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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件 SiC 2.5k 0

第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 3.7k 0

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標(biāo)簽：封裝分立器件碳化硅 1.9k 0

SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

2024-11-30 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 1.8k 0

基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 1.7k 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當(dāng)今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術(shù)作為一項(xiàng)重要的特種加工技術(shù)，引起了廣泛關(guān)注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領(lǐng)域備受矚目。在...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓脈沖激光碳化硅 1.6k 0

電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應(yīng)對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏?..

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 1.7k 0

車載充電器材料選擇比較

車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的...

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晶圓封裝過程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 2.3k 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù)，因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)以及在能源轉(zhuǎn)換中的...

2024-10-30 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

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碳化硅生產(chǎn)難點(diǎn)是什么

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 2.1k 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計(jì)

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摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 2.5k 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

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SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 3k 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

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光伏板碳化硅二極管怎么選

選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。

2024-09-29 標(biāo)簽：二極管光伏系統(tǒng)碳化硅 2.3k 0

貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說，貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...

2024-09-20 標(biāo)簽：電流貼片壓敏電阻電壓 1.3k 0

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是什么意思

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)（或相反過程）時，其電流和電...

2024-09-13 標(biāo)簽：二極管頻率碳化硅 1.7k 0

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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