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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。
如何判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞與極性，在使用應(yīng)注意哪些事項(xiàng)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體...
2019-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 9.8k 0
光電二極管是一種基于半導(dǎo)體的光傳感器或光傳感器，用于檢測(cè)和測(cè)量光的強(qiáng)度。它用于基于光的應(yīng)用，并利用光來控制各種其他電氣設(shè)備。本文詳細(xì)介紹了光電二極管及其...
半導(dǎo)體“碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)”詳解
近年來，基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用，受到了越來越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件，碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以...
2025-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET 9.8k 0
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降? 【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面...
分享第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖的分析和應(yīng)用
中國(guó)開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國(guó)外相比水平較低，阻礙國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體研究進(jìn)展的重要因素是原始創(chuàng)新問題。國(guó)內(nèi)新材料領(lǐng)域的科研院所...
車規(guī)芯片的AEC-Q100測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會(huì)的簡(jiǎn)稱，并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個(gè)領(lǐng)域，對(duì)于不同領(lǐng)域的電子器件，適...
NPN型三極管是指由兩塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成的三極管；也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。三極管是電子電路中最重要...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓...
和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高...
超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體工藝技術(shù) 9.6k 0
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材...
數(shù)字電源市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
Microchip dsPIC33EP GS系列產(chǎn)品具備卓越的性能，可在開關(guān)頻率更高的情況下實(shí)施更為復(fù)雜的非線性預(yù)測(cè)及自適應(yīng)控制算法。這些高級(jí)算法可令電...
通過梳理全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)龍頭廠商估值情況發(fā)現(xiàn)，IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)及其支撐產(chǎn)業(yè)鏈因其更高技術(shù)壁壘及更高ROE享受明顯的估值溢價(jià)，PE水平普遍較高，加上輕資...
在介紹差分霍爾電流傳感器之前，我們先了解一下什么是差分霍爾傳感器
HVPE主要是利用生長(zhǎng)過程中的化學(xué)反應(yīng)，如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備，具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn)，...
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是...
PIN二極管 ，即P-I-N二極管，是一種半導(dǎo)體器件，由P型半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體（I型，即未摻雜的半導(dǎo)體）和N型半導(dǎo)體三個(gè)部分組成。
靜電放電即ESD（Electro-Static discharge），是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。
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