Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出

納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation：Wins In Innovation”路演，該路演于2019年6月28日舉行。

2019-07-31 標(biāo)簽：氮化鎵自動駕駛Navitas 3.3k 0

Power Integrations全新InnoSwitch3AC-DC變換器IC可提供100W的功率輸出

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓...

2019-07-26 標(biāo)簽：變換器Power氮化鎵 1.7k 0

中國保持了原有的鎵產(chǎn)市場的主導(dǎo)地位但是尚未引起關(guān)注

倫敦羅斯基爾信息服務(wù)公司的顧問Alexandra Feytis說，由于中國保持了原有的鎵產(chǎn)量，大多數(shù)其他國家比如德國與哈薩克斯坦的鎵產(chǎn)量已經(jīng)減少。她表示...

2019-07-25 標(biāo)簽：芯片氮化鎵5G 4.3k 0

總投資10億元 百識第三代半導(dǎo)體項目落戶南京浦口

近日，南京百識半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“百識”）第三代半導(dǎo)體項目正式落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（以下簡稱“浦口經(jīng)開區(qū)”）。

2019-06-21 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體氮化鎵 8.8k 0

9.58億美元!美軍與雷達(dá)制造商簽署基于氮化鎵的雷達(dá)訂單

美國海軍陸戰(zhàn)隊與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門（Northrop Grumman）簽訂了一份價值9.58億美元的合同。

2019-06-20 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵 4.4k 0

美軍基于氮化鎵的雷達(dá)訂單由諾斯洛普執(zhí)行 價值9.58億美元

據(jù)報道，美國海軍陸戰(zhàn)隊與全球最大的雷達(dá)制造商諾斯洛普·格魯門（Northrop Grumman）簽訂了一份價值9.58億美元的合同，用于全速生產(chǎn)另外30...

2019-06-20 標(biāo)簽：雷達(dá)氮化鎵aesa 4.3k 0

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時代的最大受益者之一

GaN器件則以高性能特點廣泛應(yīng)用于通信、國防等領(lǐng)域，在5G 時代需求將迎來爆發(fā)式增長。

2019-06-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 6.0萬 0

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

毫無疑問，氮化鎵在半導(dǎo)體競爭中處于領(lǐng)先地位，可用于超級電源開關(guān)。

2019-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3.6k 0

鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)有望沖擊95％的超高轉(zhuǎn)換效率

臺北的五月皎陽似火，滾滾熱浪將肉眼可見的光線變得彎曲漲裂，如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是，COMPUTEX TAIPEI臺北國際電腦展將在...

2019-05-24 標(biāo)簽：電源氮化鎵 1.1k 0

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成 達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)產(chǎn)值20億元

據(jù)新華社報道，近日，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成。

2019-05-21 標(biāo)簽：芯片氮化鎵能訊 8.7k 0

投資3億元,蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司4英寸氮化鎵芯片產(chǎn)線建成

迎接5G無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求，打造國產(chǎn)射頻芯片新品牌。

2019-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵能訊 2.0萬 0

Soitec收購EpiGaN nv，整合氮化鎵優(yōu)勢

法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布已與氮化鎵（簡稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3,000萬歐元現(xiàn)金收購EpiGaN公司。

2019-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.5k 0

法國一公司研發(fā)出一個生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡單且更高效

據(jù)報道，法國研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項新工藝更簡單且更高效。

2019-05-17 標(biāo)簽：氮化鎵MicroLED 3.2k 0

中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料！國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商？

Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為，碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用，氮化鎵...

2019-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.8萬 0

哪些射頻和微波技術(shù)將在2019年推動行業(yè)發(fā)展

在更高數(shù)據(jù)速率下的高功率效率： GaN具有軟壓縮特性，使其更容易預(yù)失真和線性化。因此，它更容易用于數(shù)字預(yù)失真（DPD）高效應(yīng)用。GaN能夠在多個蜂窩頻段...

2019-05-09 標(biāo)簽：射頻氮化鎵微波技術(shù) 6.4k 0

69W 雙USB-C口氮化鎵充電器調(diào)試完畢,進(jìn)入試產(chǎn)階段

支持VOOC等超級快充。

2019-05-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 4.9k 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊描述了通過簡單改變向器件提供工作電流的時間順序，對基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽：LED顯示屏氮化鎵 3.1k 0

常見的幾種射頻半導(dǎo)體工藝

半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。

2019-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵砷化鎵 1.3萬 0

5G時代,硅基氮化鎵市場潛力巨大!

未來十年，氮化鎵市場規(guī)模有望突破10億美元。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵5G 1.4萬 0

Anker推出60W氮化鎵USB-C充電器新品:MacBook用戶便攜之選

據(jù)悉，Anker PowerPort PD 2 將于 4 月 29 日上市，價格為 54.99 美元（369 RMB）。

2019-04-28 標(biāo)簽：氮化鎵Anker 4.7k 0