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標(biāo)簽 > 散熱器
散熱器是熱水(或蒸汽)采暖系統(tǒng)中重要的、基本的組成部件。熱水在散熱器內(nèi)降溫(或蒸汽在散熱器內(nèi)凝結(jié))向室內(nèi)供熱,達到采暖的目的。
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RTX 40系列顯卡發(fā)布會定在北京時間9月20日晚23點,從最新掌握的情報來看,NVIDIA計劃首發(fā)帶來RTX 4090、RTX 4080(12G)和R...
過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一,可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的,即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的,因此實際應(yīng)用電路中,在可控硅兩端一定...
因為大多數(shù)PLC使用ARM架構(gòu)的芯片就夠用了啊!不僅如此,如果你拆開PLC的外殼查看設(shè)備的PCB會發(fā)現(xiàn),不僅其架構(gòu)是ARM的,而且還是很多年前版本的,這...
焊接熱應(yīng)力導(dǎo)致的焊點開裂,一般具有非常鮮明的分布特征和斷裂特征斷點均勻分布在四角或斜對角且從 IMC層斷開,而機械應(yīng)力導(dǎo)致的開裂焊點則一般為非對稱分布。
IGBT模塊中的底板發(fā)揮著形成導(dǎo)熱通道、保證導(dǎo)熱性能、增強模塊機械性能的作用。底板材料一般用銅或者鋁基碳化硅(AlSiC)。
2022-08-31 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率半導(dǎo)體 5.9k 0
第 1 部分描述了典型 EMC 測試場景中的共模環(huán)路。理解這一點至關(guān)重要,因為它將為您提供解決此問題的工具。每個設(shè)計的這條路徑都會略有不同,但一旦確定,...
2022-09-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器emc 1.7k 0
N1479NC24R 和 N1479NC30R 是相位控制晶閘管,電壓等級分別為 2.4 kV 和 3 kV。晶閘管專門設(shè)計在適合旋轉(zhuǎn)應(yīng)用的封裝中。
導(dǎo)致空調(diào)出現(xiàn)故障的原因有很多,能解決所有故障的方法只有一個,通過使用工具和觀察,來獲取合乎邏輯的方法。
熱概念增強DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫,這促使需要更有效的熱設(shè)計。eGaN FET 和 IC 的芯片級封裝提供六面冷卻,從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 2.8k 0
由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻,因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 1.8k 0
多器件共設(shè)計電子系統(tǒng)用于散熱和溫度穩(wěn)定
電氣化Electrification,是社會脫碳的關(guān)鍵,但在電氣系統(tǒng)管理中,不斷增加的功率密度,需要開發(fā)新的熱管理技術(shù)。其中,一種可行的方法是,使用單片...
該系列解決了設(shè)計人員在使用分立解決方案時遇到的許多問題,從而促進了 AC/DC 轉(zhuǎn)換器的高效設(shè)計。由于集成了 SiC MOSFET 和優(yōu)化的控制電路,與...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源傳感器轉(zhuǎn)換器 2.2k 0
熱管理包括與電子設(shè)備和電路中產(chǎn)生的熱量的產(chǎn)生、控制和消散相關(guān)的所有技術(shù)解決方案。每個電子元件在其運行過程中都會產(chǎn)生一定量的熱量,這會對元件本身的性能和可...
2022-08-08 標(biāo)簽:顯示器散熱器DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
導(dǎo)熱膏至關(guān)重要,即使很多人沒有意識到它的用處。經(jīng)常組裝電腦的人忘記使用它,直接將散熱器貼在CPU上。導(dǎo)熱膏的主要作用是幫助CPU(或其他芯片)將熱量傳遞...
在上一屆Nexperia Power 現(xiàn)場活動中,許多行業(yè)領(lǐng)袖討論了與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的不同話題。作為一種材料,在許多應(yīng)用中,GaN 似乎比硅具有顯著的內(nèi)...
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