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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

英飛凌攜手思格新能源，碳化硅器件助力戶用光儲(chǔ)

近日，英飛凌科技與思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，雙方將基于英飛凌最新一代1200VCoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技術(shù)，共...

2026-05-13 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅光儲(chǔ)存 154 0

SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制：基于極速開(kāi)關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除

全SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制：基于極速開(kāi)關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除與電磁兼容策略引言在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化與高度電氣化轉(zhuǎn)型的宏...

2026-05-13 標(biāo)簽：SiC 光伏逆變器碳化硅 58 0

專為將導(dǎo)通損耗降至較低而設(shè)計(jì)的800V+N型碳化硅MOSFET

“超節(jié)功率MOS管”應(yīng)為?超結(jié)功率MOS管?（Super Junction MOSFET），是一種專為高壓大功率應(yīng)用優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件。其核心創(chuàng)新在于...

2026-05-13 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 86 0

泰科天潤(rùn)打造成型高壓SiC MOSFET產(chǎn)品系列

今年以來(lái)，泰科天潤(rùn)成功研制并全面推出高電壓碳化硅（SiC）MOSFET全系列器件，實(shí)現(xiàn)高壓碳化硅高性能、矩陣化布局的全面拓展。電壓平臺(tái)全面覆蓋2000V...

2026-05-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 233 0

碳化硅固態(tài)斷路器（SSCB）：微秒級(jí) di/dt 異常識(shí)別與無(wú)弧開(kāi)斷

傾佳楊茜-死磕固斷-碳化硅固態(tài)斷路器（SSCB）極速關(guān)斷邏輯深度解析：微秒級(jí) di/dt 異常識(shí)別與無(wú)弧開(kāi)斷技術(shù) 1. 直流微電網(wǎng)保護(hù)的物理瓶頸與固態(tài)斷...

2026-05-09 標(biāo)簽：斷路器碳化硅 80 0

浮思特 | 至信微650V SiC JFET發(fā)布：高效電源設(shè)計(jì)迎來(lái)新選擇

隨著新能源、AI服務(wù)器、快充設(shè)備等應(yīng)用快速發(fā)展，電源系統(tǒng)對(duì)于“高效率、高功率密度、低損耗”的要求正在不斷提高。傳統(tǒng)硅基功率器件雖然已經(jīng)十分成熟，但在高頻...

2026-05-09 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)JFET 碳化硅 346 0

1400V碳化硅模塊在ANPC三電平2000V母線DC-DC變換器中的戰(zhàn)略價(jià)值

1400V碳化硅模塊BASiC-BMF004MR14E2B3在ANPC三電平2000V母線DC-DC變換器中的戰(zhàn)略價(jià)值與技術(shù)分析大功率高壓直流母線架構(gòu)...

2026-05-08 標(biāo)簽：變換器 DC-DC 碳化硅 204 0

1400V碳化硅SiC功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用潛力

BASiC-BMF004MR14E2B3碳化硅1400V功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用潛力研究報(bào)告 1. 產(chǎn)業(yè)技術(shù)演進(jìn)與工商業(yè)儲(chǔ)能PCS的...

2026-05-08 標(biāo)簽：SiC PCS 碳化硅 189 0

安森美發(fā)布2026年Q1財(cái)報(bào)：營(yíng)收超預(yù)期背后的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型與資本運(yùn)作密碼

近日，安森美（NASDAQ：ON）披露2026年第一季度業(yè)績(jī)，在半導(dǎo)體行業(yè)周期性調(diào)整背景下交出了一份"逆勢(shì)增長(zhǎng)"的成績(jī)單。本季度營(yíng)收...

2026-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美功率半導(dǎo)體 522 0

2026年SiC碳化硅模塊清洗工藝深度解析與最優(yōu)方案選擇

隨著電動(dòng)汽車、新能源及工業(yè)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的飛速發(fā)展，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體功率模塊已成為提升系統(tǒng)效率與功率密度的核心元件。相較于傳統(tǒng)硅基器件，...

2026-05-07 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 695 0

誠(chéng)芯微CX716+CX80TS065 ：36W碳化硅高頻QR反激電源方案參考設(shè)計(jì)

這是一款基于（CX716+CX80TS065+CX7538D）18V2A針對(duì)適配器快充優(yōu)化的碳化硅功率器件的參考設(shè)計(jì)解決方案。該方案采用高性能CX716...

2026-05-06 標(biāo)簽：反激電源碳化硅 18 0

至信微推出650V 140mΩ碳化硅JFET 開(kāi)啟高效電源新紀(jì)元

繼2026年初發(fā)布1200V JFET產(chǎn)品后，至信微近日再次推出量產(chǎn)級(jí)650V 140mΩ SiC JFET器件。此次推出標(biāo)志著至信微在碳化硅功率器件領(lǐng)...

2026-05-06 標(biāo)簽：新能源汽車 JFET 功率器件 836 0

安森美與蔚來(lái)深化戰(zhàn)略合作：EliteSiC M3e技術(shù)驅(qū)動(dòng)900V電動(dòng)汽車平臺(tái)革新

近期，安森美（onsemi）與蔚來(lái)汽車正式宣布擴(kuò)大戰(zhàn)略合作，聚焦下一代900V電動(dòng)汽車平臺(tái)演進(jìn)。此次合作基于雙方多年技術(shù)協(xié)同基礎(chǔ)，安森美將提供其最新研發(fā)...

2026-05-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美功率模塊 851 0

碳化硅 (SiC) MOSFET模塊超快短路保護(hù)硬件檢測(cè)方案研究：響應(yīng)時(shí)間壓縮至 1μs 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)

碳化硅 (SiC) MOSFET模塊超快短路保護(hù)硬件檢測(cè)方案研究：響應(yīng)時(shí)間壓縮至 1μs 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)演進(jìn) 引言：寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用中的高頻化...

2026-04-30 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 222 0

博世汽車電子重磅亮相2026北京車展

2026年4月24日，北京國(guó)際汽車展覽會(huì)如約啟幕。在這場(chǎng)全球汽車行業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”盛會(huì)上，博世汽車電子以硬核半導(dǎo)體科技再度成為焦點(diǎn)。博世汽車半導(dǎo)體展臺(tái)前，...

2026-04-30 標(biāo)簽：汽車電子碳化硅博世 469 0

晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)廣闊發(fā)展機(jī)遇，碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性，已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級(jí)的...

2026-04-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.6k 0

合科泰SiC碳化硅產(chǎn)品在充電樁與光伏中的應(yīng)用選型

隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展，SiC碳化硅功率器件在充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。對(duì)于工程師和采購(gòu)人員而言，如何在眾多型號(hào)中快速匹配到適合的產(chǎn)品，...

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碳化硅 VS 氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然...

2026-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2k 0

博世第三代碳化硅芯片：性能躍升20%，重構(gòu)電動(dòng)汽車效率新標(biāo)桿

2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“綜合性能提升20%”為核心突破，通過(guò)全球產(chǎn)能布局與技術(shù)革新，為電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)注入高效能量控制新動(dòng)能，...

2026-04-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車芯片碳化硅 1.5k 0

碳化硅（SiC）模塊開(kāi)關(guān)特性對(duì)ANPC總諧波失真（THD）的影響

碳化硅（SiC）模塊開(kāi)關(guān)特性對(duì)有源中點(diǎn)鉗位（ANPC）儲(chǔ)能變流器死區(qū)時(shí)間與輸出總諧波失真（THD）的深層影響分析引言與新型儲(chǔ)能變流器的技術(shù)背景在現(xiàn)代...

2026-04-28 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 89 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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