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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動(dòng)汽車 SiC 2.8k 0

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別（下）

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...

2023-02-03 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 2.8k 0

氮化鎵和碳化硅誰(shuí)將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標(biāo)簽：led照明充電器氮化鎵 2.8k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...

2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.8k 0

SiC器件在電源中的應(yīng)用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件...

2024-08-19 標(biāo)簽：電源 SiC 碳化硅 2.8k 0

碳化硅功率器件在OBC中的應(yīng)用

對(duì)于多數(shù)電動(dòng)汽車用戶來(lái)說(shuō)，在家或是在公司進(jìn)行目的地充電應(yīng)該是更常用，也是更理想的方式，這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機(jī) OBC(On-b...

2022-09-20 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅 OBC 2.8k 0

碳化硅規(guī)模化應(yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。

2023-03-22 標(biāo)簽：逆變器功率器件碳化硅 2.8k 0

碳化硅半導(dǎo)體是什么怎么制作的

　　碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物，它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能，具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件碳化硅 2.8k 0

安森美SiC MOSFET模塊在牽引逆變器的應(yīng)用

牽引逆變器被稱為電驅(qū)系統(tǒng)的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當(dāng)前，很多純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車均采用IGBT技術(shù)。而碳化硅(SiC)技術(shù)的引...

2025-08-15 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 SiC 2.8k 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 碳化硅 2.8k 0

國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實(shí)驗(yàn)

SiC薄膜生長(zhǎng)方法有多種，其中化學(xué)氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓 SiC 2.8k 0

確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度，有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測(cè)量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因?yàn)樗梢院翢o(wú)問(wèn)題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。

2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2.8k 0

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)...

2023-06-07 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 2.8k 0

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動(dòng)汽車等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.8k 0

國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備

SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割...

2023-04-25 標(biāo)簽：ASIC芯片碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.8k 0

碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是將太陽(yáng)電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

2023-11-06 標(biāo)簽：光伏發(fā)電 SiC 光伏逆變器 2.7k 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過(guò)程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.7k 0

SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...

2023-03-30 標(biāo)簽：IGBT 特斯拉半導(dǎo)體器件 2.7k 0

用于電力電子設(shè)計(jì)的高性能SiC MOSFET技術(shù)

一個(gè)合適的設(shè)備概念應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)配置文件的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大更改。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍將是所選設(shè)備概念的低面積...

2022-07-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.7k 0

森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品，相較...

2023-07-20 標(biāo)簽：MOSFET MOS 體二極管 2.7k 1

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽(yáng)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

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閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

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