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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備,詳細(xì)探討其日常維護(hù)要點(diǎn)與故障排查方法,旨在通過科學(xué)的維護(hù)管理和高效的故障處理,保障測(cè)量設(shè)備的穩(wěn)定性與測(cè)量...

2025-08-11 標(biāo)簽:測(cè)量設(shè)備碳化硅 850 0

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確分析對(duì)半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要 。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標(biāo)簽:晶圓碳化硅深度學(xué)習(xí) 847 0

探索 onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET 模塊:性能與應(yīng)用的深度剖析

探索 onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET 模塊:性能與應(yīng)用的深度剖析

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 以其卓越的性能正逐漸成為行業(yè)的主流選擇。onsemi 的 NXH010P120MNF1 系列 SiC MO...

2025-12-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 847 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFETSiC氮化鎵 846 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量的特殊采樣策略

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度不均勻性測(cè)量需求,分析常規(guī)采樣策略的局限性,從不均勻性特征分析、采樣點(diǎn)布局優(yōu)化、采樣頻率確定等方面提出特殊采樣策略...

2025-08-28 標(biāo)簽:測(cè)量碳化硅 842 0

Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要

碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...

2023-07-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 841 0

三代半碳化硅(SiC)外延層厚度及均勻性無損檢測(cè)技術(shù)的詳解

三代半碳化硅(SiC)外延層厚度及均勻性無損檢測(cè)技術(shù)的詳解

前段時(shí)間,因?yàn)槲抑霸谀称脚_(tái)上分享了一篇關(guān)于“ 半導(dǎo)體 碳化硅 (SiC)同質(zhì)外延層厚度無損 紅外反射光譜法 的分析詳解; ”的文章而被很多同行或是有興...

2025-10-01 標(biāo)簽:無損檢測(cè)技術(shù)碳化硅外延片 840 0

探索 onsemi NTHL075N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

探索 onsemi NTHL075N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域,SiC(碳化硅)MOSFET 正憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入了解 onsemi 推出的 NTHL075N0...

2025-12-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 830 0

onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選

onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的理想之選

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的一款650V、57mΩ...

2025-12-08 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換碳化硅 826 0

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。

2023-07-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 826 0

碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法

碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法

引言 碳化硅襯底高溫加工過程中,溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭溫漂,嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度,進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法,...

2025-06-06 標(biāo)簽:測(cè)量碳化硅晶圓厚度 823 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 822 0

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...

2025-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅晶圓厚度 815 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場(chǎng)需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 802 0

onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

onsemi碳化硅MOSFET NVHL070N120M3S:性能剖析與應(yīng)用展望

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)正逐漸嶄露頭角。今天,我們就來詳細(xì)剖析onsemi推出的一款碳化硅MOSFET——NVHL070N120M3S,看...

2025-12-02 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 801 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)和現(xiàn)狀

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)和現(xiàn)狀

中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求,產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代,采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).

2023-06-12 標(biāo)簽:二極管SiC碳化硅 799 0

如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)處理

如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)處理

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié),針對(duì)傳統(tǒng)方法的局限性,探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用,為提升數(shù)據(jù)處理...

2025-08-25 標(biāo)簽:晶圓測(cè)量碳化硅 797 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-06-07 標(biāo)簽:功率器件充電樁碳化硅 790 0

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...

2025-07-14 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 779 0

onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想之選

onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想之選

在汽車電子領(lǐng)域,隨著電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的快速發(fā)展,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅(SiC)MOSFET憑借...

2025-12-03 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子碳化硅 773 0

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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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