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      標簽　>　晶體管

      晶體管

      晶體管

      +關(guān)注78人關(guān)注

      晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？欤瑢嶒炇抑械那袚Q速度可達100GHz以上。

      文章：6406個 瀏覽：148820次 帖子：853個

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      2023-12-21 標簽：三極管二極管晶體管 2.1k 0

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      特斯拉為何對碳化硅忽冷忽熱？

      第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料，鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大，但由于速度較慢、不耐熱等缺點，在八十年代初就被硅基管給取代了，一直到現(xiàn)今...

      2023-12-20 標簽：晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 561 0

      IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？

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      2023-12-19 標簽：集成電路IC設(shè)計晶體管 1.5k 0

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      氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

      2023-12-19 標簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 2.2k 0

      具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

      具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

      GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。

      2023-12-19 標簽：led半導(dǎo)體晶體管 1.6k 0

      意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

      2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬...

      2023-12-15 標簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.9k 0

      臺積電1.4nm制程工藝研發(fā)持續(xù)，預(yù)計2027-2028年量產(chǎn)

      此外，對于臺積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計其名稱為A14。從技術(shù)角度來看，A14節(jié)點可能不會運用垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。

      2023-12-15 標簽：臺積電晶體管A14 1.7k 0

      選擇處理器的幾個關(guān)鍵因素

      選擇處理器的幾個關(guān)鍵因素? 選擇處理器時，有幾個關(guān)鍵因素需要考慮。這些因素包括處理器的性能、功耗、價格、架構(gòu)和生產(chǎn)工藝。 首先，性能是選擇處理器的首要考...

      2023-12-15 標簽：處理器晶體管 2k 0

      日本新秀Rapidus：能追上臺積電與英特爾！

      東哲郎強調(diào)，半導(dǎo)體市場正朝著具有特定功能的產(chǎn)品，而不是以通用型芯片的方向來發(fā)展，Rapidus希望能夠在這個過渡期搶進市場當中，并能夠得到日本半導(dǎo)體設(shè)備...

      2023-12-14 標簽：英特爾臺積電晶體管 1.8k 0

      臺積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動，2nm預(yù)計2025年量產(chǎn)

      SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示，臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前，關(guān)于該節(jié)點的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫...

      2023-12-14 標簽：臺積電節(jié)點晶體管 1.4k 0

      日本致力于縮減芯片制造技術(shù)差距

      東哲郎強調(diào)，Rapidus位于北海道的項目無疑將取得成功，預(yù)計在2027~2028年間，科技走向?qū)l(fā)生根本性轉(zhuǎn)變。日本官方已經(jīng)向Rapidus注資數(shù)千...

      2023-12-14 標簽：晶體管納米芯片ASML 1.3k 0

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      來源：Silicon Semiconductor 紅外激光切割技術(shù)能夠以納米精度從硅襯底上進行超薄層轉(zhuǎn)移，徹底改變了先進封裝和晶體管縮放的3D集成。 E...

      2023-12-13 標簽：半導(dǎo)體封裝晶體管 1.7k 0

      打響2nm訂單爭奪戰(zhàn)！半導(dǎo)體巨頭競相爭取

      目前，高通和英偉達的高端芯片主要依賴于臺積電進行代工。然而，對于這些芯片巨頭公司來說，多元化的晶圓代工是一項戰(zhàn)略要務(wù)，以降低對特定供應(yīng)商的依賴性。

      2023-12-13 標簽：臺積電晶體管芯片制造 1.6k 0

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      GeneSiC 在滿足汽車行業(yè)需求的經(jīng)驗還包括開發(fā)快速充電站解決方案，這對 EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計的額定 350kW...

      2023-12-13 標簽：二極管晶體管SiC 2.6k 0

      英特爾深度解析其芯片技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)全球芯片科技潮流

      眾所周知，晶體管微縮和背面供電是英特爾滿足快速增長的算力市場需求的關(guān)鍵所在。雖然面臨著困境和挑戰(zhàn)，例如成本壓力，但英特爾堅定不移地推動著自己的發(fā)展計劃，...

      2023-12-12 標簽：英特爾半導(dǎo)體晶體管 1.6k 0

      晶體管三種接法的特點

      晶體管三種接法的特點? 晶體管是一種常見的電子元器件，具有開關(guān)和放大功能。根據(jù)不同的接法，晶體管的特點也會有所不同。一般來說，晶體管的接法分為共集電極、...

      2023-12-12 標簽：晶體管集電極電路 3.4k 0

      三大芯片巨頭角逐2nm技術(shù)

      過去數(shù)十年里，芯片設(shè)計團隊始終專注于小型化。減小晶體管體積，能降低功耗并提升處理性能。如今，2nm及3nm已取代實際物理尺寸，成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標。

      2023-12-12 標簽：芯片設(shè)計晶體管2nm 1.5k 0

      英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術(shù)的開發(fā)

      英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術(shù)的開發(fā)

      英特爾在2023年國際電子設(shè)備制造大會上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開發(fā)。這個技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，...

      2023-12-11 標簽：芯片英特爾晶體管 1.9k 0

      ?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景

      ?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景

      當前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動汽車、消費電子產(chǎn)品、智能手機以及其他產(chǎn)品的制造...

      2023-12-11 標簽：電動汽車半導(dǎo)體晶體管 2k 0

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        IOT
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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中，尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應(yīng)用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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      • 服務(wù)機器人
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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        802.11ac與11基站測試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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