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標簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術。
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金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。
中央處理器（CPU）是一塊超大規(guī)模的集成電路，是一臺計算機的運算核心和控制核心。它的功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟件中的數(shù)據(jù)，這也是迄今為數(shù)不...
金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量...
之前的小講堂有介紹過，光刻過程就好比用照相機拍照，將掩模版上的芯片設計版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結(jié)構(gòu)。ASML光刻機的鏡片組使用極其精密的加...
該照明系統(tǒng)3包括視場復眼鏡31(field flyeye mirror，F(xiàn)FM)、光闌復眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PF...
2022-11-21 標簽：照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 1.8k 0
漸進式改進與性能的巨大飛躍相結(jié)合，雖然這些改進將計算和分析能力提升到全新水平，但也需要全新的權(quán)衡考慮。這些變革的核心在于高度定制的芯片架構(gòu)，芯片是在最先...
中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設...
單片設計每個晶圓有 30 個好的die，而小芯片 MCM 設計每個晶圓有 79 個好的die。假設所有有缺陷的die都必須扔進垃圾桶。如果沒有芯片良率收...
在基材上涂上光刻膠。這是一種具有很高的吞吐量和潛力同質(zhì)性。旋涂的原理是典型地，幾毫升光刻膠被分配到以1000轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)的基板(通常4000 r...
光刻與光刻機 ?對準和曝光在光刻機(Lithography Tool)內(nèi)進行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(Track)上進行。 光刻機結(jié)...
2023-12-19 標簽：控制系統(tǒng)IC設計測量系統(tǒng) 1.6k 0
一文讀懂高精度衍射光學分束器的光刻制備、工藝優(yōu)化與表征分析
衍射光學分束器的性能表現(xiàn)，既依賴于優(yōu)化的仿真設計方案，也深受材料選擇與加工工藝的影響。當前相關研究多聚焦于通過理論仿真和設計優(yōu)化追求高性能，而針對加工誤...
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電...
集成光信號分配、處理和傳感網(wǎng)絡需要小型化基本光學元件，如波導、分光器、光柵和光開關。為了實現(xiàn)這一目標，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。
光阻去除（即去膠工藝）屬于半導體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術流程中不可或缺的關鍵步驟。以下是其在整個制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...
再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...
功率墻：將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來越具有挑戰(zhàn)性，因此我們必須開發(fā)改進的功率傳輸和冷卻概念。
華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關設備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各...
短波長透明光學元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...
化學提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層，應用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
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