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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個階段。

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第三代半導(dǎo)體資訊

高頻交直流電流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動態(tài)測試中的精準(zhǔn)測量

高頻交直流電流探頭克服磁飽和問題，實現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng)，適用于第三代半導(dǎo)體動態(tài)測試，提升電流測量精度與效率。

2026-03-13 標(biāo)簽：功率模塊電流探頭第三代半導(dǎo)體 255 0

高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體功率模塊動態(tài)測試中的革命性應(yīng)用

高頻交直流探頭克服磁飽和和帶寬限制，實現(xiàn)超寬頻帶響應(yīng)，精準(zhǔn)測量SiC器件的高頻開關(guān)過程，提升動態(tài)測試與均流分析精度。

2026-03-06 標(biāo)簽：探頭功率模塊交直流 308 0

芯片行業(yè)趨勢：AI 芯片、汽車芯片、第三代半導(dǎo)體的增長點

開年之初，全球芯片行業(yè)就呈現(xiàn)出鮮明的“K型”分化格局：一邊是AI芯片、高帶寬存儲等賽道烈火烹油，毛利率輕松突破50%；另一邊是傳統(tǒng)消費電子芯片寒風(fēng)凜冽，...

2026-01-29 標(biāo)簽：芯片汽車芯片 AI芯片 1.7k 0

灣區(qū)“芯”力量齊聚珠海！大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體生態(tài)應(yīng)用大會暨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)CEO大會召開

頂尖專家，共謀產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略新篇前瞻研判，把脈產(chǎn)業(yè)布局全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋，探討產(chǎn)業(yè)瓶頸與痛點強化需求對接，推動創(chuàng)新成果落地重量級“政產(chǎn)學(xué)研資”深入對話頭部...

2026-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 897 0

行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型陜?nèi)接近硅基

行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有望三年?nèi)接近硅基

2026-01-16 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 634 0

欣見灣區(qū)新藍圖，瑞沃微祝賀廣州發(fā)布先進制造業(yè)強市規(guī)劃，共筑第三代半導(dǎo)體與芯片產(chǎn)業(yè)未來

1月8日，廣州市人民政府正式發(fā)布《廣州市加快建設(shè)先進制造業(yè)強市規(guī)劃（2024—2035年）》，明確了未來十余年產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。規(guī)劃提出，將重點發(fā)展第三代半...

2026-01-07 標(biāo)簽：制造業(yè)第三代半導(dǎo)體瑞沃微 933 0

青禾晶元常溫鍵合方案，破解第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成熱損傷難題

關(guān)鍵詞：常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進封裝；摩爾定律 ...

2025-12-29 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 641 0

當(dāng)GaN和SiC掀起能源革命，誰在背后穩(wěn)住它們的“高頻心跳”？

引言我們?yōu)镚aN和SiC帶來的高效與節(jié)能歡呼，卻常忽略：若沒有與之匹配的“能量守護者”，再強的半導(dǎo)體也無法真正賦能場景。想象一下：一輛電動汽車正在快充，...

2025-12-06 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 737 0

上海永銘：第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)...

2025-12-04 標(biāo)簽：GaN 第三代半導(dǎo)體 513 0

第三代半導(dǎo)體半橋上管電壓電流測試方案

在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評估中，對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數(shù)測試，是優(yōu)化電路設(shè)計、驗證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測試方案可為技...

2025-11-19 標(biāo)簽：電壓電流第三代半導(dǎo)體 379 0

第三代半導(dǎo)體浪潮下，高端電容器打通方案落地“最后一公里”

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）當(dāng)AI服務(wù)器以每秒萬億次的算力順暢驅(qū)動大模型訓(xùn)練，當(dāng)邊緣AI設(shè)備在極端溫度環(huán)境中穩(wěn)定運行時，一個易被忽視的核心元器件正默默...

2025-11-07 標(biāo)簽：電容器第三代半導(dǎo)體 943 0

深圳方正微電子榮膺“2025中國汽車芯片優(yōu)秀供應(yīng)商”獎

中國，北京，2025年10月16日?– 在隆重開幕的2025世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會上，國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè)——方正微電子有限公司（以下簡稱“方...

2025-10-17 標(biāo)簽：方正汽車芯片第三代半導(dǎo)體 829 0

第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價值企業(yè)”最具潛力獎!

近日，寧波創(chuàng)投界一年一度的“尋找寧波最具投資價值企業(yè)”頒獎活動舉行。本屆活動緊扣“科創(chuàng)”主題，錨定“新質(zhì)生產(chǎn)力”，聚焦高端裝備、芯片制造、數(shù)字經(jīng)濟、新材...

2025-08-19 標(biāo)簽：功率器件第三代半導(dǎo)體派恩杰 1.8k 0

服務(wù)器電源，“鈦金”級已是過去式

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在臺式機和服務(wù)器領(lǐng)域，我們經(jīng)常會聽到有金牌電源、鈦金牌電源等名稱，這些等級其實是由美國能源處出臺、Ecos Consult...

2025-07-23 標(biāo)簽：電源服務(wù)器第三代半導(dǎo)體 7.9k 0

功率半導(dǎo)體廠商揚杰科技上榜央視“CCTV品牌強國工程”

揚杰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與品牌影響力，作為江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，成功入選中央廣播電視總臺“CCTV品牌強國工程”，于央視CCTV-1、...

2025-05-27 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1.5k 0

安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動力2025上海車展核心技術(shù)首秀

安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...

2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 3.7k 0

意法半導(dǎo)體：推進8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?；l(fā)展

???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領(lǐng)域取得了顯著進步，并經(jīng)...

2025-04-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 SiC 第三代半導(dǎo)體 5.1k 0

兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達成戰(zhàn)略合作高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達成戰(zhàn)略合作！雙方將強強聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵...

2025-04-08 標(biāo)簽：mcu 功率半導(dǎo)體兆易創(chuàng)新 5.4k 0

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號

? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”...

2025-03-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 5.4k 0

破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴張減速——盤點2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進一步滲透的同時，數(shù)據(jù)中心電源、機器人...

2025-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.8萬 0

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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達到1，181，489百萬日元，集團公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計183家，員工61，468名。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負半周轉(zhuǎn)換時，經(jīng)過零位時，系統(tǒng)作出的檢測?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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