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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3007個(gè) 瀏覽：52715次 帖子：39個(gè)

      碳化硅資訊

      CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)

      CISSOID與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系（簡稱電機(jī)系）達(dá)成技術(shù)合作意向，雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)，期望共同攻克技術(shù)難題以...

      2019-04-08 標(biāo)簽：CISSOID功率模塊碳化硅 3k 0

      使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起

      如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和...

      2019-04-03 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體碳化硅 5.1k 0

      Littelfuse推出兩款碳化硅肖特基二極管，提供最新的封裝尺寸

      Littelfuse， Inc.今日宣布推出兩款二極管，進(jìn)一步擴(kuò)大了其二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器...

      2019-03-27 標(biāo)簽：肖特基二極管Littelfuse碳化硅 1.7k 0

      最新材料碳化硅(SiC) MOSFET已發(fā)布

      SiCMOSFET支持高能效、小外形、強(qiáng)固和高性價(jià)比的高頻設(shè)計(jì)，用于汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng) 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體，推出了兩款新的碳化...

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      TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器，具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護(hù)

      新型TI柵極驅(qū)動器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。

      2019-03-19 標(biāo)簽：德州儀器IGBTSiC 1.7k 0

      世紀(jì)金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

      世紀(jì)金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

      2019-03-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅 6.4k 0

      基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

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      基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...

      2019-01-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 1.1萬 0

      比亞迪發(fā)布其車規(guī)級IGBT4.0技術(shù) 并斥巨資布局碳化硅

      IGBT被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置“CPU”，今年迎來“缺貨潮”。數(shù)據(jù)顯示，2018年車規(guī)級IGBT模塊的交貨周期已從正常8-12周延長至最長52周，業(yè)界預(yù)...

      2018-12-16 標(biāo)簽：比亞迪IGBT碳化硅 1.1萬 0

      碳化硅（SiC）何以還未能征服市場

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      UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

      碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的...

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      半導(dǎo)體如何引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)革命？ST總裁兼CEO歸納四大路徑

      11月8日，意法半導(dǎo)體總裁兼CEO Jean-Marc Chery先生在全球CEO峰會上表示，在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，我們的愿景是讓數(shù)十億智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)互聯(lián)互...

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      Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品

      今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...

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      未來功率元件會越來越依賴碳化硅？

      低耗能、高效率與小型化，已經(jīng)成為電子產(chǎn)品發(fā)展的三大主流趨勢。只不過，這三大課題偏偏卻正是最令研發(fā)人員頭疼的問題。

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      2018-10-10 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 3.0萬 0

      徐州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽約9個(gè)集成電路類重大項(xiàng)目 總投資達(dá)160余億元

      近年大陸積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，除了大力扶持本土業(yè)者、打造產(chǎn)業(yè)鏈之外，并爭取海外半導(dǎo)體廠商投入。昨（25）日有消息傳出，臺灣地區(qū)上市公司強(qiáng)茂在江蘇省徐州...

      2018-10-03 標(biāo)簽：集成電路ICT半導(dǎo)體封裝 9.6k 0

      盤點(diǎn)第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

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      近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳...

      2018-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

      e絡(luò)盟社區(qū)發(fā)布最新技術(shù)專題文章 快速了解電子行業(yè)最新動態(tài)

      全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟宣布將在其社區(qū)平臺，即全球最大的電子設(shè)計(jì)社區(qū)e絡(luò)盟社區(qū)發(fā)布一系列全新技術(shù)專題文章，每兩月發(fā)布一期，以幫助工程師社區(qū)成...

      2018-08-04 標(biāo)簽：傳感器e絡(luò)盟碳化硅 8.8k 0

      寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

      行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時(shí)）的3...

      2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 7k 0

      碳化硅半導(dǎo)體器件為你加油 富昌電子英飛凌超級品牌月活動來襲

      碳化硅（SiC）材料一直被視為半導(dǎo)體器件的最佳材料，隨著科學(xué)技術(shù)的日新月異以及新能源的快速發(fā)展，它被廣泛使用于各個(gè)領(lǐng)域，整個(gè)市場對它的需求也與日俱增。 ...

      2018-09-21 標(biāo)簽：英飛凌富昌電子碳化硅 3.1k 0

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