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功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

IR推出全新μIPM-DIP功率模塊

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出高度集成的、纖巧的集成式功率模塊μIPM-DIP系列,適用于低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包...

2014-06-04 標(biāo)簽:功率模塊功率半導(dǎo)體集成式功率模塊 2.5k 0

新一代功率半導(dǎo)體大熱,節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國(guó)IHSGlobal預(yù)測(cè)稱(chēng),功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在2017年,將從2012年的114億美元擴(kuò)大到141億美元。其中...

2014-02-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.5k 0

新一代功率半導(dǎo)體:多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...

2014-02-04 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0

國(guó)家政策支持,中國(guó)功率半導(dǎo)體將迎來(lái)黃金發(fā)展期

據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露,有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢,目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉,政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.3k 0

新一代功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)激烈,亞洲企業(yè)紛紛涉足

 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比,SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1k 0

鎖定大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用 飛兆強(qiáng)推SiC功率元件

 為改善過(guò)去采用硅(Si)材料開(kāi)發(fā)的功率元件無(wú)法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷,飛兆半導(dǎo)體(Fairchild)已改用碳化硅(SiC)材料量產(chǎn)雙極接面電...

2013-12-27 標(biāo)簽:飛兆SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體供應(yīng)商榜首

 9月29日消息,據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報(bào)告顯示,英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導(dǎo)體分立器件...

2013-09-30 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體 1k 0

功率半導(dǎo)體觀(guān)察:SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代

 “PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下,該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大,2013年共...

2013-07-09 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 4.2k 0

日立重組功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售一體化

日立制作所2013年6月11日宣布,將于10月1日把旗下的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)交給子公司——日立原町電子工業(yè),構(gòu)建從設(shè)計(jì)、制造到銷(xiāo)售的一條龍?bào)w制。將通過(guò)公司...

2013-06-14 標(biāo)簽:日立功率半導(dǎo)體 1.6k 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)再度走低,2012比上年下降11.5%

 日本市場(chǎng)調(diào)查公司矢野經(jīng)濟(jì)研究所的調(diào)查顯示,按照廠(chǎng)商的供貨金額計(jì)算,2012年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為135.12億美元,比上年減少11.5%。功率半導(dǎo)...

2013-05-21 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體 1.1k 0

未來(lái)十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將以18%速度增長(zhǎng)

在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有...

2013-04-26 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 2k 0

研究機(jī)構(gòu)表明:2013年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將增長(zhǎng)7%

根據(jù)市調(diào)公司IC Insights的最新報(bào)告,受到全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)力道疲弱的影響,2012年全球分離式功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)價(jià)值為123億美元,較去年同期下滑8%...

2013-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 1.6k 0

英飛凌首個(gè)CoolMOS家族芯片現(xiàn)已開(kāi)始面向全球發(fā)貨

英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠(chǎng)的300毫米生產(chǎn)線(xiàn)走下來(lái)的英飛凌CoolMOS...

2013-02-25 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 2k 0

電動(dòng)汽車(chē)等新興領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場(chǎng)

據(jù)IMS Research數(shù)據(jù),全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%,達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng)   作為僅次...

2013-01-06 標(biāo)簽:英飛凌LED電動(dòng)車(chē) 1.1k 0

開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)...

2012-12-20 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT功率半導(dǎo)體 5.2k 3

節(jié)能省電,下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前,材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升,碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展,下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行分析。

2012-12-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器變頻器功率半導(dǎo)體 2.7k 0

專(zhuān)家談功率半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

這是來(lái)自電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副院長(zhǎng) 張波的一篇文章,張教授就功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)的趨勢(shì)進(jìn)行了詳細(xì)的解說(shuō),希望各位對(duì)這個(gè)重要的元器件有全...

2012-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 1

功率半導(dǎo)體為節(jié)能減排打開(kāi)大門(mén)

在進(jìn)入了“后石油時(shí)代”之后,電能無(wú)疑成為人類(lèi)消耗的最大能源。從日常的手機(jī)、電視、洗衣機(jī)到高速列車(chē)都依靠電能驅(qū)動(dòng)。每個(gè)電子產(chǎn)品都需要功率半導(dǎo)體技術(shù)。功率半...

2012-11-20 標(biāo)簽:節(jié)能減排功率半導(dǎo)體 1.7k 0

科銳開(kāi)發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

科銳開(kāi)發(fā)出直徑150mm的n型4H-SiC外延晶圓

美國(guó)科銳公司(Cree)開(kāi)發(fā)出了直徑為150mm(6英寸)、晶型結(jié)構(gòu)為4H的n型SiC外延晶圓,適用于制造功率半導(dǎo)體、通信部件及照明部件等。

2012-09-05 標(biāo)簽:LEDSiC科銳 2.3k 0

飛兆半導(dǎo)體:走向高效能和低功耗

飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動(dòng),會(huì)上,飛兆半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)王劍,技術(shù)經(jīng)理陳立烽,高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在...

2012-08-26 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體LED智能手機(jī) 1.2k 0

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  • 快充技術(shù)
    快充技術(shù)
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  • 尼吉康
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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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      閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí),電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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    無(wú)線(xiàn)供電,是一種方便安全的新技術(shù),無(wú)需任何物理上的連接,電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn),而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西,都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
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    寧德時(shí)代
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    艾德克斯
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    ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商,致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究,通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求,持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
  • 快充
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    Qi標(biāo)準(zhǔn)
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    國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟(Wireless Power Consortium,WPC)2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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    電池系統(tǒng)
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     BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家,主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元,防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電,延長(zhǎng)電池的使用壽命,監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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    A4WP
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    A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟,英特爾已加入該組織,并成為董事成員。
  • MAX660
    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
  • 智能變電站
    智能變電站
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
  • USB PD
    USB PD
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  • 太陽(yáng)能充電
    太陽(yáng)能充電
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  • PSR
    PSR
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  • 光伏并網(wǎng)逆變器
    光伏并網(wǎng)逆變器
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    逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電,若直流電壓較低,則通過(guò)交流變壓器升壓,即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器,由于直流母線(xiàn)電壓較高,交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V,在中、小容量的逆變器中,由于直流電壓較低,如12V、24V,就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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    浪涌抑制器
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  • DCDC電源
    DCDC電源
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    DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi),按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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    共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備,用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金,即可租借一個(gè)充電寶,充電寶成功歸還后,押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月,研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn),用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增,消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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  • 董明珠
    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
  • UCD3138
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