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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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目前為止,在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中,都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物...
芯片雙熱阻封裝的簡(jiǎn)單強(qiáng)制對(duì)流換熱問(wèn)題仿真分析
手機(jī)、電腦、智能家電等智能化設(shè)備都離不開(kāi)芯片,隨著人們對(duì)智能化設(shè)備的功能要求越來(lái)越多樣化,芯片不斷朝著小尺寸、多功能、高密度、高功耗的方向發(fā)展,隨之而來(lái)...
隨著時(shí)間的推移,超模壓射頻功率晶體管將顯著降低無(wú)線基站設(shè)備設(shè)計(jì)人員和網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商的成本。同時(shí),它能夠降低功率、節(jié)省空間,使運(yùn)營(yíng)商能夠采用新方法部署基站。封...
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
關(guān)于印度芯片產(chǎn)業(yè)的分析和介紹
由于受到主要生產(chǎn)基地中國(guó)大陸人工費(fèi)暴漲的影響,將鴻海推升為全球最大電子產(chǎn)品代工企業(yè)的原有增長(zhǎng)模式將迎來(lái)極限。印度的人工費(fèi)比中國(guó)低,且容易確保勞動(dòng)力。在應(yīng)...
一種X波段到7mm波段的毫米波寬帶四倍頻器的設(shè)計(jì)
本文主要討論X波段到7 mm波段的毫米波寬帶四倍頻器,其指標(biāo)如下:輸入頻率8.25~12.5 GHz,功率10~17 dBm;輸出頻率33~50 GHz...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
UCIe協(xié)議的工作原理和數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制
過(guò)去幾十年,摩爾定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力,芯片上晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍,性能隨之大幅提升。但近年來(lái)這一定律明顯放緩,芯片制程向7nm...
晶體管是一種三層器件,由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成。PN結(jié)是由不同材料的半導(dǎo)體單元(P型材料和N型材料)焊接在一起形成的一個(gè)結(jié),它有兩個(gè)區(qū)域,一個(gè)是P區(qū),一個(gè)是N...
2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 4.6k 0
將終端用戶設(shè)備連接到中央電信網(wǎng)絡(luò)和云的無(wú)線接入網(wǎng)(RAN)和相關(guān)的核心網(wǎng)絡(luò)層次結(jié)構(gòu),對(duì)于構(gòu)建無(wú)處不在的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接至關(guān)重要,它將擴(kuò)大該技術(shù)所支持的應(yīng)用場(chǎng)...
介紹了光量子芯片在未來(lái)實(shí)現(xiàn)可實(shí)用化大規(guī)模光量子計(jì)算與信息處理應(yīng)用方面展示出巨大潛力,并對(duì)硅基集成光量子芯片技術(shù)進(jìn)行介紹。
OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中,我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別,包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...
NPC復(fù)合負(fù)極材料在嵌鋰/脫鋰過(guò)程中反應(yīng)機(jī)理的本質(zhì)原因
鋰離子電池是可再生能源利用、大規(guī)模儲(chǔ)能、新能源汽車、消費(fèi)電子和微納器件等產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵支撐,是實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)的重要基礎(chǔ)技術(shù)。
摩爾定律的不斷向前發(fā)展,正在推動(dòng)著半導(dǎo)體工業(yè)向三維(3D)集成的方向發(fā)展,同時(shí)也在推動(dòng)著諸如堆棧存儲(chǔ)與邏輯、以及硅穿孔(TSV)互連等先進(jìn)封裝架構(gòu)技術(shù)的發(fā)展。
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。...
新興封裝技術(shù):小型化趨勢(shì)永無(wú)止境
從MCM、ECP到2.5D的TSV等持續(xù)整合電子元件于更小封裝的創(chuàng)新技術(shù)出現(xiàn),主要的驅(qū)動(dòng)力量就來(lái)自于永無(wú)止境地追求更輕薄短小的智慧型手機(jī)。
電感器:電感線圈是由導(dǎo)線一圈*一圈地繞在絕緣管上,導(dǎo)線彼此互相絕緣,而絕緣管可以是空心的,也可以包含鐵芯或磁粉芯,簡(jiǎn)稱電感。
在汽車、數(shù)據(jù)中心和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域,半導(dǎo)體芯片的可靠性成為系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的核心要素。隨著技術(shù)發(fā)展,芯片面臨著更為復(fù)雜的使用環(huán)境與性能需求,其失效問(wèn)題愈發(fā)...
車身控制模塊設(shè)計(jì)的要求及不同方案的優(yōu)劣勢(shì)分析
隨著人們對(duì)汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來(lái)越多,如電動(dòng)后視鏡、中控門(mén)鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級(jí)功能等。
2021-04-06 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 4.6k 0
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