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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效，...

2023-09-06 標簽：MOSFET 太陽能逆變器 1.2k 0

碳化硅功率半導(dǎo)體工藝流程

首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶第二，使用多線切割設(shè)備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

2023-09-06 標簽：功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 2.1k 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應(yīng)用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標簽：二極管太陽能半導(dǎo)體 2.5k 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1.8k 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標簽：傳感器衰減器 SiC 1.8k 0

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

2023-08-31 標簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 1.1k 0

使用碳化硅進行雙向車載充電機設(shè)計

電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應(yīng)用中的不到2kW，到高端電動汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

2023-08-30 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 2.2k 0

怎樣通過并聯(lián)碳化硅MOSFET獲得更多功率呢？

為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。

2023-08-29 標簽：MOSFET 電阻器電源電路 1.2k 0

碳化硅VJFET的動態(tài)電路模型設(shè)計

在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進的半導(dǎo)體之一。

2023-08-29 標簽：電容器 SCR VHDL語言 1.8k 0

B2M碳化硅MOSFET在LLC、移相全橋型電源應(yīng)用中的優(yōu)勢

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-08-29 標簽：MOSFET LLC 碳化硅 2.2k 0

影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？

碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

2023-08-28 標簽：MOSFET 功率轉(zhuǎn)換器體二極管 2.3k 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管 IGBT SiC 6.4k 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管體二極管 1.3k 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標簽：MOSFET 電阻器 IGBT 2.1k 0

基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位量子磁探測研究

近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授李傳鋒、教授許金時、研究員王俊峰（現(xiàn)四川大學(xué)）等合作，在國際上首次實現(xiàn)了...

2023-08-23 標簽：傳感器量子共振技術(shù) 1.7k 0

晶圓劃片機的技術(shù)指標有哪些？晶圓劃片機選擇因素有哪些？

晶圓劃片機是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。

2023-08-21 標簽：硅晶圓劃片機碳化硅 3k 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 5.2k 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢，它所制成的功率器件在生活中運用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...

2023-08-18 標簽：芯片半導(dǎo)體可靠性測試 3.6k 0

具有銅互連的IC芯片設(shè)計

銅互連是一種比較新的技術(shù)。在經(jīng)過深入的研究和開發(fā)后，具有銅互連的IC芯片產(chǎn)品第一次在1999年出現(xiàn)。

2023-08-18 標簽：CMOS IC芯片碳化硅 2.2k 0

氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標簽：led 半導(dǎo)體氮化鎵 1.7k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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