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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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頭頂著國內(nèi)最大服務(wù)器廠商的光環(huán),出身齊魯大地的互聯(lián)網(wǎng)硬件企業(yè)——浪潮集團,曾經(jīng)創(chuàng)造了不少中國互聯(lián)網(wǎng)史上的第一。但在過去的一年里浪潮在股票市場的走勢并不算...
2021-03-07 標簽:PC互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器 1.1萬 0
邏輯芯片產(chǎn)業(yè)正朝著晶體管結(jié)構(gòu)的根本性變革邁進。今天的晶體管,稱為FinFET,將會讓位于被稱為納米片晶體管、多橋溝道FET和柵極全能晶體管的器件。除了制...
沒有它們,世界各地的汽車廠就停止了?,F(xiàn)在,制造它們的技術(shù)被美國視為與中國貿(mào)易摩擦的關(guān)鍵武器。
依據(jù)艾瑞咨詢所統(tǒng)計的數(shù)據(jù),預(yù)計到2022年,國內(nèi)AI賦能實體經(jīng)濟的市場規(guī)模將達到1573億,約是2018年的6.3倍,足以可見AI應(yīng)用落地的速度之快、范圍之廣。
芯片設(shè)計過程中可能會出現(xiàn)的有關(guān)功耗的關(guān)鍵考量因素
溫度是限制芯片性能的關(guān)鍵因素之一。一個晶圓上分布著大量的晶體管,如此高的密度使得結(jié)溫升高,從而導(dǎo)致芯片性能下降。由于功率會嚴重限制芯片性能,設(shè)計人員因此...
半導(dǎo)體企業(yè)新順微電子進入上市輔導(dǎo)階段
一家半導(dǎo)體企業(yè)進入上市輔導(dǎo)階段。日前,江蘇證監(jiān)局披露企業(yè)輔導(dǎo)備案信息公示,信息顯示,江蘇新順微電子股份有限公司(以下簡稱“新順微電子”)已于2020年2...
這是我決定使用的and邏輯塊的設(shè)計(最初,我試圖用常規(guī)的AND和OR門實現(xiàn)下一個狀態(tài)邏輯,并意識到只有1KOhm的電阻這些門不能正常工作,所以我決定堅持...
今年早些時候,臺積電宣布了280億美元的巨額投資,許多行業(yè)觀察家將這一增長歸因于為準備為英特爾和其他大客戶生產(chǎn)CPU的3納米產(chǎn)能。然而根據(jù)分析師的預(yù)測,...
臺積電或?qū)⑻崆巴懂a(chǎn)3nm工藝 Intel、三星望塵莫及
在新制程工藝推進速度上,臺積電已經(jīng)徹底無敵,Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。
射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(...
如果電池壽命對于便攜式揚聲器而言如此重要,那么您應(yīng)該選擇容量更大的電池,對吧?對于某些設(shè)計是這樣的,但對于緊湊型揚聲器而言,根本沒有足夠的空間?;蛘?,額...
2021-03-01 標簽:音頻放大器晶體管數(shù)字信號處理器 2.9k 0
在2021年國際固態(tài)電路會議(ISSCC)的開幕演講中,臺積電董事長劉德音以《揭秘創(chuàng)新未來》為主題,談及許多引領(lǐng)芯片發(fā)展的創(chuàng)新技術(shù)。
華為推出完備折疊開發(fā)框架和設(shè)計規(guī)范
華為Mate X2搭載的麒麟9000處理器,采用了先進的5nm制程工藝,集成多達153億個晶體管采用1個超大核+3個大核+4個小核的三檔能效架構(gòu),最高主...
realme官微宣布,realme 將攜新品真我GT參加2021MWC上海展,這是realme 在MWC展的首次亮相,一時間引發(fā)了網(wǎng)友的熱議。2月23日...
近日,中芯國際投資90億美元的國內(nèi)首條FinFET芯片生產(chǎn)線落戶上海,據(jù)稱可以一直用到5nm工藝。國際上,頭部代工廠已在從5nm進入3nm工藝,雖然三星...
第一款旨在持續(xù)監(jiān)測一天中的壓力水平的傳感器
這項新研究的重點是荷爾蒙皮質(zhì)醇,它可以在應(yīng)對壓力事件時飆升,但也會根據(jù)我們的晝夜節(jié)律在一天中自然分泌。皮質(zhì)醇的水平在早上6點到8點之間達到峰值,并在一天...
GaN HEMT氮化鎵晶體管的應(yīng)用優(yōu)勢
IR-HiRel氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-H...
三星、臺積電從FinFET晶體管向3nm和2nm新型全柵場效應(yīng)晶體管過渡
一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝,包括更先進的高遷移率版本,但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。
混合維異質(zhì)結(jié)的“光電視覺適應(yīng)”
適應(yīng)是生命系統(tǒng)最普遍、最基本的特征,它使物種或個體具有獨特的生存優(yōu)勢。特別是視覺適應(yīng),它能夠使生物對現(xiàn)實世界具有更清晰的認識,進而避免潛在傷害,這對于生...
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