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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
C2000?實時微控制器 （MCU）應(yīng)對GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個電感和一個電容）...
在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...
調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器
盡管基于硅的MEMS諧振器實現(xiàn)了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場是下一個角逐點
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...
2021-01-22 標簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.6k 0
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。
2021-01-20 標簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.4k 0
系統(tǒng)級熱設(shè)計對于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來越多的分布式電源架構(gòu)（DPA）使用增加了熱設(shè)計的復(fù)雜性。
2021-01-20 標簽：熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 7.5k 0
在實際的激光雷達系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...
驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。
2021-01-08 標簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 3.2k 0
線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...
2020-12-21 標簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3.9k 0
具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.7k 0
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。
業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。
Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢
5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機通信功能的核心組件，將直接受益。
利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現(xiàn)。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項技術(shù)的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術(shù)，...
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