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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)
實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后...
三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Devic...
為異構(gòu)多核實現(xiàn)十倍嵌入式內(nèi)存性能的三種方法
最后,隨著更新的工藝技術(shù)使更高容量的內(nèi)存更便宜,緩存大小將不可避免地增加。在異構(gòu) SoC 上發(fā)現(xiàn)的用于 CPU、GPU、DSP 和其他核心架構(gòu)的更大...
三星確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資
據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線,并預(yù)計該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標(biāo)志著三星...
據(jù)IHS公司的DRAM市場報告,隨著 DRAM 價格降到了極低水平,如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程,可能面臨重大虧損,三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供...
三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測后期不排除出現(xiàn)短缺
韓國記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)后市,激勵DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電...
據(jù)集邦咨詢最新報告,全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強(qiáng)勁增長、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM(高帶寬內(nèi)存)...
力積電黃崇仁:面對大陸廠商價格競爭將主動降低DDIC業(yè)務(wù)占比
在黃崇仁參加國際半導(dǎo)體展的“控制汽車用半導(dǎo)體的新未來論壇”期間提到的力量——ai部署,明年高上市帶寬ai計算芯片制造過程邏輯的話,可以在28納米DRAM...
創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤,支持SLC緩存與LDPC糾錯
值得一提的是,創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長達(dá)五年的保修期,保證 200 萬小時的平均故障間隔時間。至于產(chǎn)品售價和具體上市日期,官方暫未對外透露。
近日媒體報導(dǎo),清華紫光集團(tuán)出價230億美元,希望能并購美國DRAM大廠美光(Micron)。此事還未成真,但已引起臺灣的高度重視(或緊張)
2015-07-26 標(biāo)簽:DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲 1.5k 0
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在...
存儲供應(yīng)緊俏,業(yè)者獲利直線上沖,口袋賺飽。外資警告,廠商砸錢增產(chǎn),DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會在今年年中觸頂。
2017-02-09 標(biāo)簽:DRAMNAND Flash 1.5k 0
半導(dǎo)體產(chǎn)能排行榜:三星獨占鰲頭,臺積電緊追
美國市場調(diào)查公司IC Insights日前公布了截至2013年12月的半導(dǎo)體產(chǎn)能排行榜。其中排在第一名的是韓國三星電子公司,其產(chǎn)能占到整個行業(yè)的12.6...
韓國半導(dǎo)體設(shè)備商積極開發(fā)新一代HBM加工工具
目前,hbm在整個dram市場中所占比重不到1%,但隨著人工智能和ai半導(dǎo)體市場的迅速增長,對hbm的需求正在增加。市場調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測說,到2023年全...
三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM
近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM。
中國半導(dǎo)體迎擴(kuò)產(chǎn)潮 SK海力士將投36億建新廠
中國半導(dǎo)體迎來擴(kuò)產(chǎn)潮,不只中國本土廠商,全球半導(dǎo)體廠商也競相在中國布建生產(chǎn)線,而早早在中國插旗的韓國內(nèi)存大廠 SK 海力士同樣不落人后,將在中國無錫興建...
2019年全球Flash支出達(dá)260億美元,連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出
盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計劃,2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑,但該支出金額仍然會...
DRAM市場面臨雙重壓力:庫存調(diào)整與需求疲軟影響價格走勢
今年市場對DRAM的整體需求并不樂觀。尤其去年第四季度供應(yīng)商的大幅漲價,已經(jīng)讓市場開始擔(dān)憂庫存回補(bǔ)的動能會減弱。
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