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標簽 > 肖特基二極管
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
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許多領域都會使用電子元器件、ic芯片等產(chǎn)品,因此盡快找到專業(yè)可靠的代理商,就是非常關鍵的事情了,既能夠保證產(chǎn)品質量更好,也不會出現(xiàn)不必要的問題。肖特基二...
2022-06-09 標簽:肖特基二極管 1.6k 0
在現(xiàn)代電子電路中,肖特基二極管憑借其獨特的物理特性,成為高頻、低壓場景的核心器件。這類二極管核心結構為金屬 - 半導體結(肖特基結),以“快、省、穩(wěn)”三...
新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝
新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-2...
Nexperia發(fā)布22種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合
在基礎半導體器件領域享有高產(chǎn)能生產(chǎn)專家之譽的 Nexperia(安世半導體)最近發(fā)布了 22 種新型平面肖特基二極管產(chǎn)品組合。此次發(fā)布的產(chǎn)品均采用了 C...
國芯思辰|基本半導體650V SiC肖特基二極管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力車載充電機PFC升壓
車載充電機可實現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
羅姆開發(fā)出了正向電壓僅為1.35V的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)“SCS210AG/AM”,已從2012年6月開始樣品供貨。該產(chǎn)品與該公司的原...
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊
近日,半導體器件領域企業(yè)SemiQ宣布,其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開...
成果一 基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺,技術團隊深入探索了實現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn),橫向電流限制不是...
美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
MBR40150CT肖特基二極管規(guī)格參數(shù)詳情
肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結構基于金屬- N 型半導體結,因而具有很低的正向壓降和極快的開關速度。
如何開發(fā)出有效的邊緣終端結構,緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決,PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
MBR1045CT直插特基二極管 10A電流45V耐壓 規(guī)格參數(shù)介紹
產(chǎn)品型號:MBR1045CT 產(chǎn)品封裝:TO-220AB 峰值重復反向電壓VRRM: 45V 最大平均整流電流I(AV) : 10A ...
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