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光刻

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光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開(kāi)孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)

詳解無(wú)臭氧抗蝕劑剝離工藝

近年來(lái)，光掩?？刮g劑剝離和清潔技術(shù)的發(fā)展主要是由于行業(yè)需要通過(guò)從這些過(guò)程中消除硫酸和氫氧化銨來(lái)防止表面霧霾的形成。因此，傳統(tǒng)的 SPM (H2SO4 +...

2022-03-30 標(biāo)簽：工藝參數(shù)光刻 1.2k 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬(wàn)億...

2025-05-25 標(biāo)簽：芯片 ADI 數(shù)據(jù)采集 1.2k 0

用于3D封裝的穿硅通過(guò)最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過(guò)檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計(jì)量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來(lái)仔細(xì)檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻 TSV 1.1k 0

面向光刻的設(shè)計(jì)規(guī)則建立及優(yōu)化

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-14 標(biāo)簽：集成電路光刻微電子 994 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來(lái)，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻 EUV 光刻膠 970 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 942 0

一文詳解多重曝光技術(shù)

有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過(guò)合適方向的二極照明來(lái)增強(qiáng)密集線空?qǐng)D形的成像性能，但是，不同方向的線空?qǐng)D形需要不同方向的二極...

2026-02-03 標(biāo)簽：照明光學(xué)光刻 581 0

PSM相移掩模技術(shù)的工作原理和主要類型

在光學(xué)光刻中，隨著特征尺寸不斷接近曝光波長(zhǎng)，傳統(tǒng)二元掩模因光的衍射效應(yīng)導(dǎo)致圖像邊緣模糊、對(duì)比度下降，難以形成清晰圖形。相移掩模（Phase Shift ...

2026-05-06 標(biāo)簽：光學(xué)光刻 PSM 553 0

從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

通過(guò)觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對(duì)光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

2026-01-28 標(biāo)簽：光刻模型掩模 496 0

高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)

在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過(guò)程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾個(gè)重要的偏振效應(yīng)。本節(jié)將概述照明必須考慮的相關(guān)偏振效...

2026-03-19 標(biāo)簽：光刻偏振模型 474 0

光刻技術(shù)中的晶圓形貌效應(yīng)詳解

第一次對(duì)非平面襯底上的光刻曝光的詳細(xì)研究出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代后期,Matsuzawa等人72]采用有限元方法來(lái)描述硅襯底上高臺(tái)階的光散射,他們證明了散...

2026-03-24 標(biāo)簽：晶圓光刻散射 200 0

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