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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出高度集成的、纖巧的集成式功率模塊μIPM-DIP系列,適用于低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包...
2014-06-04 標(biāo)簽:功率模塊功率半導(dǎo)體集成式功率模塊 2.5k 0
新一代功率半導(dǎo)體大熱,節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵
技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱(chēng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年,將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...
2014-02-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0
新一代功率半導(dǎo)體:多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...
2014-02-04 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0
國(guó)家政策支持,中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...
2014-01-21 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0
新一代功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈,亞洲企業(yè)紛紛涉足
與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...
2013-12-30 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0
鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用 飛兆強(qiáng)推SiC功率元件
為改善過(guò)去采用硅(Si)材料開(kāi)發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷,飛兆半導(dǎo)體(Fairchild)已改用碳化硅(SiC)材料量產(chǎn)雙極接面電...
2013-12-27 標(biāo)簽:飛兆SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0
英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體供應(yīng)商榜首
9月29日消息,據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告顯示,英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體分立器件...
2013-09-30 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體 1k 0
功率半導(dǎo)體觀(guān)察:SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代
“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下,該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大,2013年共...
2013-07-09 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0
日立重組功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售一體化
日立制作所2013年6月11日宣布,將于10月1日把旗下的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)交給子公司——日立原町電子工業(yè),構(gòu)建從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的一條龍?bào)w制。將通過(guò)公司...
2013-06-14 標(biāo)簽:日立功率半導(dǎo)體 1.6k 0
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)再度走低,2012比上年下降11.5%
日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠(chǎng)商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)...
2013-05-21 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體 1.1k 0
未來(lái)十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將以18%速度增長(zhǎng)
在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有...
2013-04-26 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2k 0
研究機(jī)構(gòu)表明:2013年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)7%
根據(jù)市調(diào)公司IC Insights的最新報(bào)告,受到全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)力道疲弱的影響,2012年全球分離式功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)價(jià)值為123億美元,較去年同期下滑8%...
2013-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1.6k 0
英飛凌首個(gè)CoolMOS家族芯片現(xiàn)已開(kāi)始面向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠(chǎng)的300毫米生產(chǎn)線(xiàn)走下來(lái)的英飛凌CoolMOS...
2013-02-25 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 2k 0
電動(dòng)汽車(chē)等新興領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場(chǎng)
據(jù)IMS Research數(shù)據(jù),全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%,達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng) 作為僅次...
2013-01-06 標(biāo)簽:英飛凌LED電動(dòng)車(chē) 1.1k 0
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)
開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)...
2012-12-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT功率半導(dǎo)體 5.2k 3
節(jié)能省電,下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)
當(dāng)前,材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升,碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展,下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析。
2012-12-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器變頻器功率半導(dǎo)體 2.7k 0
專(zhuān)家談功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
這是來(lái)自電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副院長(zhǎng) 張波的一篇文章,張教授就功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)的趨勢(shì)進(jìn)行了詳細(xì)的解說(shuō),希望各位對(duì)這個(gè)重要的元器件有全...
2012-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 1
功率半導(dǎo)體為節(jié)能減排打開(kāi)大門(mén)
在進(jìn)入了“后石油時(shí)代”之后,電能無(wú)疑成為人類(lèi)消耗的最大能源。從日常的手機(jī)、電視、洗衣機(jī)到高速列車(chē)都依靠電能驅(qū)動(dòng)。每個(gè)電子產(chǎn)品都需要功率半導(dǎo)體技術(shù)。功率半...
2012-11-20 標(biāo)簽:節(jié)能減排功率半導(dǎo)體 1.7k 0
科銳開(kāi)發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓
美國(guó)科銳公司(Cree)開(kāi)發(fā)出了直徑為150mm(6英寸)、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓,適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。
飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動(dòng),會(huì)上,飛兆半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)王劍,技術(shù)經(jīng)理陳立烽,高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在...
2012-08-26 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體LED智能手機(jī) 1.2k 0
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