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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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三星電子在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

近日，三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，以加強(qiáng)其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實(shí)驗(yàn)室的成立將專注于開(kāi)發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D D...

2024-01-31 標(biāo)簽：DRAM 三星電子存儲(chǔ)器 1.5k 0

從PC到移動(dòng)終端，存儲(chǔ)大廠面臨轉(zhuǎn)型考驗(yàn)

科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展主軸從PC轉(zhuǎn)到智能型手機(jī)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器供應(yīng)商不論是上游芯片廠或下游存儲(chǔ)器模組廠，近年都紛紛尋求轉(zhuǎn)型，但移動(dòng)產(chǎn)??品供應(yīng)鏈與傳統(tǒng)PC產(chǎn)業(yè)鏈不同，...

2014-04-16 標(biāo)簽：DRAM 海力士爾必達(dá) 1.5k 0

SK海力士與三星將率先量產(chǎn)1c納米DRAM

在近期舉辦的行業(yè)盛會(huì)Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在今年年底前，他們將成功實(shí)現(xiàn)1c nm制程的批量生產(chǎn)。

2024-04-09 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 SK海力士 1.5k 0

隨著與英特爾合作關(guān)系的結(jié)束美光的3D XPoint開(kāi)發(fā)和商業(yè)化有望加速

該技術(shù)號(hào)稱可以實(shí)現(xiàn)比NAND閃存快一千倍的存取速度，我在一些文章中看到，它被人們吹捧為“游戲規(guī)則的改變者”和“硅和晶體管的替代品”。我也看到一些美光的...

2019-02-11 標(biāo)簽：DRAM 美光 3D XPoint 1.5k 0

三星1*** DRAM開(kāi)發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1***(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2...

2025-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 制程技術(shù) 1.5k 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 1.5k 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個(gè)季度的虧損，3年來(lái)收入達(dá)到最低點(diǎn)。這個(gè)情況還將持續(xù)多長(zhǎng)時(shí)間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.5k 0

內(nèi)存價(jià)格瘋漲，國(guó)產(chǎn)手機(jī)依賴進(jìn)口，陷入窘境

瘋狂漲價(jià)的內(nèi)存進(jìn)入了真正的牛市通道。如今，無(wú)論線上線下，16GB的主流DDR4內(nèi)存要價(jià)都接近1600元。業(yè)內(nèi)專家預(yù)計(jì)，后續(xù)手機(jī)受到內(nèi)存漲價(jià)等相關(guān)成本壓...

2018-06-30 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 1.5k 0

產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改變　DRAM市場(chǎng)2014年趨勢(shì)預(yù)測(cè)

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 分析， 2013年絕對(duì)是對(duì) DRAM 產(chǎn)業(yè)具關(guān)鍵性的一年。D...

2013-12-10 標(biāo)簽：DRAM 海力士爾必達(dá) 1.5k 1

DRAM報(bào)價(jià)超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長(zhǎng)預(yù)估值

因DRAM、NAND等內(nèi)存報(bào)價(jià)上漲、需求強(qiáng)勁，調(diào)研機(jī)構(gòu)昨日（3月14日）發(fā)布最新研究報(bào)告，將2018年全球IC市場(chǎng)成長(zhǎng)預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口...

2018-03-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 1.5k 0

DRAM與NAND閃存市場(chǎng)表現(xiàn)分化

近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。在DRAM方面，消費(fèi)者需求在...

2025-02-07 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 NAND閃存 1.5k 0

三星LPDDR5X榮獲CES 2025創(chuàng)新獎(jiǎng)

在CES 2025開(kāi)幕前夕，三星半導(dǎo)體憑借其在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新與突破，以業(yè)界首創(chuàng)的LPDDR5X DRAM技術(shù)，獲得了CES 2025在移動(dòng)設(shè)備、...

2024-12-31 標(biāo)簽：DRAM CES 三星半導(dǎo)體 1.5k 0

上海矽朋微電子怎么樣？MRAM榮獲“中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”

? — 芯紐帶?新未來(lái)?—7月20日，由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦，江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...

2023-07-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM FlaSh 1.5k 0

三星、海力士官宣：下季度DRAM漲價(jià)60%-70%

這場(chǎng)漲價(jià)風(fēng)波背后，是全球存儲(chǔ)市場(chǎng)的供需失衡。兩大存儲(chǔ)龍頭不僅強(qiáng)硬提價(jià)，還拒絕簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議，堅(jiān)持按季度簽約以靈活應(yīng)對(duì)價(jià)格波動(dòng)。即便漲幅驚人，業(yè)界仍普遍...

2026-01-06 標(biāo)簽：DRAM 海力士三星 1.5k 0

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產(chǎn)能，應(yīng)對(duì)AI熱潮下的存儲(chǔ)需求

在全球人工智能（AI）技術(shù)持續(xù)升溫的背景下，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調(diào)整生產(chǎn)策略，以應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)且多樣化的存儲(chǔ)需求。據(jù)韓國(guó)媒體...

2024-07-08 標(biāo)簽：DRAM 人工智能 SK海力士 1.5k 0

Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù)，開(kāi)啟低功耗DRAM新篇章

近日，在存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域，Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實(shí)力，宣布成功開(kāi)發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這...

2024-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM Kioxia 1.5k 0

2017年第二季度DRAM組件銷售額達(dá)165億美元

根據(jù)DRAMeXchange發(fā)布的統(tǒng)計(jì)結(jié)果，PC、智能手機(jī)、服務(wù)器及其它DRAM組件銷售額在2017年第二季度達(dá)到165億美元。

2017-08-23 標(biāo)簽：dram 存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片 1.5k 2

一改低迷！存儲(chǔ)市場(chǎng)密集漲價(jià)！

展望后市，集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷樂(lè)觀預(yù)計(jì)，明年DRAM產(chǎn)值將增加超40%，NAND產(chǎn)值預(yù)計(jì)增超25%。不過(guò)，吳雅婷還是提醒，產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇雖是進(jìn)行式，...

2023-11-13 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)市場(chǎng) 1.5k 0

存儲(chǔ)芯片供給過(guò)剩價(jià)格下行趨勢(shì)確立

因?yàn)橛⑻貭?4納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價(jià)格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場(chǎng)貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到...

2018-11-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)美光 1.5k 0

6年“存儲(chǔ)大戰(zhàn)”落幕，達(dá)成全球和解

回顧該案件，2017年12月，美光科技在美國(guó)加州聯(lián)邦法庭起訴聯(lián)華電子與福建晉華，稱聯(lián)華電子通過(guò)美光臺(tái)灣地區(qū)員工竊取其知識(shí)產(chǎn)權(quán)，包括存儲(chǔ)芯片的關(guān)鍵技術(shù)，并...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM 美光科技存儲(chǔ)芯片 1.5k 0

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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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