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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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車規(guī)級(jí)eGaN?FET使得激光雷達(dá)系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進(jìn)一步擴(kuò)大車規(guī)級(jí)氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個(gè)產(chǎn)品成功通過(guò)國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證。
探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來(lái)前景
過(guò)去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個(gè)非常尷尬的境地，一方面他們無(wú)法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間。
Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬(wàn)年5W充電器略大一些
氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。
是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場(chǎng)爆炸的殺手級(jí)應(yīng)用呢？
市場(chǎng)在引入新技術(shù)時(shí)，成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一，但目前成本不是GaN的優(yōu)勢(shì)。GaN器件的主要競(jìng)爭(zhēng)者是硅基MOSFET，后者已經(jīng)上市多年，提供非常具有競(jìng)...
Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體...
2018-12-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 6.7k 0
德州儀器用2000萬(wàn)小時(shí)給出使用氮化鎵的理由
在多倫多一個(gè)飄雪的寒冷日子里。 我們幾個(gè)人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級(jí)電力電子研究實(shí)驗(yàn)室中，進(jìn)行一場(chǎng)頭腦風(fēng)暴。有點(diǎn)諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...
耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長(zhǎng)時(shí)可靠性的...
未來(lái)幾年GaN市場(chǎng)的營(yíng)收預(yù)測(cè)
潘大偉表示，作為英飛凌四大業(yè)務(wù)之一的電源管理及多元化市場(chǎng)（簡(jiǎn)稱PMM）是公司第二大的營(yíng)收來(lái)源，這部分2017年的營(yíng)收了公司當(dāng)年總收入31%，僅次于汽車電...
英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動(dòng)芯片
隨著市場(chǎng)對(duì)高功率高電壓材料的需求增長(zhǎng)，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...
探討軍用雷達(dá)發(fā)展史和新體制雷達(dá)發(fā)展方向
《兵器知識(shí)》就中國(guó)軍用雷達(dá)發(fā)展史、相控陣?yán)走_(dá)的先進(jìn)性、空警 500 等國(guó)產(chǎn)雷達(dá)的發(fā)展，專訪了毛二可院士。
氮化鎵應(yīng)用風(fēng)口,全球氮化鎵知名企業(yè)
與硅或者其他三五價(jià)器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。對(duì)于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢(shì)。有了更小的器件，就可以減小器件電容，...
“完美電源開關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過(guò)2000萬(wàn)小時(shí)的設(shè)備可靠性測(cè)試
此外，2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...
2018-11-28 標(biāo)簽：電源開關(guān)氮化鎵 4k 0
氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動(dòng)5G無(wú)線更快發(fā)展
在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)
Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí)產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過(guò)集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來(lái)實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級(jí)聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...
2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 7.5k 0
從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...
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