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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過熱。
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造，采用破壞性拆解，不具備復(fù)原性和可維修性，電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣？小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導(dǎo)熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配...
電機驅(qū)動中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
激光雷達的全稱是光檢測和測距，即通過光波段中的電磁輻射所進行的（遠程）檢測和測量。這種裝置采用了經(jīng)典、簡單的雷達原理，不同的是它使用的是由激光脈沖所組成...
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現(xiàn)在變...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
通過100V增強型氮化鎵晶體管實現(xiàn)直直變換器設(shè)計方案
在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)?，那到底有還是沒有體二極管？
氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快...
拆解報告：SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C
SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產(chǎn)品更為精致，也可以方便用戶后續(xù)收納使用。
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
接下來就直接開始拆解。 將頂面外殼拆開，PCBA模塊和外殼之間的空隙注膠填充加固。 將模塊取出，充電器采用接觸式通電設(shè)計，插腳和金屬彈片壓接。 使用游標(biāo)...
為什么選擇氮化鎵？淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
對于服務(wù)器，這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC，而對于傳統(tǒng)的低功能（例如，僅語音）電信系統(tǒng)，這是遠程潮濕的“蜂窩塔”，需要AC進行“防腐蝕” ，負...
2021-03-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6.9k 0
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...
傳統(tǒng)的電源轉(zhuǎn)換解決方案通過增加開關(guān)頻率以允許使用更小的變壓器來減小電源的尺寸。
2021-03-27 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器氮化鎵 4k 0
基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺的顛覆性3D LED技術(shù)
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計
工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術(shù)，該技術(shù)是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案。除了將高...
高保真聲音再現(xiàn)發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質(zhì)量的最新受益者，因為它使這些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關(guān)于最佳家庭音頻設(shè)置構(gòu)成的難...
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