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光刻膠

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光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

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光刻膠技術

探討三種超構器件表面的加工方法

超構表面是近年來出現(xiàn)一種新型的光學器件，也被稱為超構器件。

2024-03-19 標簽：半導體激光器光刻膠 2.5k 0

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 標簽：晶圓光刻膠 2.5k 0

材料幫助圖形成像以解決PPAC中的矛盾

為什么尺寸縮小并沒按應有的速度不斷進步呢？為什么高端硅成本依然如此昂貴？答案就在于芯片設計的復雜性——如今的芯片設計層數(shù)繁多，各層之間還必須無縫連接。

2020-08-13 標簽：半導體半導體產(chǎn)業(yè)半導體制造 2.4k 0

雙層膠工藝是什么

隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比，提高對比度，應該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了雙層光刻膠技術，這...

2024-10-21 標簽：芯片工藝光刻膠 2.3k 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 2.3k 0

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標簽：電容器 DRAM 光刻膠 2.2k 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕南通華林科納

最近在外延膜的導電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標簽：半導體襯底光刻膠 2.2k 0

利用彩色光刻膠的光學菲涅爾波帶片平面透鏡設計

光學操控技術已成為諸多應用領域中的有力工具，它的蓬勃發(fā)展也使得學界對光學器件小型化的需求日益增長。因此，以超表面和衍射光學元件為代表的平面透鏡技術由于其...

2025-02-06 標簽：光刻膠光學器件光學元件 2.2k 0

微型晶體管怎么做出來的

微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導體制造的基礎材料，通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...

2024-10-15 標簽：晶圓晶體管半導體制造 2.1k 0

微氣泡對光刻膠層的影響

關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除...

2022-01-10 標簽：半導體光刻晶片 2.1k 0

光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

在芯片制造領域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的...

2025-08-22 標簽：半導體光刻膠薄膜厚度 2.1k 0

碳化硅功率半導體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標簽：功率半導體光刻膠碳化硅 2.1k 0

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導體 DRAM 晶圓 2k 0

半導體晶圓的制造流程

在自然界中，獲取成本最低的半導體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

2024-04-16 標簽：光伏電池光刻膠晶圓制造 1.9k 0

光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的原因

光刻膠是一種有機化合物，它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化，而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。

2024-04-30 標簽：光刻膠 1.9k 0

如何減少太陽能電池入射光在電池器件中的反射

為了制備蜂窩狀紋理的絨面結(jié)構，研究人員利用了熱輔助紫外輥納米壓印光刻技術（TUV-Roller-NIL），基于TUV-Roller-NIL制造蜂窩紋理的...

2023-10-25 標簽：太陽能電池光譜光刻技術 1.9k 0

光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理南通華林科納分析

應用放射性示蹤技術研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標簽：納米材料納米襯底 1.9k 0

EUV光刻膠開發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)？

EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當受到EUV光子照射時會發(fā)生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減...

2023-09-11 標簽：顯示器 car 半導體制造 1.8k 0

7.5 μm像元間距紅外探測器三維電極的制備與應用案例

隨著各類小型化自動武器裝備在戰(zhàn)場上被高頻使用，并獲得了大量戰(zhàn)果，此類裝備的國防需求不斷增長。

2024-02-28 標簽：紅外探測器光刻膠 1.8k 0

一種半導體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制...

2022-04-13 標簽：半導體制造工藝光刻膠 1.8k 0

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