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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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派恩杰3300V MOSFET晶圓，專為高耐壓場景設(shè)計的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圓，擊穿電壓達(dá)3300V以上，相比于傳統(tǒng)硅基器件...
三菱將SiC產(chǎn)能提高五倍，大舉發(fā)力功率器件
三菱電機(jī)事業(yè)本部總經(jīng)理 Takemi 表示：“功率器件和高頻/光學(xué)器件都是強(qiáng)大的業(yè)務(wù)，許多產(chǎn)品組在全球市場占有率很高。我們提供實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會不可或缺...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中，驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
針對新型功率器件測試挑戰(zhàn)，泰克解鎖全新測試解決方案
中國北京2019年7月3日 – 在剛剛過去的PCIM Aisa展會上，泰克展示了功率器件全新測試方案，包括動態(tài)特性解決方案、靜態(tài)特性解決方案、系統(tǒng)調(diào)試解...
碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度，深入探討碳化硅功率器件...
隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)(HVAC)和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗）所能達(dá)到的能效將決定整...
800V高壓平臺加速落地，2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺為解決里程焦慮的破局者，國內(nèi)外車企從2021年起掀起一...
利普思SiC功率模塊產(chǎn)品通過歐洲航空設(shè)備廠家驗證
由于應(yīng)用領(lǐng)域特殊，項目對功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導(dǎo)入的中國SiC功率器件企業(yè)，利普思以其國際化的專業(yè)團(tuán)隊、高性能高可靠...
ROHM羅姆與東芝達(dá)成合作生產(chǎn)功率器件協(xié)議
來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省認(rèn)為聯(lián)合計劃支持穩(wěn)定、安全的供應(yīng) 日本京東和日本川崎--(BUSINESS WIRE)--羅姆株式會社（ROHM Co...
中科院微電子所在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面獲進(jìn)展
提升硅基氮化鎵橫向功率器件可靠性的難點在于如何準(zhǔn)確測試出器件在長期高壓大電流應(yīng)力工作下的安全工作區(qū)，如何保證器件在固定失效率下的壽命。硅基氮化鎵橫向功率...
英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade
英飛凌近日在2013應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC ...
產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能？
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應(yīng)用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日，由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會在深圳隆重召開。其中，基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
無錫芯動第三代半導(dǎo)體模組封測項目擬12月底投產(chǎn)
據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動第三代半導(dǎo)體模塊將在測試項目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一...
2023-08-31 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件半導(dǎo)體模塊 1.7k 0
華潤微IGBT產(chǎn)品逐漸成為汽車行業(yè)的新寵
在電動汽車領(lǐng)域，IGBT技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電動驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和控制。據(jù)華潤微最近的投資者調(diào)研表示，預(yù)計今年該公司的模塊產(chǎn)品將進(jìn)入汽車主驅(qū)應(yīng)...
2023-06-15 標(biāo)簽：電動汽車IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 1.7k 0
onsemi LV/MV MOSFET 產(chǎn)品介紹 & 行業(yè)應(yīng)用
01直播介紹直播時間2024/10/281430直播內(nèi)容1.onsemiLV/MVMOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢&市場地位。2.onsemiLV/MVMO...
IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低...
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功！
5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局...
京東方是半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域全球龍頭及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域全球創(chuàng)新型企業(yè)，華燦光電則是全球領(lǐng)先的LED芯片及先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于顯示屏背光源，是京東...
IGBT/SiC等功率器件是光伏逆變器的核心半導(dǎo)體部件，負(fù)責(zé)實現(xiàn)直流-交流轉(zhuǎn)換過程中的高頻開關(guān)操作，性能的好壞直接影響光伏發(fā)電效率、功率密度和可靠性，而...
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