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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計的發(fā)展趨勢
從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設(shè)計...
氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動產(chǎn)品驅(qū)動。
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這...
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準(zhǔn)下一代50W高能效電源設(shè)計
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 6.3k 0
提高能效一直是電源制造商的一個長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...
如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計
為了擴大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用（圖 3），TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2.5k 0
幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半...
本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點、不同制造工藝以及最新進展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個技術(shù)驅(qū)...
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...
在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
在傳統(tǒng)的有源鉗位設(shè)計中，初級MOSFET和有源鉗位開關(guān)以互補方式進行工作（因此這些鉗位電路被稱為“互補模式有源鉗位”電路）。
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)有望提供三種非常重要的功能，進而改變我們應(yīng)用無線技術(shù)的方式。
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
一文看懂氮化鎵：納微最全介紹，帶你極速認(rèn)識第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
2021-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.4萬 0
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