北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購(gòu)訂單

近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購(gòu)訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...

2018-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.8k 0

氮化鎵中使用光電化學(xué)刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進(jìn)展

如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會(huì)導(dǎo)致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領(lǐng)域中。采用由90μm直徑的圓點(diǎn)組成的50nm厚...

2018-09-03 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 8.2k 0

寬禁帶的SiC和GaN將會(huì)是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時(shí)）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 7k 0

恩智浦推出適用于5G網(wǎng)絡(luò)的全新高功率射頻產(chǎn)品

美國(guó)費(fèi)城（IMS 2018） – 2018年6月12日 – 恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-...

2018-06-13 標(biāo)簽：射頻恩智浦氮化鎵 6.9k 0

新的氮化鎵（GaN）熱控制方法

基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積。現(xiàn)在，一個(gè)來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡(jiǎn)單而且低成本。

2018-06-11 標(biāo)簽：模擬技術(shù)氮化鎵 3.3k 0

聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶重慶 將有望突破我國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸

11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵

在近日的業(yè)內(nèi)電源展會(huì)上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。

2018-11-16 標(biāo)簽：英飛凌充電器氮化鎵 2.1k 0

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.2萬 0

納微GaNFast推動(dòng)世界上最薄的旅行適配器

納微（Navitas）宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

2018-03-06 標(biāo)簽：適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.0萬 0

德儀LMG5200 GaN半橋功率級(jí)

本報(bào)告對(duì)德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶...

2018-03-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率級(jí) 1.2萬 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動(dòng)micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.1萬 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國(guó)造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體...

2018-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵晶片 8.8k 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵GaN 9.3k 0

氮化鎵助力，電源管理迎大變革

氮化鎵功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市場(chǎng)主流的硅功率器件均有顯著數(shù)量級(jí)的提升。例如，相比主流的硅基MOSFET、IGBT，氮化鎵功率器件的開...

2017-08-07 標(biāo)簽：電源管理氮化鎵氮化鎵電源 1.2萬 10

MACOM展示“射頻能量工具包”：通過將高性能、高成本效益的硅基氮化鎵射頻系統(tǒng)用于商業(yè)應(yīng)用，幫助客戶縮

2017年6月6日，馬薩諸塞州洛厄爾 – MACOM Technology Solutions Inc.（“MACOM”）今日宣布推出一款開發(fā)工具包，旨...

2017-06-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵macom 1.4k 0

恩智浦慶祝射頻技術(shù)創(chuàng)新60周年;并在國(guó)際微波研討會(huì)上力推5G基站解決方案

火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國(guó)際微波研討會(huì)（International Microwave Sympo...

2017-06-09 標(biāo)簽：恩智浦氮化鎵5G 1.1k 0

德州儀器CTO：電源和數(shù)據(jù)的交融與創(chuàng)新

產(chǎn)品的尺寸和外形都在逐步縮小，而其所能實(shí)現(xiàn)的功率轉(zhuǎn)換卻越來越高。在日常生活中，人們對(duì)于功效、智能化和封裝也提出了更多的要求。目前，移動(dòng)設(shè)備的電池儲(chǔ)能容量...

2017-05-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵type-c 1.4k 0