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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...
2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.8k 0
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計中的氮化鎵晶體管
高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵，因為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業(yè)已經(jīng)達(dá)到了硅...
一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時，都需要對其驅(qū)動波形進(jìn)行測試，這時大多數(shù)工程...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 3.4k 0
報告內(nèi)容包含： 動機(jī) 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨特的優(yōu)勢，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場景的...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動電源-常規(guī)雙極驅(qū)動程序 GaN GIT （G...
“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案
當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動性和極端操作環(huán)境的限制時，有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
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