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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H

引言 ? 過去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。 ? 英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長(zhǎng)期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。 ? 經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化,現(xiàn)在,全新推出的CoolSiC? MOSFET M1H在VGS(th)穩(wěn)定性方面有了顯著改善,幾乎所有情況下的漂移效應(yīng)影響,都可以忽略不計(jì)。 ? 現(xiàn)象描述 ? VGS(th)漂移現(xiàn)象通常是通過高溫柵極偏置應(yīng)力測(cè)試(DC-HTG

2024-01-22 關(guān)鍵字: MOSFET

專家訪談動(dòng)力電池降價(jià)相關(guān)

動(dòng)力電池價(jià)格下降主要原因?yàn)樵牧舷陆导皠?dòng)力電池工藝改進(jìn)帶來的成本下降。

2024-01-22 關(guān)鍵字: 動(dòng)力電池磷酸鐵鋰超級(jí)快充

石墨烯改性橡膠復(fù)合材料的研究進(jìn)展

當(dāng)前隨著納米材料的不斷開發(fā)和應(yīng)用,石墨烯也作為高性能納米填充材料被加入到橡膠基體中,和炭黑、白炭黑等傳統(tǒng)填充材料相比,石墨烯具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能,能在填充量較低的情況下實(shí)現(xiàn)材料性能大幅提升。

2024-01-22 關(guān)鍵字: 石墨烯

全固態(tài)電池會(huì)顛覆鋰離子電池嗎?

由于傳統(tǒng)液態(tài)電池的成本快速下降,目前全固態(tài)電池在提高安全性方面有優(yōu)勢(shì)。從全固態(tài)電池的路線來看,需要在產(chǎn)業(yè)鏈層面進(jìn)行大量的投資,是需要花費(fèi)大量的人力、物力和精力。這對(duì)于目前液態(tài)電池降低到0.3-0.4元/Wh的狀態(tài)來說,投入產(chǎn)出比不高。

今日看點(diǎn)丨美國(guó)發(fā)布采購(gòu)禁令,寧德時(shí)代、比亞迪等6家中國(guó)電池企...

1. 消息稱華為 P70 系列手機(jī)有望 3 月發(fā)布,目前進(jìn)度很快 ? 此前有消息稱華為 P70 系列預(yù)計(jì)今年上半年發(fā)布,而最新消息顯示這一時(shí)間有望提前到 3 月。博主 @智慧皮卡丘爆料稱,“華為 P70 系列這次用的 IMX989 打磨得非常成熟,因?yàn)檫@個(gè)傳感器很早之前就拿到了,不論光圈還是對(duì)焦成像比之前的都更優(yōu)秀。目前進(jìn)度很快,有可能 3 月就來。另外,下半年的準(zhǔn) 2k 屏也在計(jì)劃測(cè)試了?!?? 值得一提的是,此前博主 @數(shù)碼閑聊站 曾透露華為 P70 系列采用豪威

2024-01-22 關(guān)鍵字: 比亞迪華為寧德時(shí)代

ICDIA 2024官宣! 9月我們相聚無(wú)錫

? 各大研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在2023年到達(dá)周期性低點(diǎn)后,今年將整體出現(xiàn)復(fù)蘇的趨勢(shì)。Gartner預(yù)計(jì),2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入將達(dá)到6240億美元,同比增長(zhǎng)16.8%。被譽(yù)為半導(dǎo)體行業(yè)“晴雨表”的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在去年四季度率先出現(xiàn)漲價(jià)等情況,一直延續(xù)到今年,預(yù)計(jì)會(huì)反彈66.3%。 ? 這背后的推動(dòng)力是以ChatGPT為首的生成式人工智能(AIGC)所引爆的新一輪AI浪潮。數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、云計(jì)算、大算力芯片、大模型等領(lǐng)域高科技企業(yè)迅速跟進(jìn),形成了新的全球

2024-01-19 關(guān)鍵字: ICDIA

思爾合作,芯路共贏:20年國(guó)產(chǎn)EDA的創(chuàng)新與驅(qū)動(dòng)

1月18日,一場(chǎng)以“ 思爾合作,芯路共贏 ”為主題的 EDA生態(tài)協(xié)作發(fā)展論壇暨思爾芯20周年成果展 在上海豫園隆重舉行。此次論壇受到了眾多業(yè)內(nèi)重要人士的響應(yīng)與參與,包括協(xié)會(huì)領(lǐng)導(dǎo)、高校領(lǐng)導(dǎo)、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)客戶和生態(tài)合作伙伴等,也受到各政府部門的關(guān)注。深入探討了在構(gòu)建EDA生態(tài)過程中遇到的挑戰(zhàn)與取得的成果,以及如何通過加強(qiáng)合作、推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新,來促進(jìn)整個(gè)行業(yè)的整體發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)共創(chuàng)共贏。 ? 思·初心:成長(zhǎng)、標(biāo)簽與藍(lán)圖 ? 在慶祝思爾芯

2024-01-19 關(guān)鍵字: 芯片設(shè)計(jì)IPeda思爾芯

充電樁可以加裝一個(gè)插座嗎?

私接插座會(huì)導(dǎo)致線路絕緣等級(jí)下降,在缺少專業(yè)人員檢查及維護(hù)情況下,存在漏電風(fēng)險(xiǎn),影響漏電保護(hù)器快速斷電,嚴(yán)重威脅人身安全。

2024-01-19 關(guān)鍵字: 新能源汽車漏電保護(hù)器充電樁

瑞薩宣布收購(gòu)Transphorm,雙方已達(dá)成最終協(xié)議

此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元(約合人民幣24.27億元)。此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN(功率半導(dǎo)體的下一代關(guān)鍵材料)的內(nèi)部技術(shù)。

2024-01-19 關(guān)鍵字: 瑞薩GaNTransphorm

碳化硅IDM巨頭實(shí)現(xiàn)突破,年產(chǎn)能24萬(wàn)片!

業(yè)內(nèi)周知,功率SiC IDM 仍是其主流商業(yè)模式,而6英寸是龍頭廠商的主流SiC晶圓尺寸。在供不用求的刺激下,行業(yè)內(nèi)已有多家公司基于這一成熟平臺(tái)有多種產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。

2024-01-19 關(guān)鍵字: MOSFET功率器件IDM碳化硅功率芯片

市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝有何需求?

針對(duì)RTX 4090在中國(guó)大陸銷售受限問題,英偉達(dá)開發(fā)出了RTX 4090 D顯卡,通過降低部份規(guī)格,以符合美國(guó)出口管制要求。據(jù)悉,RTX 4090 D滿足綜合運(yùn)算性能(TPP)4800限制,RTX 4090的TPP是5286。

2024-01-19 關(guān)鍵字: 英特爾cpugpu人工智能HPC

三巨頭掀起晶體管未來10年大革命

IMEC預(yù)計(jì),到2032年,工藝節(jié)點(diǎn)縮小的速度將會(huì)放緩,迫使人們更加依賴小芯片和先進(jìn)封裝的混合搭配使用,以及那些不斷縮小尺寸的高性能邏輯組件。

今日看點(diǎn)丨華為 HarmonyOS NEXT 鴻蒙星河版第四...

今日看點(diǎn)丨華為 HarmonyOS NEXT 鴻蒙星河版第四季度商用;博世計(jì)劃2026年底前裁員1200人...

2024-01-19 關(guān)鍵字: 華為博世鴻蒙HarmonyOS

比亞迪斬獲百億大單:再創(chuàng)行業(yè)新紀(jì)錄

比亞迪魔方儲(chǔ)能系統(tǒng)搭載刀片電池,采用CTS技術(shù),可降低約36%的零部件數(shù)量,提升約98%的空間利用率,加大約30%的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,適用于工商業(yè)儲(chǔ)能、電站級(jí)儲(chǔ)能等應(yīng)用場(chǎng)景。

SK On計(jì)劃大規(guī)模生產(chǎn)磷酸鐵鋰電池

這是繼SK On官宣進(jìn)軍磷酸鐵鋰電池后,首次透露LFP電池戰(zhàn)略和量產(chǎn)時(shí)間的詳細(xì)信息。

AMD Zen5處理器,2024年正式發(fā)布

根據(jù)最新曝料,代號(hào)Granite Ridge的下一代Zen5處理器已經(jīng)投入大規(guī)模量產(chǎn),按照規(guī)則將命名為銳龍8000系列。

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲

消息人士指出,NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間,屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價(jià)格將 "暴漲"。

2024-01-19 關(guān)鍵字: NANDSSD固態(tài)硬盤3d nand

英特爾重返龍頭,英偉達(dá)首次躋身前五

由于全球存儲(chǔ)芯片需求銳減,拖累了2023年全球半導(dǎo)體營(yíng)收萎縮11%至5330億美元。其中,2023年全球存儲(chǔ)芯片營(yíng)收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至484億美元,NAND Flash暴跌37.5%至362億美元。

2024-01-19 關(guān)鍵字: 英特爾DRAMNand flash英偉達(dá)三星

半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇趨勢(shì)會(huì)在什么時(shí)候?

在本文中,我們將Mos Memory分為DRAM和NAND閃存,并嘗試從各公司的價(jià)格趨勢(shì)和銷售(份額)趨勢(shì)來預(yù)測(cè)全球市場(chǎng)何時(shí)完全復(fù)蘇。在這個(gè)過程中,筆者想表明在存儲(chǔ)器制造商之間,可以看到明顯的盛衰。

2024-01-19 關(guān)鍵字: DRAMNAND三星電子存儲(chǔ)器HBM

德賽西威的毫米波雷達(dá)技術(shù)產(chǎn)品線

研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比例超過10%,擁有80多名碩博人員和300多名雷達(dá)研發(fā)人員,解決毫米波雷達(dá)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題,涵蓋了算法設(shè)計(jì)、硬件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)方案及平臺(tái)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面。

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電池測(cè)試、電化學(xué)阻抗譜和半導(dǎo)體測(cè)試等測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用需要準(zhǔn)確的電流和電壓輸出直流電源。在環(huán)境溫度變化為±5°C時(shí),設(shè)備的電流和電壓控制精度需要...

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