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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

理想汽車,正在研發(fā)自動(dòng)駕駛芯片和MCU?

理想方面表示,公司自研的NPU架構(gòu)有很多創(chuàng)新,兼具了性能和靈活性,代表了業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)水平,SoC中也集成了多核CPU及多種高速接我們是架構(gòu)驅(qū)動(dòng)的NP...

2023-01-12 標(biāo)簽:mcu碳化硅自動(dòng)駕駛 1.3k 0

新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級(jí)優(yōu)化,助力 Electreon 動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)升級(jí)

新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級(jí)優(yōu)化,助力 Electreon 動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)升級(jí)

動(dòng)態(tài)無(wú)線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時(shí)為其充電英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度,使電動(dòng)汽車搭載更小的電池,實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候運(yùn)...

2025-12-15 標(biāo)簽:英飛凌無(wú)線充電碳化硅 1.3k 0

羅姆邀您相約PCIM Asia Shanghai 2025

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)宣布將于9月24日~26日參加上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia ...

2025-09-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅羅姆 1.3k 0

Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器,提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

MAX22701E將CMTI性能提升3倍、總體系統(tǒng)能耗降低30%,有效延長(zhǎng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間

2019-12-18 標(biāo)簽:Maxim柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.3k 0

10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理...

2022-04-02 標(biāo)簽:碳化硅 1.3k 0

基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資,打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)

全系碳化硅分立器件、模塊產(chǎn)品分別依據(jù)AEC-Q101、AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行可靠性測(cè)試,產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到驗(yàn)證遵循汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),打造車規(guī)級(jí)質(zhì)量水平。

2021-01-06 標(biāo)簽:功率器件碳化硅晶圓制造 1.3k 0

2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求將劇增?

這家美國(guó)制造商稱,這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW,得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍,SiC組件為 400 kW 逆...

2023-02-07 標(biāo)簽:SiC碳化硅太陽(yáng)能逆變器 1.3k 0

三安半導(dǎo)體與虹安微電子簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,三安半導(dǎo)體與虹安微電子在湖南長(zhǎng)沙成功簽署了一項(xiàng)重要的戰(zhàn)略合作協(xié)議,標(biāo)志著雙方在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的合作邁上了新臺(tái)階。此次合作旨在通過(guò)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,共...

2024-09-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.3k 0

Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性

Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3kV碳化硅(SiC)功率器件,實(shí)現(xiàn)更高的效率與可靠性

3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)擴(kuò)大了設(shè)計(jì)人員對(duì)交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍。

2022-03-22 標(biāo)簽:microchip功率器件碳化硅 1.3k 0

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能...

2025-04-17 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 1.3k 0

安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

近日,工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Entegris將為安森美提供制造碳化硅...

2024-08-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美碳化硅 1.3k 0

海外儲(chǔ)能PCS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì):基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命

進(jìn)入2025年,海外儲(chǔ)能市場(chǎng)呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì): 通過(guò)采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場(chǎng)得到廣泛認(rèn)可并得...

2025-03-30 標(biāo)簽:SiC碳化硅儲(chǔ)能PCS 1.3k 0

用于電動(dòng)汽車電力電子的碳化硅器件!

隨著對(duì)電動(dòng)汽車(EV)需求的持續(xù)增長(zhǎng),制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV...

2022-11-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1.3k 0

博世科技亮相2024年國(guó)際消費(fèi)電子展助力消費(fèi)者實(shí)現(xiàn)能源的可持續(xù)利用

無(wú)論是面向移動(dòng)出行或家居生活,博世都在積極推動(dòng)其技術(shù)的電氣化進(jìn)程以及可持續(xù)能源利用相關(guān)的解決方案,并將氫能視為滿足全球能源需求且實(shí)現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵因素。

2024-01-09 標(biāo)簽:燃料電池電動(dòng)車定時(shí)器 1.3k 0

Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺(tái)

Wolfspeed發(fā)布300mm碳化硅AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝平臺(tái)

全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國(guó)紐約證券交易所上市代碼:WOLF)于近日宣布,Wolfspeed 300mm 碳化硅 (SiC) 技...

2026-03-13 標(biāo)簽:碳化硅Wolfspeed先進(jìn)封裝 1.3k 0

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)有哪些?

碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)有哪些? 碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料,特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫穩(wěn)定性:...

2023-12-19 標(biāo)簽:光纖傳感器激光器碳化硅 1.3k 0

基于碳化硅MOSFET并聯(lián)的125kW T型三電平混合逆變器工程設(shè)計(jì)報(bào)告

基于碳化硅MOSFET并聯(lián)的125kW T型三電平混合逆變器工程設(shè)計(jì)報(bào)告

隨著全球工商業(yè)(C&I)儲(chǔ)能與光伏系統(tǒng)的快速發(fā)展,100kW至150kW功率段的變流器已成為連接分布式能源與中壓電網(wǎng)的核心樞紐。

2026-01-24 標(biāo)簽:MOSFET逆變器碳化硅 1.3k 0

華合德新材料李灝文:面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC單晶技術(shù)

碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)能等特點(diǎn),應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯。目前全球40%能量作為電能被...

2023-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 1.3k 0

車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白

車規(guī)級(jí)SiC供應(yīng)商桑德斯,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)1200V 25mΩ SiC MOS空白

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)達(dá)成協(xié)議,授權(quán)世強(qiáng)代理旗下碳化硅(SiC)、二級(jí)管等產(chǎn)品代理。

2022-03-02 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.3k 0

先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅集成在三相混合逆變器中的應(yīng)用:技術(shù)分析與器件級(jí)評(píng)估

先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅集成在三相混合逆變器中的應(yīng)用:技術(shù)分析與器件級(jí)評(píng)估

傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅集成在三相混合逆變器中的應(yīng)用:技術(shù)分析與器件級(jí)評(píng)估 深圳市傾佳電子有限公司(簡(jiǎn)稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電力電子變革的...

2025-11-04 標(biāo)簽:逆變器SiC碳化硅 1.3k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    Cirrus LogIC
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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