等方面的優(yōu)異表現(xiàn)連續(xù)第三年榮獲德州儀器 （以下簡(jiǎn)稱"TI" ) 卓越供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)。 ? ? ? ?每天有將近2千萬(wàn)顆大小不一的模擬IC在通富完成組裝和測(cè)試，最后銷往世界各地，他們?nèi)ハ蛭覀兩磉叺碾娮赢a(chǎn)品，汽車，工業(yè)自動(dòng)化，以及云端存儲(chǔ)等等。TI 外部制造副總裁Robert Furtaw 表示“為了獲得這一榮譽(yù)，TFME團(tuán)隊(duì)展現(xiàn)了對(duì)最高水平的道德行為的承諾，制造的關(guān)
納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片納微半導(dǎo)體 1012
串行輸入、12位電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器DAC8512概述
DAC8512的編碼方式為標(biāo)準(zhǔn)二進(jìn)制，MSB先加載。輸出運(yùn)算放大器的擺幅可以達(dá)到任一供電軌，設(shè)置為0 V至+4.095 V范圍，分辨率為每位1 mV。
2023-04-25 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器dac移位寄存器數(shù)模轉(zhuǎn)換器 2311
為何電動(dòng)汽車公司對(duì)碳化硅芯片情有獨(dú)鐘？
碳化硅芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)的硅材料更高的導(dǎo)電性和更強(qiáng)的熱穩(wěn)定性。這種材料可以承受高溫、高電壓和高頻率等極端環(huán)境，因此在電動(dòng)汽車的控制系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用前景。
2023-04-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車特斯拉驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)碳化硅 763
中微半導(dǎo)發(fā)布首款多通道、雙AD高精度SoC CMS8H121...
CMS8H1215是中微半導(dǎo)模擬系列首款多通道、雙AD的高精度SoC，也是國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中的首款，具有獨(dú)特的差異化優(yōu)勢(shì)，可基于單芯片產(chǎn)品級(jí)解決方案，大幅降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度及系統(tǒng)成本。
2023-04-21 標(biāo)簽：adc模擬技術(shù)中微半導(dǎo)體 1156
意法半導(dǎo)體的TSU111H 5V車規(guī)運(yùn)算放大器介紹
意法半導(dǎo)體的TSU111H 5V車規(guī)運(yùn)算放大器具有微電流消耗和最高150°C的工作溫度，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)器件兼具多種特性。
2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車運(yùn)算放大器意法半導(dǎo)體 922
特斯拉的碳化硅計(jì)劃
碳化硅(Silicon carbide，簡(jiǎn)稱SiC)是一種化合物半導(dǎo)體，多年來一直受到電子行業(yè)的關(guān)注。SiC憑借其獨(dú)特的物理和電氣性能，有可能實(shí)現(xiàn)更高效、更緊湊的電子設(shè)備。
2023-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC模擬器碳化硅 650
Diodes推出工業(yè)級(jí)碳化硅DMWS120H100SM4 N
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
淺析下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1030
1 GSPS直接數(shù)字頻率合成器AD9858概述
AD9858是一款直接數(shù)字頻率合成器(DDS)，內(nèi)置一個(gè)10位DAC，工作速度最高達(dá)1 GSPS。該器件采用先進(jìn)的DDS技術(shù)，內(nèi)置一個(gè)高速、高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換器，構(gòu)成數(shù)字可編程的完整高頻合成器。
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