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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)——共發(fā)射極放大器
共發(fā)射極放大器是三種基本單級(jí)放大器拓?fù)渲弧JT共發(fā)射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入,集電極端為輸出,而發(fā)射極為輸入和輸出共用(...
2020-12-24 標(biāo)簽:晶體管共發(fā)射極放大器 1.9k 0
Cerebras Systems推出迄今最快AI芯片,搭載4萬(wàn)億晶體管
美國(guó)芯片初創(chuàng)企業(yè)Cerebras Systems近日在人工智能領(lǐng)域取得了重大突破,成功推出了全新的5納米級(jí)“晶圓級(jí)引擎3”(WSE-3)芯片。這款芯片憑...
意法半導(dǎo)體發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片
????????意法半導(dǎo)體發(fā)布新型人體存在和移動(dòng)檢測(cè)芯片。STHS34PF80是一款帶有微加工熱敏晶體管(TMOS)的高集成度、超低功耗的紅外(IR)傳...
2023-07-28 標(biāo)簽:傳感器意法半導(dǎo)體晶體管 1.8k 0
新型晶體管電介質(zhì)材料如何解決解決半導(dǎo)體微縮問(wèn)題
晶體管是一種小型半導(dǎo)體器件,用作電子信號(hào)的開(kāi)關(guān),是集成電路的重要組成部分,從手電筒到助聽(tīng)器再到筆記本電腦,所有電子設(shè)備都是通過(guò)晶體管與其他組件(如電阻器...
西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展
近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相
隨著硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理極限,功率工程師已開(kāi)始轉(zhuǎn)向氮化鎵 (GaN) 以提高性能并減小整體解決方案尺寸。
摩爾定律正在逐步放緩。隨著工藝制程節(jié)點(diǎn)繼續(xù)向著更小的 5nm、3nm 甚至埃米級(jí)別推進(jìn),半 導(dǎo)體工藝制程已經(jīng)越來(lái)越逼近物理極限,不僅推進(jìn)的難度越來(lái)越高,...
新一代功率半導(dǎo)體:多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...
2014-02-04 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0
UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)
功率因數(shù)校正(PFC)、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過(guò)使用來(lái)自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(S...
分析師點(diǎn)評(píng)Intel 22nm三柵技術(shù)
本文核心議題: 本文是對(duì)Intel 22nm三柵技術(shù)的后續(xù)追蹤報(bào)道,為此,這里搜集了多位業(yè)界觀察家、分析家對(duì)此的理解和意見(jiàn),以便大家I更深入的了解nte...
用機(jī)械萬(wàn)用表檢測(cè)晶體管 萬(wàn)用表粗測(cè)晶體管時(shí),萬(wàn)用表應(yīng)置于電阻檔,其等效電路如圖1中虛線框內(nèi)所示,其中以R0為等效內(nèi)阻,U0為表內(nèi)電壓源
2009-11-09 標(biāo)簽:晶體管 1.8k 0
GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)器件的工作電壓可以比同類(lèi)GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的電壓下工作,因此設(shè)計(jì)人員可以更輕松地在窄帶放大器...
晶體管的輸出特性曲線中有四個(gè)區(qū):飽和區(qū),線性區(qū),截止區(qū)和雪崩區(qū).晶體管在前三個(gè)區(qū)的工作狀態(tài)在許多電路中
2010-11-13 標(biāo)簽:晶體管 1.8k 0
AMD甩出最強(qiáng)AI芯片 單個(gè)GPU跑大模型
專(zhuān)為生成式AI設(shè)計(jì)的GPU:HBM密度是英偉達(dá)H100的2.4倍,帶寬是英偉達(dá)H100的1.6倍。
就在前不久剛剛發(fā)布的MLPerf推理v2.1的榜單中,來(lái)自中國(guó)深圳的AI計(jì)算服務(wù)與平臺(tái)提供商墨芯人工智能憑借12納米制程,在Resnet-50模型中超越...
晶體管式鎳片電池點(diǎn)焊機(jī)的優(yōu)勢(shì)是什么
晶體管式電池鎳片點(diǎn)焊機(jī)是近年來(lái)研發(fā)的一款高頻點(diǎn)焊機(jī),因其優(yōu)越的穩(wěn)定性和高精度,廣泛應(yīng)用在各個(gè)精密焊接領(lǐng)域,尤其是用在18650動(dòng)力電池焊接領(lǐng)域,用來(lái)焊接...
2022-01-11 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 1.8k 0
近年來(lái),技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。它以令人印象深刻的速度運(yùn)行,要跟上它并不容易。想想智能手機(jī)及其多種形式的電信技術(shù),從 4G 到 5G。光纖是一種簡(jiǎn)單的玻璃...
2022-07-26 標(biāo)簽:智能手機(jī)晶體管量子計(jì)算機(jī) 1.8k 0
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