我國實現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破

氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

2024-03-22 標簽：半導體材料氧化鎵 1.5k 0

晶旭半導體獲睿悅控股集團億元戰(zhàn)略投資

據(jù)睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導體”）的戰(zhàn)略投資...

2024-02-05 標簽：半導體氧化鎵 1.8k 0

氧化鎵產(chǎn)業(yè)化更進一步，本土初創(chuàng)企業(yè)成果涌現(xiàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務(wù)部工業(yè)和安全局的文件中披露，將對...

2023-11-06 標簽：氧化鎵 3.6k 0

北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)

近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術(shù)委員會委員北京鎵和半導體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學唐為華教授率領(lǐng)鎵和...

2023-10-25 標簽：半導體探測器氧化鎵 1.9k 0

日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HV...

2023-10-12 標簽：晶體功率半導體氧化鎵 1.9k 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日，“2023功率與光電半導體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標簽：MOSFETSBDSiC 1.3k 0

IDM龍頭降價！晶圓代工大廠最新解讀

近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領(lǐng)投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

2023-08-02 標簽：半導體晶圓IDM 1.8k 0

三菱電機加速開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導體

三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性...

2023-08-02 標簽：晶圓三菱電機功率半導體 2k 0

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制

外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對鎵、鍺等半導體關(guān)鍵原材料實施出口管制。對此我國外交部回應(yīng)公布對鎵鍺出口管制是中方...

2023-07-04 標簽：半導體氮化鎵光刻機 2.7k 0

碳化硅：最近比較煩！

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來越小，性能越來越好，所以近年來電動汽車廠商都對它青睞有加，使其成為HEV電力驅(qū)動裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅(qū)...

2023-03-30 標簽：功率器件碳化硅氧化鎵 1.2k 0

第四代半導體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？

此外，氧化鎵的導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示...

2023-03-20 標簽：新能源汽車碳化硅氧化鎵 2.1k 0