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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)

　　開關(guān)器件在運(yùn)行過(guò)程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過(guò)程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 開關(guān)器件 3.3k 0

SiC和Si的應(yīng)用各種SiC功率器件的特性

碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，...

2023-04-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅 3.3k 0

基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

交流充電樁：本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，需要車載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET 充電樁碳化硅 3.3k 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 晶圓 3.3k 0

使用稀釋的HCN水溶液的碳化硅清洗方法

金屬污染物，如碳化硅表面的銅，不能通過(guò)使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物，這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對(duì)金...

2022-09-08 標(biāo)簽：清洗 RCA 碳化硅 3.3k 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 3.3k 0

碳化硅在電動(dòng)汽車的應(yīng)用方案

碳化硅 (SiC) 是一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，將在許多應(yīng)用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動(dòng)汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同...

2022-07-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 3.3k 0

鋁碳化硅復(fù)合材料時(shí)候什么生產(chǎn)制備方法

　　鋁碳化硅復(fù)合材料是一種由鋁、碳和硅組成的復(fù)合材料，具有良好的力學(xué)性能、耐腐蝕性和耐熱性，可用于制造航空航天、汽車、電子、化工等行業(yè)的零部件。

2023-02-16 標(biāo)簽：控制器交換器碳化硅 3.3k 0

SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對(duì)降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET JFET 功率器件 3.3k 0

碳化硅器件的基本特性都有哪些？

碳化硅（SiliconCarbide,SiC）器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表，近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。

2024-05-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 3.3k 0

基于無(wú)芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開發(fā)無(wú)核片上變壓器，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET 碳化硅 3.2k 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用！

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨(dú)特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽：SiC 電源逆變器碳化硅 3.2k 0

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅

這些優(yōu)勢(shì)有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化、低噪化，可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車的快速充...

2023-02-13 標(biāo)簽：大功率整流橋碳化硅 3.2k 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源適配器 SiC 3.2k 0

如何測(cè)試SiC MOSFET柵氧可靠性

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 3.2k 0

在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中，一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的新格局，它便是基于碳化硅（SiC）材料打造的主驅(qū)逆變器。

2024-03-13 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 逆變器 3.2k 0

碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而，要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì)，封裝技術(shù)起著...

2025-03-05 標(biāo)簽：芯片 SiC 碳化硅 3.2k 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護(hù)方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 3.2k 0

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 3.2k 0

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

SIC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)良的熱導(dǎo)率，是GaN基的理想襯底材料，如LED,LD。因此，SiC襯底加工技術(shù)是器件制作的重...

2023-05-05 標(biāo)簽：金剛石碳化硅 3.2k 0

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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碳化硅

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