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佰維存儲自研測試系統(tǒng)+Advantest高端設(shè)備引入，進(jìn)一步夯實(shí)自身先進(jìn)封測能力布局...

存儲芯片因供需失衡，今年以來價格延續(xù)下跌趨勢且久未見底。而近日三星、海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示，存儲芯片業(yè)務(wù)大幅下滑，使得不同調(diào)研機(jī)構(gòu)對行業(yè)給予悲觀預(yù)期。

許多由氮化鎵（也稱為GaN）制成的的東西正在電力電子領(lǐng)域發(fā)生變化。今天，您可以購買帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時為您的筆記本電腦、手機(jī)和平板電腦供電，即使它們并不比我們的小工具多年來隨附的功率低得多的版本大很多。

GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無線充電件、電源開關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料將在中低功率取代硅基功率器件，在300V~600V電壓間發(fā)揮優(yōu)勢作用。

這家美國制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆變器提供了 4 kW/kg 的功率密度。

網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商面臨巨大的壓力，確保路由器、交換機(jī)和全球網(wǎng)絡(luò)的其他關(guān)鍵部件能夠繼續(xù)領(lǐng)先于容量曲線的變化。這是通過使用更多的連接來增加網(wǎng)絡(luò)規(guī)模以及增加每個連接的帶寬來實(shí)現(xiàn)的。

絕緣閘雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益于新能源與碳中和發(fā)展趨勢，2021~2027年市場規(guī)模將以復(fù)合年均成長率(CAGR) 7%成長至93.8億美元。

供需決定關(guān)系，這是IC設(shè)計(jì)公司陷入被動的根本原因。

無線充電集成電路 (IC) 市場預(yù)計(jì)將從 2020 年的 19 億美元增長到 2026 年的 49 億美元，在預(yù)測期內(nèi)以 17.1% 的健康復(fù)合年增長率增長。

處理器的全部意義在于運(yùn)行某種形式的軟件。盡管 ISA 和軟件開發(fā)人員相隔數(shù)層，但 ISA 對芯片來說是如此基礎(chǔ)，以至于 ISA 中的更改會產(chǎn)生真正的軟件問題。

貿(mào)澤電子新品推薦：2022年第四季度推出超過12000個新物料...

運(yùn)輸一臺光刻機(jī)，需要使用40多個恒溫恒濕專用箱、專業(yè)防震氣墊車來運(yùn)輸，以及4架次的波音747貨機(jī)。

砍單、減產(chǎn)、價格暴跌在2023年繼續(xù)影響著存儲芯片行業(yè)，被視為“存儲一哥”的三星電子也難逃“收縮”的命運(yùn)。

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及產(chǎn)業(yè)影響力三大維度，綜合進(jìn)行報(bào)名征集、問卷調(diào)研、行業(yè)專家走訪及數(shù)據(jù)分析等流程，綜合評選出100家年度最具創(chuàng)新力和成長力的創(chuàng)新科技企業(yè)。 本次入選榜單，再次表明了資本市場對瞻芯電子的關(guān)注與認(rèn)可。 關(guān)于榜單 投中信息連續(xù)三年發(fā)布“銳公司100榜單”，重點(diǎn)關(guān)注包括云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)

主題：元件強(qiáng)基 創(chuàng)新發(fā)展 時間：2023.4.7-9 地點(diǎn)：深圳會展中心 主辦單位：中國電子器材有限公司 承辦單位：中電會展與信息傳播有限公司 ? 中國電子展簡介： 中國電子展起始于1964年，是中國歷史最悠久、最權(quán)威的電子信息行業(yè)展會。中國電子展以領(lǐng)先的基礎(chǔ)電子技術(shù)，促進(jìn)中國電子產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新；搭建產(chǎn)業(yè)供需和技術(shù)交流平臺，極大推動了行業(yè)發(fā)展，見證中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展壯大的成長的過程。 ? 電子元器件產(chǎn)業(yè)作為電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，近年來

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

在半導(dǎo)體工藝發(fā)展到16nm/7nm之后，傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證形態(tài)已無法滿足客戶的實(shí)際設(shè)計(jì)需求，華大九天再次提出基于GPU-CPU異構(gòu)硬件系統(tǒng)開發(fā)新的SPICE算法。