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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram資訊

2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張

經(jīng)歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出，由于部分...

2024-11-07 標簽：DRAM 存儲器 HBM 1.9k 0

DRAM價格觸底反彈，專家曝真實原因

在過去一段時間內(nèi)，存儲器市場遭受了來自PC和智能手機需求低迷的嚴重沖擊，導致DRAM價格持續(xù)下跌，整個行業(yè)景氣不振。特別是用于智能手機和PC上暫存數(shù)據(jù)的...

2023-08-03 標簽：半導體 DRAM 海力士 1.9k 0

第三季度DRAM價格出現(xiàn)下滑

據(jù)TrendForce的最新調(diào)查，受美國9月15日華為禁令的影響，DRAM需求激增，在此期間，幾乎所有供應(yīng)商的位出貨量均出現(xiàn)環(huán)比增長。另一方面，DRAM...

2020-11-20 標簽：DRAM 三星電子服務(wù)器 1.9k 0

預測：全球DRAM市場的數(shù)量將在2018年達到峰值，將于2019年供過于求

根據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士的預測，預計全球DRAM市場的數(shù)量將在2018年達到峰值，2019年將出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象。

2018-08-01 標簽：DRAM 內(nèi)存美光 1.9k 0

疫情復發(fā)或?qū)е氯荄RAM芯片產(chǎn)能不足

今天上午，三星電子正式公布了2020年第四季度財報。

2021-01-29 標簽：芯片 DRAM 三星電子 1.9k 0

三星電子計劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...

2024-11-01 標簽：DRAM 三星電子 NAND閃存 1.9k 0

未來四年HBM市場將飆升52%

DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺，未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。

2023-11-25 標簽：DRAM 存儲芯片機器學習 1.9k 0

有聯(lián)電的技術(shù)支持，晉華存儲DRAM能在激烈的市場競爭中殺出重圍嗎？

在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。下面就隨小編一...

2018-08-07 標簽：DRAM 聯(lián)電存儲 1.9k 0

研究機構(gòu)預計DRAM今年銷售額652億美元

據(jù)國外媒體報道，研究機構(gòu)在最新的報告中預計，DRAM 今年仍將會是銷售額最高的半導體產(chǎn)品，接近電腦 CPU 銷售額 1.5 倍。從研究機構(gòu)的預計來看，...

2020-12-07 標簽：半導體 DRAM 1.9k 0

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一...

2023-10-10 標簽：DRAM ERP HBM 1.9k 0

SK海力士擴產(chǎn)1b DRAM,引領(lǐng)存儲行業(yè)新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中，全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局，大力擴展其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模。這一舉措旨在應(yīng)對日益增長的高帶寬內(nèi)存...

2024-06-17 標簽：DRAM SK海力士 HBM 1.9k 0

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世，將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午，三星官方發(fā)言，宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知...

2018-07-19 標簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 1.9k 0

三星電子將擴大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補充道：“三星電子將通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位，以確保其中長期競爭力?！比请娮迂撠煱雽w業(yè)務(wù)的DS部門計劃...

2023-11-03 標簽：DRAM NAND 三星電子 1.9k 0

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。

2017-12-22 標簽：dram 三星電子 10nm工藝 1.9k 0

BBCube3D以混合3D方法實現(xiàn)異構(gòu)集成

日本東京工業(yè)大學（Tokyo Tech）的研究人員開發(fā)了一種用于處理單元（processing units）和內(nèi)存堆疊的創(chuàng)新三維集成技術(shù)，可以實現(xiàn)目前“...

2023-10-23 標簽：半導體 DRAM 異構(gòu)集成 1.9k 0

金士頓目前在世界存儲芯片市場上的占有率超過78%，10多年來一直占據(jù)業(yè)界第1的位置。兩位共同創(chuàng)業(yè)者孫大衛(wèi)、杜紀川與臺灣的關(guān)系非常友好。金融海嘯發(fā)生時，金...

2023-12-05 標簽：DRAM 金士頓嵌入式存儲 1.9k 0

用于VHDL的DRAM控制器設(shè)計

80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片...

2012-05-21 標簽：控制器 DRAM VHDL 1.9k 0

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計，力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計進行重大調(diào)整。

2025-02-13 標簽：DRAM 三星電子內(nèi)存 1.9k 0

泛林集團業(yè)績創(chuàng)新高，中國市場占比48%

Yahoo Finance網(wǎng)站顯示，分析師預期泛林集團第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。

2024-01-26 標簽：DRAM 存儲器人工智能 1.9k 0

美光桃園內(nèi)存DRAM廠斷電

根據(jù) Digitimes 的消息，美光位于臺灣地區(qū)的桃園廠區(qū)發(fā)生斷電意外事件。美光表示，廠區(qū)已實時啟動安全防護機制，事件影響正調(diào)查確認中。 IT之家了解...

2020-12-04 標簽：DRAM 內(nèi)存美光 1.9k 0

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