TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能

　　基于數十年的電源管理創(chuàng)新經驗，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為...

2016-05-05 標簽：德州儀器氮化鎵LMG3410 1.2k 0

Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser

2016年3月29日 – 貿澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵（GaN）解決方案。為滿足現代電源的...

2016-03-29 標簽：晶體管Mouser氮化鎵 1.4k 0

Qorvo? 擴充其面向中國市場的 CATV 功率放大器系列

　　中國北京，2016年3月25日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRV...

2016-03-25 標簽：放大器氮化鎵砷化鎵 1.2k 0

氮化鎵功率技術大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結構“劍走偏鋒”高壓器件

氮化鎵技術因其在低功耗、小尺寸等特性設計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)模化的生產能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術趨勢論...

2016-02-24 標簽：氮化鎵功率晶體管 4.9k 0

MACOM推出用于無線基站的全新高性能氮化鎵功率晶體管系列

中國上海，2016年2月24日- 領先的高性能模擬、微波、毫米波和光波半導體產品供應商MACOM日前宣布推出其備受矚目、應用于宏基站的MAGb系列氮化鎵...

2016-02-24 標簽：晶體管無線基站氮化鎵 1.6k 0

MACOM 展示業(yè)界最全的射頻/光通信無線基礎設施通信解決方案

　馬塞諸塞州洛厄爾，2016年2月22日- M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc. （“MACOM”）作為...

2016-02-22 標簽：無線氮化鎵微波功率放大器 1.5k 0

電力電子上下游產業(yè)齊聚PEC西安站活動

由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...

2013-11-25 標簽：氮化鎵碳化硅 1.5k 0

電力電子行業(yè)專家領導齊聚蘇州，共話行業(yè)發(fā)展新方向

由愛戴愛集團主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站將于10月25-26號蘇州會議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會蘇州站...

2013-10-23 標簽：新能源汽車氮化鎵碳化硅 988 0

功率電子元件市場走俏，日廠商聯手搶攻

隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高；市場研究機構 IHS 指出，來自電源供應器、太陽光電逆變器（PV）...

2013-08-05 標簽：元器件氮化鎵碳化硅 1.4k 0

TriQuint推出新型氮化鎵 (GaN) 集成功率倍增器

技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電...

2013-07-16 標簽：氮化鎵TriQuint功率倍增器 1.7k 0

TriQuint加速氮化鎵的供應速度，推出卓越新產品和代工服務

技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（ GaN ）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化...

2013-07-01 標簽：氮化鎵TriQuint 1.5k 0

英國為恩智浦提供200萬英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦（NXP）英國分公司提供200萬英鎊，以促進氮化鎵（GaN）器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效，因此很可能成為...

2013-06-03 標簽：恩智浦功率器件氮化鎵 938 0

IR開始商業(yè)裝運氮化鎵器件

全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日宣布已經為一套家庭影院系統(tǒng)測試并裝運...

2013-05-14 標簽：功率器件氮化鎵IR公司 1.2k 0

何時應對寬能帶隙材料時代？

對于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標。簡單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導通和開關性能，這種性能提...

2012-11-26 標簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1.6k 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標簽：氮化鎵碳化硅 1.1萬 0

富士通半導體明年量產氮化鎵功率元件

富士通半導體有限公司臺灣分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現低...

2012-11-21 標簽：氮化鎵功率元件 1.7k 0

氮化鎵在射頻通信中應用

本內容講解了氮化鎵在射頻通信中應用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術,與現有技術相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標簽：氮化鎵射頻通信 1.8k 0

RFMD推出氮化鎵功率倍增模塊RFCM2680

RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...

2011-11-16 標簽：功率氮化鎵RFMD 1.7k 0