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電子發(fā)燒友網(wǎng) > 模擬技術(shù) > 業(yè)界新聞

各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局分析

本文將詳細(xì)介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局,以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等,探討車企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因,助力車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。

2023-11-02 標(biāo)簽:電動汽車新能源汽車IGBTSiC功率模塊 1675

揭秘寬禁帶器件檢測要點?

雖然氮化鎵的HEMT器件相對碳化硅來說起步晚了點,但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢頭非常迅猛,所以對于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說,評測氮化鎵器件的緊迫性也是非常強烈的。

2023-11-02 標(biāo)簽:芯片設(shè)計功率器件氮化鎵晶圓制造第三代半導(dǎo)體 615

MOSFET功率器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi);SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi);SJ MOS:超結(jié)MOS,主要在高壓領(lǐng)域 600-800V。

2023-10-31 標(biāo)簽:模擬電路MOSFET放大電路場效晶體管type-c 1354

國內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點

在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。

2023-10-27 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3944

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

從去年至今,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來越成熟。

2023-10-25 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 826

碳化硅芯片國際發(fā)展的現(xiàn)狀與總體趨勢

現(xiàn)有車用控制器普遍采用硅芯片,經(jīng)過20多年的技術(shù)開發(fā)已經(jīng)十分成熟,在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料因具有高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、對光波透明等優(yōu)良性質(zhì),吸引各國學(xué)者的注意力,目前已成為電力電子器件的新寵。

2023-10-24 標(biāo)簽:新能源汽車電機控制器SiC充電樁 1034

Nexperia擴展超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品

靜電放電(ESD)二極管通過耗散靜電放電的高能量來保護(hù)關(guān)鍵電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)。這可以保護(hù)重要的SOC(系統(tǒng)芯片)和其他器件在ESD事件期間免遭損壞。

2023-10-11 標(biāo)簽:二極管ESD數(shù)據(jù)接口半導(dǎo)體器件Nexperia 821

安建科技推出基于七層光罩工藝的12英寸第七代IGBT芯片

近期,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)記者從安建科技官微獲悉,安建科技將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國內(nèi)頂級12-inch IGBT加工平臺,也是國內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產(chǎn)廠家。此項技術(shù)突破表征了安建在國內(nèi)IGBT芯片及加工工藝設(shè)計方面的雙重技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

2023-10-08 標(biāo)簽:晶圓變頻器igbt芯片 1504

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺概述

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿,更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。

2023-10-08 標(biāo)簽:嵌入式晶體管氮化鎵功率半導(dǎo)體GaN Systems 1234

一種通過低溫方法制造的柔性硫化鉛膠體量子點光電二極管陣列

將來自多光譜圖像的信息組合成融合圖像,不僅可以提供豐富的信息,而且有助于人類或機器感知。

2023-10-08 標(biāo)簽:探測器光電二極管光電探測器 825

博世800V逆變器采用碳化硅半導(dǎo)體 可提升逆變器99%的效率

博世提供涵蓋從半導(dǎo)體到e-Axles電橋系統(tǒng)的產(chǎn)品。從乘用車到卡車,博世可以提供其混動車型和電動車型的全棧產(chǎn)品。

2023-09-28 標(biāo)簽:逆變器電機功率模塊碳化硅博世 1340

如何將化鎵器件耐壓提升到更高水平

PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù),在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計環(huán)節(jié)的各個方面,從外延生長到晶圓廠的晶圓制造,再到可靠性測試、器件本身的設(shè)計以及生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制,一直到性能和可靠性的系統(tǒng)級驗證。在產(chǎn)品認(rèn)證期間,將會進(jìn)行非常嚴(yán)苛的可靠性測試,并執(zhí)行一些JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的測試。

2023-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管氮化鎵電池系統(tǒng) 698

江蘇長晶發(fā)布FST2.0高性能IGBT系列產(chǎn)品

江蘇長晶科技股份有限公司是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的企業(yè)。

2023-09-27 標(biāo)簽:電磁兼容功率器件igbt芯片 696

CBB電容存放過久會有什么影響?

影響最大的就是電容器的引線,CBB電容一般有兩根金屬引線,使用的多是CP線(鍍錫銅包鋼線),或者是CU線(鍍錫銅線),金屬存過過久會出現(xiàn)氧化的現(xiàn)象,這樣電容器在焊接的時候,可能會存在虛焊的情況。

2023-09-19 標(biāo)簽:電容器電容電解電容薄膜電容CBB電容 3036

意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效

2023 年 9 月 11 日,中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。

2023-09-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管諧振轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管 761

屢創(chuàng)佳績|晶華微榮膺模擬半導(dǎo)體飛躍成就獎— —模擬半導(dǎo)體優(yōu)秀...

2023年9月14日,由電子發(fā)燒友主辦的第五屆模擬半導(dǎo)體大會暨模擬半導(dǎo)體飛躍成就獎頒獎典禮在深圳隆重舉行。 杭州晶華微電子股份有限公司(股票代碼:688130) 作為中國模擬半導(dǎo)體行業(yè)不斷拓展踐行的先鋒者之一,受邀參加了本屆大會并榮獲“模擬半導(dǎo)體優(yōu)秀企業(yè)獎”。 本次會議以 “浣紗淘金·模擬論芯” 為主題,匯聚了眾多業(yè)界優(yōu)秀企業(yè)代表及專業(yè)嘉賓,進(jìn)行技術(shù)探討和產(chǎn)品分享。同期,第五屆模擬半導(dǎo)體飛躍成就獎頒獎典禮也順利舉行。 頒獎典

2023-09-15 標(biāo)簽:模擬半導(dǎo)體 720

高效晶體管如何推動組串式光伏逆變器發(fā)展

歐盟提出力爭在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說,要在7年時間內(nèi)實現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢,全世界都在探索如何利用可再生能源來滿足能源需求,同時降低碳排放。就可再生能源和儲能系統(tǒng)而言,有許多幕后功臣在為生產(chǎn)可再生能源默默付出。

2023-09-15 標(biāo)簽:逆變器IGBT晶體管太陽能光伏碳化硅 567

積極發(fā)力工業(yè)汽車領(lǐng)域,新能源成國產(chǎn)模擬芯片廠商崛起賽道

“浣沙淘金,模擬論芯”,2023年9月14日,由全球知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網(wǎng)主辦的2023第五屆模擬半導(dǎo)體大會在中國深圳成功舉辦。本次會議邀請到來自思瑞浦、杰華特微電子、智芯微、泰克科技、凹凸科技、納芯微、珠海智融、芯??萍肌⒚P?、潤石科技等行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體企業(yè)專家,分享各自在模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展以及市場動向,共同推動模擬半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步。 ? 納芯微:中國模擬芯片公司在汽車和工業(yè)新能源領(lǐng)域的崛起

2023-09-15 標(biāo)簽:模擬芯片 2605

2023第五屆中國模擬半導(dǎo)體大會成功舉辦!行業(yè)專家共聚一堂,...

“浣沙淘金,模擬論芯”,2023年9月14日,由全球知名電子科技媒體電子發(fā)燒友網(wǎng)主辦的2023第五屆模擬半導(dǎo)體大會在中國深圳成功舉辦。本次會議邀請到來自思瑞浦、杰華特微電子、智芯微、泰克科技、凹凸科技、納芯微、珠海智融、芯??萍肌⒚P?、潤石科技等行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)專家,分享各自在模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展以及市場動向,共同推動模擬半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步。 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)總經(jīng)理張迎輝在開幕致辭中表示,從201

2023-09-15 標(biāo)簽:模擬半導(dǎo)體 1576

MOFEST市場是否會被氮化鎵取代?

與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的成本。

2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵GaN 689

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