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臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱臺(tái)積電、TSMC，是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司，成立于1987年，是全球第一家、以及最大的專業(yè)集成電路制造服務(wù)（晶圓代工）企業(yè)，總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元，晶圓代工市占率46%，為全球第一。

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臺(tái)積電資訊

臺(tái)積電面臨四大挑戰(zhàn)，新任董事長魏哲家將接棒

然而，魏哲家履新后仍需面對(duì)諸多嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。其中包括處理海外工廠如美國鳳凰城、日本熊本等的實(shí)際運(yùn)營難題，應(yīng)對(duì)日益加劇的地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、晶圓制造工藝即將進(jìn)入應(yīng)用...

2023-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)臺(tái)積電晶圓制造 1.3k 0

臺(tái)積電明確德國廠無塵室工程承攬方為不實(shí)揣測(cè)

　8月，在董事會(huì)會(huì)議之后，臺(tái)積電聯(lián)合羅伯特博世公司（Robert Bosch GmbH）、英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies...

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電恩智浦 953 0

臺(tái)積電：1.4nm 研發(fā)已經(jīng)全面展開

來源：EETOP，謝謝編輯：感知芯視界萬仞臺(tái)積電在近日舉辦的IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)...

2023-12-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電 1.3k 0

臺(tái)積電攜手英偉達(dá)、博通共同開發(fā)硅光子技術(shù)

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 ? 臺(tái)積電將攜手博通、英偉達(dá)等客戶共同開發(fā)硅光子技術(shù)、光學(xué)共封裝（CPO）等新產(chǎn)品。這一合作的制程技術(shù)從45nm延伸到7nm...

2023-12-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電博通硅光子技術(shù) 1.9k 0

天璣9400性能將超越驍龍8 Gen4？

高通已經(jīng)確認(rèn)，明年的驍龍8 Gen4將使用自研的定制Oryon CPU核心。這一轉(zhuǎn)換可能會(huì)使驍龍8 Gen4比驍龍8 Gen3更貴。然而，具體的性能和價(jià)...

2023-12-18 標(biāo)簽：處理器聯(lián)發(fā)科臺(tái)積電 3.1k 0

臺(tái)積電大幅上調(diào)產(chǎn)能，12英寸晶圓產(chǎn)能提至每月5.5萬片

臺(tái)積電熊本新廠勢(shì)如破竹，產(chǎn)能將迎來大幅提升，計(jì)劃逐步達(dá)到每月5.5萬片的12英寸晶圓產(chǎn)能。據(jù)了解，新廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將從2024年第4季開始實(shí)施。此次的戰(zhàn)略...

2023-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓 1.7k 0

臺(tái)積電新竹科技園2024年4月將裝置2nm晶圓廠設(shè)備

有媒體報(bào)道表示，盡管這僅僅是個(gè)開始，但設(shè)備進(jìn)場(chǎng)標(biāo)志著晶圓廠建設(shè)的關(guān)鍵階段，因?yàn)檠b備一家晶圓工廠需要大約一年時(shí)間。為支持臺(tái)積電N2工藝生產(chǎn)線，這家公司將需...

2023-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓工廠 ASML 1.4k 0

臺(tái)積電日本子公司JASM未來10年擬采購日本供應(yīng)商60%材料

在近期召開的Semicon Japan 2023展會(huì)上，JASM首席執(zhí)行官堀田雄一曾表態(tài)，期望于2026年實(shí)現(xiàn)50%の市場(chǎng)占有率，并計(jì)劃在此基礎(chǔ)上再提升...

2023-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓廠供應(yīng)鏈 1.5k 0

臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時(shí)，...

2023-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5k 0

浮思特| ?半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相制造下一代尖端芯片

然而，過渡到下一代工藝的成本正在增加，而性能的提升也已達(dá)到高峰，因此，對(duì)于客戶來說，這一過渡可能不再具有那么大的吸引力，芯片小型化帶來的性能提升瓶頸即將...

2023-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電英偉達(dá) 1.3k 0

臺(tái)積電華盛頓晶圓廠更名為TSMC Washington

WaferTech工廠始建于1996年，于2010年被臺(tái)積電收購，成為旗下全資子公司Fab 11。該產(chǎn)線專攻嵌入式閃存工藝，可提供0.35微米至0.16...

2023-12-15 標(biāo)簽：嵌入式臺(tái)積電晶圓廠 1.8k 0

臺(tái)積電在日建廠，盼供應(yīng)鏈回歸

據(jù)悉，JASM為臺(tái)積電、索尼及豐田旗下電裝公司的三方合資企業(yè)，主要負(fù)責(zé)經(jīng)營日本熊本的芯片工廠。未來，工廠將采用22/28nm、12/16nm FinFE...

2023-12-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電制程工藝芯片工廠 1.3k 0

臺(tái)積電美國8英寸晶圓廠更名為TSMC Washington

成立于 1996 年的 WaferTech 2010 年成為臺(tái)積電全資子公司，又被稱為 Fab11。該廠專攻嵌入式閃存工藝技術(shù)，涵蓋廣闊的技術(shù)區(qū)間，受益...

2023-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體嵌入式臺(tái)積電 1.3k 0

臺(tái)積電1.4nm制程工藝研發(fā)持續(xù)，預(yù)計(jì)2027-2028年量產(chǎn)

此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。

2023-12-15 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管 A14 1.7k 0

日本新秀Rapidus：能追上臺(tái)積電與英特爾！

東哲郎強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體市場(chǎng)正朝著具有特定功能的產(chǎn)品，而不是以通用型芯片的方向來發(fā)展，Rapidus希望能夠在這個(gè)過渡期搶進(jìn)市場(chǎng)當(dāng)中，并能夠得到日本半導(dǎo)體設(shè)備...

2023-12-14 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電晶體管 1.8k 0

德國對(duì)臺(tái)積電與英特爾設(shè)廠補(bǔ)貼不變，影響國家經(jīng)濟(jì)實(shí)力?

據(jù)報(bào)道，德國聯(lián)邦法院判定，2021年抗疫預(yù)算資金被隨意用于“氣候與轉(zhuǎn)型基金”違反憲法。這筆高達(dá)600億歐元的基金旨在推動(dòng)低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，但實(shí)際上使德國政府...

2023-12-14 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電低碳經(jīng)濟(jì) 1.1k 0

臺(tái)積電1.4nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)A14即將推出，2027-2028年有望量產(chǎn)

據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)SemiAnalysis的數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電已將此階段的工作節(jié)點(diǎn)正式命名為A14。盡管該公司未透露A14具體的量產(chǎn)時(shí)間表與規(guī)格參數(shù)，但參照...

2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電 A14 1.5k 0

今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)；消息稱字節(jié)跳動(dòng)將取消下一代 VR 頭顯

1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研...

2023-12-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電 VR頭顯字節(jié)跳動(dòng) 1.9k 0

臺(tái)積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動(dòng)，2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫...

2023-12-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電節(jié)點(diǎn)晶體管 1.4k 0

打響2nm訂單爭(zhēng)奪戰(zhàn)！半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相爭(zhēng)取

目前，高通和英偉達(dá)的高端芯片主要依賴于臺(tái)積電進(jìn)行代工。然而，對(duì)于這些芯片巨頭公司來說，多元化的晶圓代工是一項(xiàng)戰(zhàn)略要?jiǎng)?wù)，以降低對(duì)特定供應(yīng)商的依賴性。

2023-12-13 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管芯片制造 1.6k 0

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HTC Vive是由HTC與Valve聯(lián)合開發(fā)的一款VR頭顯（虛擬現(xiàn)實(shí)頭戴式顯示器）產(chǎn)品，于2015年3月在MWC2015上發(fā)布。由于有Valve的SteamVR提供的技術(shù)支持，因此在Steam平臺(tái)上已經(jīng)可以體驗(yàn)利用Vive功能的虛擬現(xiàn)實(shí)游戲。2016年6月，HTC推出了面向企業(yè)用戶的Vive虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔套裝—Vive BE（即商業(yè)版），其中包括專門的客戶支持服務(wù)。
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nbiot即窄帶物聯(lián)網(wǎng)，窄帶物聯(lián)網(wǎng)成為萬物互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)重要分支。NB-IoT構(gòu)建于蜂窩網(wǎng)絡(luò)，只消耗大約180kHz的帶寬，可直接部署于GSM網(wǎng)絡(luò)、UMTS網(wǎng)絡(luò)或LTE網(wǎng)絡(luò)，以降低部署成本、實(shí)現(xiàn)平滑升級(jí)。
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物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是非標(biāo)準(zhǔn)計(jì)算設(shè)備，可無線連接到網(wǎng)絡(luò)并具有傳輸數(shù)據(jù)的能力。物聯(lián)網(wǎng)涉及將互聯(lián)網(wǎng)連接范圍從臺(tái)式機(jī)，筆記本電腦，智能手機(jī)和平板電腦之類的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備擴(kuò)展到任何范圍的傳統(tǒng)“啞”或未啟用互聯(lián)網(wǎng)的物理設(shè)備和日常物品。

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