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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評(píng)估：功率循環(huán)測(cè)試研究

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及...

2024-12-06 標(biāo)簽：測(cè)試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.9k 0

RIGOL IGBT雙脈沖測(cè)試應(yīng)用案例介紹

功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性，實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類(lèi)較多，根據(jù)可控性...

2024-11-24 標(biāo)簽：電流電壓雙極晶體管 2.2k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2024-11-19 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.7k 0

一文詳解SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 3.4k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-11-12 標(biāo)簽：芯片功率器件功率半導(dǎo)體 2.4k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 3k 0

被動(dòng)元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?

在電路中使用三種類(lèi)型的被動(dòng)元件：電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí)，其行為變化較小。其他元件被稱(chēng)為有源元件，對(duì)電壓和電流的...

2024-10-30 標(biāo)簽：電容器電阻器電感器 2.3k 0

IGB基本知識(shí)匯總

本文對(duì)IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果，首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素，如芯片、單管及模塊等方面的知識(shí)。接下來(lái)將共同關(guān)注的是IGBT...

2024-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)IGBT 電機(jī)控制器 2.4k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

2024-10-22 標(biāo)簽：熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2.7k 0

功率半導(dǎo)體封裝的趨勢(shì)分析

隨著電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)顯著增長(zhǎng)，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...

2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.6k 0

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)

在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識(shí)。

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 MOS管 2.9k 0

功率半導(dǎo)體模塊的功率循環(huán)

針對(duì)應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng)，當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。

2024-09-27 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 Littelfuse 1.6k 0

功率半導(dǎo)體讓生活更美好

2024-09-20 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)電力電子功率半導(dǎo)體 1.2k 0

功率半導(dǎo)體設(shè)備供電解決方案

隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國(guó)家重要會(huì)議提出，到 2035 年要實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)。從半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代角度而言，目...

2024-09-12 標(biāo)簽：電源測(cè)試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1.5k 0

功率半導(dǎo)體器件測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體器件是各類(lèi)電子產(chǎn)品線(xiàn)路中不可或缺的重要組件。近年來(lái)，我國(guó)功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過(guò)持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

2024-09-12 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 2k 0

IGBT熱管理解決方案

自20世紀(jì)80年代開(kāi)發(fā)以來(lái)，IGBT已成為風(fēng)能、太陽(yáng)能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 標(biāo)簽：IGBT 功率器件熱管理 1.7k 0

半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器的差異

半橋驅(qū)動(dòng)器和全橋驅(qū)動(dòng)器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見(jiàn)的電路驅(qū)動(dòng)器，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。

2024-08-28 標(biāo)簽：全橋驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 1.0萬(wàn) 0

半橋驅(qū)動(dòng)器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動(dòng)器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動(dòng)器，主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對(duì)半橋驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

2024-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動(dòng)器 8.8k 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 4.7k 0

一文搞懂掃描電鏡（SEM）技術(shù)解讀與大功率半導(dǎo)體模塊封裝解析

從本質(zhì)上講，SEM "觀察"樣品表面的方式可以比作一個(gè)人獨(dú)自在暗室中使用手電筒（窄光束）掃描墻上的物體。從墻的一側(cè)到另一側(cè)進(jìn)行掃描，...

2024-08-08 標(biāo)簽：封裝 SEM 功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線(xiàn)供電

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無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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