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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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啟方半導(dǎo)體適用于功率半導(dǎo)體應(yīng)用的0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)
韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高壓BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。
2022-02-28 標(biāo)簽:霍爾傳感器BCD功率半導(dǎo)體 2.6k 0
揚杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目盛大開工
2025 年5月9日上午,中共揚州市委副書記、秘書長焦慶標(biāo),邗江區(qū)委書記張新鋼,揚州市財政局局長楊蓉、副局長徐軍,揚州市邗江區(qū)副區(qū)長陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚杰...
2025-05-10 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體揚杰科技 2.6k 0
SK Siltron正在將其業(yè)務(wù)領(lǐng)域擴展到功率半導(dǎo)體晶圓
SiC晶圓由碳化硅制成,碳化硅是通過高溫加熱二氧化硅和碳制成的人造化合物。SiC晶圓用于功率半導(dǎo)體,因為它們具有高硬度,高耐壓和高耐熱性的特點。由于最近...
2021-03-05 標(biāo)簽:電動汽車晶圓功率半導(dǎo)體 2.6k 0
黑龍江首座晶圓廠啟動,北一半導(dǎo)體助力功率半導(dǎo)體Pre-IPO
北一半導(dǎo)體在深圳福田設(shè)立了3所實驗室,已獲中、韓、美等多國專利共計29項。其主營業(yè)務(wù)覆蓋各類功率半導(dǎo)體元器件,如IGBT、PIM、IPM等,廣泛應(yīng)用于焊...
2024-04-19 標(biāo)簽:新能源汽車工業(yè)機器人功率半導(dǎo)體 2.6k 0
意法半導(dǎo)體高壓MOSFET明星產(chǎn)品深度解析
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件,憑借高耐壓、低損耗、高速開關(guān)的核心優(yōu)勢,已成為工業(yè)電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)...
2025-12-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET意法半導(dǎo)體 2.6k 0
Nexperia公布2023年財務(wù)業(yè)績,總收入為21.5億美元
近日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布了2023年的財務(wù)業(yè)績,包括其關(guān)鍵汽車細分市場的強勁增長以及研發(fā)投資的增加。
2024-05-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 2.6k 0
全控器件:通過控制信號既能夠控制其導(dǎo)通,又能夠控制其關(guān)斷的功率半導(dǎo)體分立器件, 器件有絕緣柵雙極晶體管、功率場效應(yīng)晶體管、門極可關(guān)斷晶閘管等;
2023-02-07 標(biāo)簽:晶體管分立器件功率半導(dǎo)體 2.6k 0
東芝選擇退市,最直接的原因是想擺脫外部董事對公司經(jīng)營決策的干擾和控制,從外國資本手里徹底收回公司經(jīng)營決策權(quán)。此舉也是為了應(yīng)對當(dāng)年東芝面臨財務(wù)危機時被外資...
2024-01-14 標(biāo)簽:東芝存儲器功率半導(dǎo)體 2.5k 0
鑒于這種全球形勢,日本競爭對手有可能夾在處于領(lǐng)先地位的西方競爭對手和正在迅速追趕的中國競爭對手之間。經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省(METI)也正在采取行動,通過推出補貼政...
2023-10-17 標(biāo)簽:電動汽車英飛凌功率半導(dǎo)體 2.5k 0
碳化硅(SiC)器件在電力電子領(lǐng)域中因其高效、高溫和高頻特性而被廣泛應(yīng)用。尤其在電動汽車、光伏逆變器、高壓電源、工業(yè)電機驅(qū)動等對功率密度、轉(zhuǎn)換效率以及工...
2024-11-18 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體博世 2.5k 0
近日,南昌縣委書記、小藍經(jīng)開區(qū)管委會主任陳翔一行來到南昌尚榮科技城,參觀瑞能半導(dǎo)體南昌實驗中心,并指導(dǎo)工作。
2022-06-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體 2.5k 0
中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振 ,實現(xiàn)了從“進口替代”到“全球競爭”...
2025-03-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0
需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.7...
真茂佳推出數(shù)十款MOS,20W-120W快充產(chǎn)品都可用
通過柵極自鉗位專利技術(shù),使得器件使用過程中產(chǎn)生的VGS尖峰電壓實現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡(luò)專利技術(shù)可以使器件使用過程的Vds尖峰控制在較低水平。
2020-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體快充技術(shù)PD快充 2.5k 0
三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨家銷售渠道,...
榮湃半導(dǎo)體發(fā)布全新Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器,該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù),集成了多種保護功能,專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSF...
2024-03-12 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動器 2.5k 0
【本文是讀者投稿。6千字長文,規(guī)格嚴(yán)謹(jǐn)?!?1什么是芯片?什么是汽車芯片?芯片,通俗地說,就是一塊小硅片集成了許多微小的電子元件,如晶體管、電阻、電容等...
2024-12-31 標(biāo)簽:芯片mcu功率半導(dǎo)體 2.5k 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 2.5k 0
2015年1月13日,德國慕尼黑、美國加利福尼亞埃爾塞貢多 (El Segundo) 訊—— 英飛凌科技股份有限公司(法蘭克福證券交易所股票代碼:IFX...
2015-01-14 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體國際整流器 2.5k 0
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