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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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這個(gè)復(fù)合體由兩種設(shè)施組成。第一個(gè)裝置是為“無(wú)掩模納米光刻”設(shè)計(jì)的，可以在沒有口罩的情況下將圖像投射到基板上。第二種設(shè)備位于第一種設(shè)備制造的基板圖案上，利...
經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來(lái)適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...
《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)
摘要 高效指間背接觸太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...
通過(guò)X射線光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造
引言 在過(guò)去的二十年中，市場(chǎng)對(duì)大量N灰度級(jí)三維微納米元件的需求一直很活躍?；阢U筆束的光刻技術(shù)，我們可以生產(chǎn)出精確的組件，但目前需要更長(zhǎng)的時(shí)間去處理。使...
摘要 本文對(duì)本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長(zhǎng)期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...
在“中國(guó)制造”向“中國(guó)智造”轉(zhuǎn)型的浪潮中，精密金屬加工領(lǐng)域正經(jīng)歷著前所未有的技術(shù)革新。
在濕法體微機(jī)械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長(zhǎng)蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...
使用酸性或氟化物溶液對(duì)硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對(duì)浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...
本文研究了通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...
懸浮波導(dǎo)SiO2薄膜的應(yīng)力和折射率控制
懸浮二氧化硅結(jié)構(gòu)對(duì)于許多光學(xué)和光子集成電路(PIC)應(yīng)用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導(dǎo)，以及紫外-可見光濾光器等。除了這些應(yīng)用，懸浮波導(dǎo)還可...
應(yīng)對(duì)先進(jìn)工藝碳排放挑戰(zhàn)，Imec開發(fā)晶圓廠可持續(xù)發(fā)展評(píng)估模型
隨著技術(shù)的發(fā)展，與ic制造相關(guān)的排放量也增加了，特別是光刻和蝕刻能耗較大，例如n3工程中光刻工序產(chǎn)生的二氧化碳排放量約占45%。imec的工程師們半導(dǎo)體...
2023-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)光刻蝕刻 1.3k 0
類金剛石碳(DLC)膜具有諸如高硬度和低摩擦系數(shù)的優(yōu)異特性，并且在切削工具、金屬模具和機(jī)器部件中具有應(yīng)用。不幸的是，它們通常表現(xiàn)出低粘合強(qiáng)度由于高的內(nèi)部...
通過(guò)紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的濕式蝕刻
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...
本文介紹了我們?nèi)A林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì)，鹽酸作為陽(yáng)極腐蝕介質(zhì)，用掃描電鏡和透射電...
在過(guò)去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
引言 III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽(yáng)能電池...
清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充...
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...
清潔是在 32 nm 及以下技術(shù)的微電子設(shè)備中集成自對(duì)準(zhǔn)勢(shì)壘 (SAB) 的關(guān)鍵步驟之一。因此，研究不同清洗液對(duì) SAB 金屬成分的影響非常重要，主要涉...
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