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標(biāo)簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。
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眾所周知，半導(dǎo)體器件運(yùn)行產(chǎn)生時的熱量是導(dǎo)致半導(dǎo)體器件失效的關(guān)鍵因素，而電絕緣基板的導(dǎo)熱性是整個半導(dǎo)體器件散熱最為關(guān)鍵的。此外，由于顛簸、振動等復(fù)雜的機(jī)械...
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車性能優(yōu)勢
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
利用中紅外氮化硅波導(dǎo)傳感器檢測揮發(fā)性有機(jī)化合物
這些特性使SiN成為波導(dǎo)傳感器的理想材料，能夠在長期傳感操作中實現(xiàn)可重復(fù)、可再現(xiàn)的VOC檢測。然而，據(jù)本論文的作者們所知，先前關(guān)于SiN作為波導(dǎo)材料的研...
石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效
石英坩堝和石墨坩堝升級換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效 石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用 目前，國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...
鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張
近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...
氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索
在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?） AMB陶瓷覆銅 基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然...
熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動化中的關(guān)鍵部件，其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性...
氮化硅陶瓷氣壓燒結(jié)后需要熱等靜壓（HIP）處理嗎？
氮化硅陶瓷氣壓燒結(jié)后需要熱等靜壓（HIP）處理嗎？——對結(jié)構(gòu)件不同疲勞要求的成本效益分析 L??壽命大幅提升的背后 某型號混合陶瓷軸承的臺架試驗數(shù)據(jù)值得...
氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。
在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片...
評估各種清洗技術(shù)的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導(dǎo)體技術(shù)路線圖規(guī)定了從硅片上去除顆粒百分比的標(biāo)...
隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴(kuò)張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例
上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進(jìn)展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方...
第十八屆中國工業(yè)論壇，爭妍微電子斬獲“中國制造消費(fèi)者信賴品牌”李學(xué)會：以創(chuàng)新筑品，共推半導(dǎo)體國產(chǎn)
2025年12月，第十八屆中國工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會在北京同期舉辦。大會以“融合創(chuàng)新 工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題，中國工業(yè)報社社長徐金寶、原工信部...
2025-12-19 標(biāo)簽：MOSFET可控硅快恢復(fù)二極管 2k 0
熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指：半導(dǎo)體封裝的性能突破
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物...
2025-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝燒結(jié)工藝氮化硅 1.9k 0
使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
? 一、從技術(shù)指標(biāo)切入：氮化硅的抗熱震底氣 氮化硅陶瓷在先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷中以卓越的抗熱震性能著稱。采用水淬法進(jìn)行測試時，氮化硅的臨界溫差ΔTc通常超過600...
2026-04-18 標(biāo)簽：氮化硅 1.7k 0
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處...
氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其獨(dú)特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環(huán)...
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