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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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2019年，氮化鎵（GaN）方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”
隨著2019年5G的正式布局，高效化和智能化已經(jīng)成為每一個(gè)照明企業(yè)都無(wú)法回避的問(wèn)題，各大企業(yè)紛紛布局，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)。其中氮化鎵（GaN）的方案與技術(shù)...
博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶(hù)嘉興科技城 總投資25億元
11月7日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式簽約落戶(hù)嘉興科技城。區(qū)委書(shū)記、嘉興科技城黨工委書(shū)記朱苗，嘉興科技城管委會(huì)副主任曹建弟，浙江博方嘉...
耐威科技擬在青島投資建設(shè)氮化鎵晶圓制造項(xiàng)目 利于公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局
11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱(chēng)，其與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項(xiàng)目。
遼寧百思特達(dá)氮化鎵項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè) 總投資達(dá)15億元
據(jù)盤(pán)錦高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)報(bào)道，近日，遼寧百思特達(dá)半導(dǎo)體科技有限公司氮化鎵項(xiàng)目正式開(kāi)工建設(shè)，這距離該項(xiàng)目10月4日落戶(hù)盤(pán)錦高新區(qū)還不足一個(gè)月時(shí)間。
2019-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 7.2k 0
Anker新品發(fā)布會(huì)上推出多款充電周邊產(chǎn)品
10月24日下午消息，Anker安克創(chuàng)新在紐約舉辦2019年新品發(fā)布會(huì)，發(fā)布了多款充電周邊產(chǎn)品。
2019-10-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵移動(dòng)電源 4.9k 0
重度依賴(lài)手機(jī)已經(jīng)成為一種社會(huì)常態(tài)，很多人每天打開(kāi)屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無(wú)數(shù)人患上了“電量焦慮”，插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器，...
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 標(biāo)簽：氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 2.2k 0
Transphorm和貿(mào)澤電子宣布達(dá)成全球分銷(xiāo)協(xié)議
Transphorm Inc.今天宣布，它已與貿(mào)澤電子（Mouser Electronics Inc.）簽署全球分銷(xiāo)協(xié)議，授權(quán)該公司在全球經(jīng)銷(xiāo)其最新的半...
OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無(wú)線(xiàn)VOOC閃充 技術(shù)亮點(diǎn)全揭曉！
2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無(wú)線(xiàn)VOOC閃充。據(jù)O...
耐威科技第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目正式投產(chǎn) 將打造世界級(jí)氮化鎵材料公司
9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“耐威科技”）發(fā)布公告稱(chēng)，公司控股子公司聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚能晶源”）投資建設(shè)...
聚力成半導(dǎo)體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展
重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司工廠(chǎng)成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。
新氮化鎵IC將進(jìn)一步鞏固PI在市場(chǎng)上的優(yōu)勢(shì)地位
氮化鎵（GaN）作為半導(dǎo)體第三代材料，近年來(lái)高頻進(jìn)入業(yè)界視野。各大IC廠(chǎng)商先后涉足氮化鎵領(lǐng)域，源由氮化鎵的寬禁帶、高擊穿電壓、大熱導(dǎo)率等特性，確立了其在...
DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)寄生效應(yīng)解析
DC/DC 轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開(kāi)關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列 的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模 （DM） 和共模 （C...
2019-09-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 2.5k 0
新的氮化鎵IC產(chǎn)品將進(jìn)一步鞏固PI的優(yōu)勢(shì)地位
這款產(chǎn)品的發(fā)布日期專(zhuān)門(mén)選在了PI二季度財(cái)報(bào)當(dāng)天，足見(jiàn)該技術(shù)對(duì)PI未來(lái)的重要性。PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示：“在實(shí)現(xiàn)高效率...
氮化鎵市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng) 我國(guó)多家企業(yè)積極布局
日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。
用于太陽(yáng)光紫外線(xiàn)指數(shù)檢測(cè)領(lǐng)域的紫外線(xiàn)傳感器
紫外線(xiàn)指數(shù)是指當(dāng)太陽(yáng)在天空中的位置最高時(shí)（一般是在中午前后，即從上午十時(shí)至下午三時(shí)的時(shí)間段里），到達(dá)地球表面的太陽(yáng)光線(xiàn)中的紫外線(xiàn)輻射對(duì)人體皮膚的可能損傷...
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用
對(duì)于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)板來(lái)解決的。當(dāng)然，模型開(kāi)發(fā)出來(lái)后，需要和真正的器件進(jìn)行對(duì)比，比如用于PA和功率轉(zhuǎn)換等。
2019-09-08 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)功率氮化鎵 7.8k 0
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面，Negative Capacitance FET ...
關(guān)于GaN和LDMOS的關(guān)系 和未來(lái)的發(fā)展
如在S波段及以上，SIC基的GaN HEMT真的是唯一選擇，而介于兩者之間的話(huà)，主要挑戰(zhàn)就是平衡成本與性能，這方面做起來(lái)很難。下圖總結(jié)了三種晶體管的優(yōu)缺...
關(guān)于國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商介紹
司擁有國(guó)際先進(jìn)的德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)、晶圓在片檢測(cè)系統(tǒng)、可靠性測(cè)試系統(tǒng)和應(yīng)用開(kāi)發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域，...
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