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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3002個 瀏覽：52705次 帖子：39個

      碳化硅技術(shù)

      淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割...

      2025-07-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 769 0

      超共源共柵簡史

      超共源共柵簡史

      這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

      2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 768 0

      碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用

      服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲，處理著網(wǎng)絡(luò)上80％以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息，需要24*7不間斷運(yùn)行，承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù)，這主要?dú)w功于其高性能、高...

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS管 766 0

      切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計

      切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計

      摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制，探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...

      2025-07-24 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 761 0

      基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

      基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

      碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

      2025-06-13 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度TTV厚度 758 0

      碳化硅功率器件市場前景！

      在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

      2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 757 0

      Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

      Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化...

      2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 756 0

      關(guān)于對碳化硅誤解的描述

      碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

      2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT硅晶圓 754 0

      探索 onsemi NTBG014N120M3P SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      探索 onsemi NTBG014N120M3P SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

      在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 正憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG014N120M...

      2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 738 0

      晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響

      晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響

      一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

      2025-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 730 0

      切割深度動態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      切割深度動態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

      一、引言 在晶圓制造過程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中，受切削力、振動、刀具磨損等因素...

      2025-07-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 727 0

      onsemi NVH4L060N065SC1碳化硅功率MOSFET的性能剖析與應(yīng)用指南

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      在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和功率控制電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的一款N溝道單通...

      2025-12-04 標(biāo)簽：功率MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 726 0

      用于高效、緊湊、可靠系統(tǒng)的轉(zhuǎn)向SiC MOSFET

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      onsemi碳化硅MOSFET NTBG060N065SC1：性能與應(yīng)用全解析

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      2025-12-05 標(biāo)簽：肖特基二極管高性能碳化硅 720 0

      碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

      碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

      全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

      2023-07-10 標(biāo)簽：IGBTSiC碳化硅 719 0

      第一個木制晶體管問世，主頻1Hz！

      第一個木制晶體管問世，主頻1Hz！

      前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團(tuán)隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...

      2023-05-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵碳化硅 716 0

      基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

      基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

      摘要：本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制，分析...

      2025-07-25 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 712 0

      關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的八大誤區(qū)

      關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的八大誤區(qū)

      太陽能光伏系統(tǒng)：為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本，太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加，從600V增加到1,500V。

      2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 707 0

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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