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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

智融科技SW1192斬獲2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)年度電源管理IC稱(chēng)號(hào)

智融科技SW1192斬獲2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)年度電源管理IC稱(chēng)號(hào)

智融科技SW1192——可直驅(qū)碳化硅(SiC)高頻準(zhǔn)諧振模式反激控制器,憑借領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新、成熟的量產(chǎn)能力與優(yōu)異的系統(tǒng)表現(xiàn)獲選為2026年度中國(guó)IC設(shè)計(jì)...

2026-04-08 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)電源管理IC碳化硅 1k 0

碳化硅(SiC)模塊短路保護(hù)與多級(jí)自適應(yīng)去飽和(DESAT)技術(shù)研究

碳化硅(SiC)模塊短路保護(hù)與多級(jí)自適應(yīng)去飽和(DESAT)技術(shù)研究

在現(xiàn)代高頻、高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(如新能源汽車(chē)牽引逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、大功率直流快充以及光伏并網(wǎng)逆變器)中,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其革命性...

2026-04-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器SiC 1.4k 0

博世SiC路線圖:堅(jiān)守溝槽、全面轉(zhuǎn)向8英寸

電子發(fā)燒友綜合報(bào)道,SiC MOSFET能顯著降低導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)速度、減少能量損失,并支持更高的功率密度,直接推動(dòng)逆變器小型化與整車(chē)效率提升,已經(jīng)成...

2026-04-03 標(biāo)簽:碳化硅博世 1.3萬(wàn) 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實(shí)驗(yàn) (DPT) 數(shù)據(jù)處理與開(kāi)關(guān)損耗精準(zhǔn)提取

碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實(shí)驗(yàn) (DPT) 數(shù)據(jù)處理與開(kāi)關(guān)損耗精準(zhǔn)提取

碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實(shí)驗(yàn) (DPT) 數(shù)據(jù)處理與開(kāi)關(guān)損耗精準(zhǔn)提取技術(shù)研究報(bào)告 1. 碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)表征的工程背景與物理挑戰(zhàn) 在現(xiàn)...

2026-04-02 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)處理碳化硅 184 0

碳化硅化工填料環(huán):輕量化與高熱導(dǎo)率的節(jié)能解決方案

碳化硅化工填料環(huán):輕量化與高熱導(dǎo)率的節(jié)能解決方案

在化工分離與反應(yīng)設(shè)備中,填料環(huán)的性能直接影響著系統(tǒng)的效率、能耗與運(yùn)行壽命。傳統(tǒng)金屬或普通陶瓷填料在強(qiáng)腐蝕、高溫及頻繁啟停的苛刻工況下,往往面臨腐蝕失效、...

2026-04-01 標(biāo)簽:碳化硅 116 0

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路

碳化硅 (SiC) 功率模塊短路保護(hù) (DESAT) 優(yōu)化:檢測(cè)時(shí)間壓縮至 500ns 的新型電路與系統(tǒng)級(jí)協(xié)同控制策略研究 引言 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化...

2026-04-01 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 1.1k 0

碳化硅(SiC)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用:阻抗特性的多維解析與智能化演進(jìn)

碳化硅(SiC)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用:阻抗特性的多維解析與智能化演進(jìn)

碳化硅(SiC)電力電子設(shè)備中的應(yīng)用:阻抗特性的多維解析與智能化演進(jìn) 現(xiàn)代電力電子技術(shù)演進(jìn)與碳化硅(SiC)時(shí)代的阻抗挑戰(zhàn) 在全球能源結(jié)構(gòu)向可再生能源轉(zhuǎn)...

2026-04-01 標(biāo)簽:SiC碳化硅深度學(xué)習(xí) 412 0

開(kāi)源實(shí)戰(zhàn)!1KW 80Plus 金牌 ATX 電源設(shè)計(jì)全流程,基于芯茂微碳化硅方案,徹底解決炸機(jī) / 認(rèn)證 / 成本痛點(diǎn)

開(kāi)源實(shí)戰(zhàn)!1KW 80Plus 金牌 ATX 電源設(shè)計(jì)全流程,基于芯茂微碳化硅方案,徹底解決炸機(jī) / 認(rèn)證 / 成本痛點(diǎn)

前言 各位電源圈的發(fā)燒友、工程師朋友們,大家好! 深耕大功率 ATX 電源研發(fā) 1 年,踩過(guò)的坑能繞實(shí)驗(yàn)室三圈。去年攻堅(jiān) 1KW 80Plus 金牌電源...

2026-03-31 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)開(kāi)源碳化硅 1.8k 0

從張雪機(jī)車(chē)的精神內(nèi)核到傾佳楊茜死磕固變SST固態(tài)變壓器的產(chǎn)業(yè)啟示

全球先進(jìn)制造的產(chǎn)業(yè)格局正處于一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)移之中。以中國(guó)高端制造企業(yè)為代表的新興力量,正在系統(tǒng)性地瓦解由歐洲、日本和美國(guó)老牌工業(yè)巨頭所長(zhǎng)期把持的產(chǎn)業(yè)壟斷。

2026-04-03 標(biāo)簽:碳化硅固態(tài)變壓器 204 0

硅動(dòng)力微電子亮相2026春季亞洲充電展

2026年3月27日,2026(春季)亞洲充電展(Asia Charging Expo) 在深圳前海國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。作為全球能源電子技術(shù)領(lǐng)域最具影...

2026-03-30 標(biāo)簽:電源管理碳化硅快充 342 0

基本半導(dǎo)體攜SiC MOSFET產(chǎn)品亮相2026春季亞洲充電展

基本半導(dǎo)體攜SiC MOSFET產(chǎn)品亮相2026春季亞洲充電展

3月27日,2026(春季)亞洲充電展在深圳前海國(guó)際會(huì)議中心舉行?;景雽?dǎo)體攜750V全系列消費(fèi)類(lèi)SiC MOSFET產(chǎn)品精彩亮相,全面展現(xiàn)在消費(fèi)電子功...

2026-03-30 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 341 0

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所首次亮相SEMICON China 2026

2026年3月25日,SEMICON China 2026(上海國(guó)際半導(dǎo)體展)在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行,會(huì)期三天。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光機(jī)所首次亮相該展會(huì)...

2026-03-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 621 0

2026全球固態(tài)變壓器SST產(chǎn)業(yè)白皮書(shū):SiC模塊產(chǎn)業(yè)鏈成熟度對(duì)固變SST商業(yè)化拐點(diǎn)

自十九世紀(jì)末托馬斯·愛(ài)迪生與尼古拉·特斯拉的“交直流之爭(zhēng)”以來(lái),基于銅線繞組與鐵芯的傳統(tǒng)電磁變壓器一直是全球電力傳輸與分配網(wǎng)絡(luò)的絕對(duì)基石。

2026-03-31 標(biāo)簽:碳化硅固態(tài)變壓器 939 0

顛覆老舊重卡電驅(qū)動(dòng):1500V高電壓平臺(tái)商用車(chē)ANPC三電平電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

顛覆老舊重卡電驅(qū)動(dòng):1500V高電壓平臺(tái)商用車(chē)ANPC三電平電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

傾佳電子力推基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)BMF540R12MZA3(1200V/540A 碳化硅半橋模塊)設(shè)計(jì)一套適用于1500...

2026-03-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅ANPC 1k 0

全SiC碳化硅5.5kW AI服務(wù)器CRPS(冗余電源系統(tǒng))設(shè)計(jì)方案

全SiC碳化硅5.5kW AI服務(wù)器CRPS(冗余電源系統(tǒng))設(shè)計(jì)方案

設(shè)計(jì)一款 5.5kW AI服務(wù)器CRPS(冗余電源系統(tǒng)) 是當(dāng)前數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域的尖端應(yīng)用,這類(lèi)電源通常需要滿足 OCP ORv3 標(biāo)準(zhǔn)或 80 PLU...

2026-03-31 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅冗余電源 787 0

繼續(xù)死磕固變SST,2027年就是固變SST商業(yè)化爆發(fā)年!

我們中國(guó)人“死磕”固變SST(固態(tài)變壓器,Solid State Transformer),絕不是一時(shí)頭腦發(fā)熱,而是國(guó)家戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)升級(jí)和現(xiàn)實(shí)痛點(diǎn)共同驅(qū)動(dòng)...

2026-03-28 標(biāo)簽:變壓器SST碳化硅 734 0

高功率密度SiC電力電子系統(tǒng)的熱仿真與熱界面材料(TIM)選型實(shí)戰(zhàn)分析

高功率密度SiC電力電子系統(tǒng)的熱仿真與熱界面材料(TIM)選型實(shí)戰(zhàn)分析

隨著全球電氣化進(jìn)程的加速、電動(dòng)汽車(chē)(EV)的普及以及可再生能源并網(wǎng)規(guī)模的擴(kuò)大,現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)對(duì)高轉(zhuǎn)換效率、高功率密度以及極高可靠性的追求已達(dá)到前所未有的高度。

2026-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 414 0

多端口固態(tài)變壓器SST作為能量路由器的架構(gòu)與協(xié)同控制研究

多端口固態(tài)變壓器SST作為能量路由器的架構(gòu)與協(xié)同控制研究

基于碳化硅(SiC)模塊構(gòu)建的多端口固態(tài)變壓器SST作為能量路由器的架構(gòu)與協(xié)同控制研究 在全球能源轉(zhuǎn)型、算力基礎(chǔ)設(shè)施爆發(fā)式增長(zhǎng)以及交通電氣化的多重驅(qū)動(dòng)下...

2026-03-27 標(biāo)簽:路由器SST碳化硅 402 0

碳化硅(SiC)模塊構(gòu)網(wǎng)型固態(tài)變壓器(GFM-SST)核心綜述:基于高頻磁鏈觀測(cè)的電壓支撐算法

碳化硅(SiC)模塊構(gòu)網(wǎng)型固態(tài)變壓器(GFM-SST)核心綜述:基于高頻磁鏈觀測(cè)的電壓支撐算法

隨著全球能源結(jié)構(gòu)的深刻變革,以風(fēng)能和太陽(yáng)能為代表的可再生能源在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中的滲透率正呈指數(shù)級(jí)上升。

2026-03-28 標(biāo)簽:變壓器SiC碳化硅 405 0

Wolfspeed 300mm碳化硅技術(shù)為下一代AI與HPC系統(tǒng)提供可靠基礎(chǔ)

人工智能 (AI) 工作負(fù)載的快速增加,正在從根本上重塑數(shù)據(jù)中心的架構(gòu),推動(dòng)封裝尺寸、功率密度和集成復(fù)雜度達(dá)到前所未有的水平。在持續(xù)的高工作負(fù)載條件下,...

2026-03-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅Wolfspeed 426 0

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    Arduino
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    Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件(各種型號(hào)的Arduino板)和軟件(Arduino IDE)。
  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
  • 羅姆
    羅姆
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
  • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
    工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
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    一般情況,IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境,因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比,IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題,像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通??梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù),無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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      賽靈思公司(Xilinx)推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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      柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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  • CC2541
    CC2541
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    CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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    STM32F4
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    PFM
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    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào),通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號(hào),通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
  • 超級(jí)本
    超級(jí)本
    +關(guān)注
    超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后,定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品,集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能,超極本是完整的電腦。
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